资讯
三菱电机入局最强半导体，氧化镓将在10年后打败第三代半导体(2023-08-07)
特性会更优。
作为超宽禁带半导体材料的一种，氧化镓禁带宽度达到4.9eV，超过第三代半导体材料（宽禁带半导体材料）的碳化硅（3.2eV）和氮化镓（3.39eV）。更宽的禁带宽度......
下一代半导体：一路向宽，一路向窄(2021-09-28)
可用于制造大功率的紫外光源。
在超宽禁带半导体中，氮化铝镓（氮化铝和氮化镓的合金材料）、氧化镓、金刚石是较有代表性的几个方向。
与氧化镓、金刚石等禁带宽度相对固定的材料不同，氮化铝镓的禁带宽度......
SiC 与半导体垂直整合的复兴，先进 SiC 解决方案的需求不断增长(2023-02-16)
之间。碳化硅材料除宽禁带之外，还 具有高击穿场强、高饱和漂移速度及高稳定性、最大功率等优点。
禁带宽度决定材料特性，宽禁带提高更好性能。禁带宽度是衡量半导体性能的 一个重要指标，更宽的禁带......
电动汽车OBC分类及其大功率PFC技术分析(2024-04-19)
进展
固体的能带理论
禁带宽带（Eg）：半导体的禁带宽度与晶格原子之间的化学键相关，更强的化学键意味着电子很难从一个位置跳跃到下一个位置，因此，较大的禁带宽度的半导体......
【成电协·会员行】优秀的第三代半导体氮化镓芯片公司——氮矽科技(2022-08-11)
承载更高的能量密度，可靠性更高；较大的禁带宽度和绝缘破坏电场，使得器件导通电阻减少，有利与提升器件整体的能效；电子饱和速度快，以及较高的载流子迁移率，可让器件高速地工作。
“成电协·会员行”专题内容团队今天走进的是深耕第三代半导体......
无锡吴越半导体展出GaN晶体 全球首次厚度突破1厘米？(2021-12-16)
的氮化镓晶体，并与君联资本、新投集团签署A轮融资战略框架协议。
公开资料显示，第三代半导体GaN是由氮和镓组成的一种半导体材料，相比于硅材料，GaN具备决定性的优势。由于其禁带宽度大于2.2eV, 因此又被称为宽禁带半导体......
从原理到实例：GaN为何值得期待？(2021-11-30)
）等宽禁带材料升级，使得功率器件体积和性能均有显著提升。
那么什么是第三代半导体GaN呢？它是由氮和镓组成的一种半导体材料，由于其禁带宽度大于2.2eV, 因此又被称为宽禁带半导体材料。
功率半导体......
从手机充电器到汽车充电器，氮化镓开启逆袭之路(2023-10-08)
决定了一种材料所能承受的电场，更大的禁带宽度可以开发出载流子浓度更高的器件结构。
由于氮化镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化......
【活动预告】09.27双箭齐发---蓉矽半导体碳化硅MOSFET线上发布会(2022-09-23)
【活动预告】09.27双箭齐发---蓉矽半导体碳化硅MOSFET线上发布会;
重磅新品：碳化硅NovuSiC® MOSFET(G1)和(G2)
碳化硅作为第三代半导体材料，具有较宽的禁带宽度、高击......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-17)
材料氧化镓蓄势待发
从第一代半导体材料到第四代半导体材料，禁带宽度逐渐变大，从而愈发能在极端环境下使用。
△四代半导体材料及其禁带宽度......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-14)
受到资本青睐？未来氧化镓是否能取代碳化硅？
第四代半导体材料氧化镓蓄势待发
从第一代半导体材料到第四代半导体材料，禁带宽度逐渐变大，从而愈发能在极端环境下使用。
△四代半导体材料及其禁带宽度......
钻石，颠覆传统芯片(2023-12-25)
性和使用寿命。」华为专利主要就是利用金刚石的高散热性。
第二，5.5eV 的禁带宽度。金刚石是一种超宽禁带半导体材料，其禁带宽度是 Si 的 5 倍；载流子迁移率也是 Si 材料的 3 倍，理论上金刚石的载流子迁移率比现有的宽禁带半导体......
功率半导体，未来怎么卷(2023-09-06)
镓）、金刚石等第四代半导体上。
半导体的寒冬已经持续超过一年，无论从业绩上来看，还是从投资总额上来看，还能保持向上的领域屈指可数。而宽禁带半导体（WBG）就是这样的一个领域，无论市场如何动摇，都在......
低碳化成半导体强劲增长点 吉林华微电子进入新赛道(2024-01-22)
市场增长的动力点，全球各大供应商分别推出了相关产品和解决方案。吉林华微电子抓住新的增长机遇，积极迈进“低碳”路线，努力为其发展铺就一条硬科技绿色通道。
众所周知，宽禁带半导体具有禁带宽度宽、临界击穿电场强度大、饱和......
华为哈勃加持，这家碳化硅龙头离上市一步之遥！(2021-09-09)
主要材料是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），凭借其更宽的禁带宽度、高温、高压、高频率和大功率等优异性能，近年来产业迅猛增长。
据机构预测，第三代半导体市场规模预计将从2020......
第四代半导体氧化镓，被忽略的商机(2023-07-31)
开发。
氧化镓科普，有哪些性能优势？
氧化镓作为第四代材料代表，具备禁带宽度大（4.8 eV）、临界击穿场强高（8MV/cm）、导通特性好（几乎是碳化硅的10倍）、材料生长成本低等优势。业界认为，未来......
三家企业抱团设立合资企业 开发SiC、GaN(2022-09-14)
)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料，凭借更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率，广泛地应用于新能源汽车、新能源光伏、5G宏基站、风电、国防军工等领域。
据TrendForce集邦......
基础知识之LED（发光二极管)(2024-03-27)
针对代表性的特性变化进行说明。
光强
LED的Tj上升，则光通量变少。 这是因为阻碍发光的电子和空穴再结合运动增加了。
波长
与光强变化相同，温度变化引起发光波长发生变化。 主要是温度变化引起半导体的禁带宽度......
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争(2023-01-09)
材料的代表。目前，各国的半导体企业都争先恐后布局氧化镓，氧化镓正在逐渐成为半导体材料界一颗冉冉升起的新星。
性能优越的氧化镓
氧化镓是一种超宽禁带材料，超越了目前已经商用器件的禁带宽度，达到了4.2电子......
氮化镓器件和集成电路先进封装技术研究中心在广东签约(2023-07-07)
电子器件及其模块的研制进程，力争快速实现产品工程化。
公开资料显示，第三代半导体氮化镓材料具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更优的抗辐照能力，使得......
氮化镓器件和集成电路先进封装技术研究中心在广东签约(2023-07-07)
电子器件及其模块的研制进程，力争快速实现产品工程化。
公开资料显示，第三代半导体氮化镓材料具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更优的抗辐照能力，使得......
电动汽车市场催生碳化硅新前景(2024-01-02)
电动汽车市场催生碳化硅新前景;第三代半导体材料是指以（SiC）、（GaN）为代表的宽禁带半导体材料。与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度，更高的击穿电场、热导......
基础知识之激光二极管(2024-03-20)
包层之间的有源层(发光层) 和2片镜片端面构成。
由于包层材料的禁带宽度比有源层宽，因此将载体（电子和空穴）能量性的封闭起来。并且，由于包层材料的折射率比有源层小，因此光也封闭在有源层内。(与光......
氮化镓争夺战火热进行中，规模超60亿元的收购案尘埃落定(2023-10-26)
镓应用不断扩大
氮化镓（GaN）是第三代半导体的主要代表材料之一，凭借宽禁带、高频率、低损耗、抗辐射强等特性优势，氮化镓可以满足各种应用场景对高效率、低能耗、高性价比的要求，可广泛应用于LED、激光......
氮化镓争夺战火热进行中，规模超60亿元的收购案尘埃落定(2023-10-26)
领域的领先优势，并将大幅缩短新产品上市周期。
氮化镓应用不断扩大
氮化镓（GaN）是第三代半导体的主要代表材料之一，凭借宽禁带、高频率、低损耗、抗辐射强等特性优势，氮化......
新洁能拟定增募资不超14.5亿 用于第三代半导体功率器件等项目(2021-11-12)
具有禁带宽度大、击穿电场强度高、电子迁移率高、热导电率大、介电常数小和抗辐射能力强等特点，具有强大的功率处理能力、较高的开关频率、更高的电压驱动能力、更小的尺寸、更高的效率和更高速的散热能力，可满......
专注于大尺寸SiC衬底，超芯星半导体完成亿元B轮融资(2023-01-04)
于大尺寸SiC衬底，2020年3月被江北新区重点引进，是南京市唯一的第三代半导体衬底生产企业，该公司已于2019年10月推出大尺寸碳化硅单晶产品。
碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，因其禁带宽度大......
聚焦碳化硅业务，露笑科技剥离非主营业务(2021-03-26)
目拟生产碳化硅衬底片等产品，项目产品具有尺寸大、更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和度以及更高的抗辐射能力。
2020年8月9日，露笑科技发布公告称，将与合肥市长丰县人民政府在合肥市长丰县共同投资建设第三代功率半导体......
摩尔定律对半导体行业的加速度已经明显放缓(2023-03-27)
了人们的视野。GaN和SiC同属于第三代高大禁带宽度的半导体材料，和第一代的Si以及第二代的GaAs等前辈相比，其在特性上优势突出。由于禁带宽度大、导热率高，GaN器件可在200℃以上的高温下工作，能够......
抢占竞争制高点？国内氧化镓功率器件研发取得重要进展(2022-08-31)
器件的最高值。
氧化镓（β-Ga2O3）是超宽禁带半导体的典型代表，禁带宽度高达（~4.8 eV），临界击穿场强高达（~8 MV/cm），是研制高耐压、大功率和高效节能半导体器件的理想半导体......
中科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展(2022-05-27)
型半导体NiO由于禁带宽度大及可控掺杂的特点，是目前较好的选择。
该课题组基于NiO生长工艺和异质PN的前期研究基础，设计了结终端扩展结构（JTE），并优化退火工艺，成功......
大功率芯片散热电动汽车电机控制器结构优化(2023-10-24)
℃结温是业界目前的最高执行标准，而 200℃乃至更高耐温的封装还在定制化设计之中，潜力深厚具有非常广阔的发展前景。
从 SiC 材料本身的物理性能方面来看，SiC 半导体器件具有很宽的禁带宽度，属于第三代半导体......
国际著名半导体公司英飞凌签约国产碳化硅材料供应商(2023-05-03)
前景广阔，大大助力于“双碳”战略的实施。碳化硅属于第三代半导体材料，和第一代以硅为主、第二代以砷化镓为主的半导体材料相比，具有禁带宽度大、饱和电子迁移率高、导热性能等优势，特别适合于做大功率、耐高温、耐高压的半导体......
中国宣布出口限制之后，美国如何采购镓？(2023-08-17)
种白色的晶体粉末，具有两性。氧化镓，禁带宽度为 4.9eV，远高于碳化硅（3.2eV）和氮化镓（3.39eV），仅次于金刚石（5.5eV）和氮化铝（6.2eV）。氧化镓具有适合日盲紫外波段的禁带宽度......
SiC与GaN助力宽禁带半导体时代到来！(2021-01-04)
市场发展的分析以及对特定新兴市场的预测。
Power Electronics News（PEN）: 您是YoleDéveloppement半导体和新兴材料部门的成员，研究范围涉及碳化硅、氮化镓、砷化镓和磷化铟以及新兴材料趋势。您认为，宽禁带半导体当前的发展趋势和市场机会是什么......
强强联合！意法半导体与三安光电联手，专攻八英寸SiC(2023-06-08)
。
全球碳化硅市场高速成长
碳化硅是一种第三代宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界磁场高、电子饱和迁移速率较高、热导率极高等性质，其产......
功率半导体在电动汽车充电中的作用(2022-11-28)
材料相比，第三代半导体更宽的禁带宽度允许材料在更高的温度、更强的电压与更快的开关频率下运行。
纵观当前市场，目前应用第三代半导体的大功率液冷充电桩可以做到最大功率600kW，480kW的大......
我国成功制备6英寸氧化镓单晶，第四代半导体正式“撒网”(2023-03-01)
亿元）还要大。
氧化镓的结晶形态截至目前已确认有α、β、γ、δ、ε五种。其中，β相最稳定。β-Ga2O3的禁带宽度为4.8......
第三代半导体、元宇宙写入上海电子信息产业发展十四五规划(2022-01-05)
显示，第三代半导体是指禁带宽度大于2.2eV的半导体材料，也称为宽禁带半导体材料，当前以SiC和GaN为代表，具备高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等物理特性，因此在高温、高功率、高压、高频......
“终极功率半导体”获突破性进展！金刚石成下一代半导体材料(2023-01-30)
“终极功率半导体”获突破性进展！金刚石成下一代半导体材料;近日，被称为“”、使用的电力控制用半导体的开发取得进展。日本佐贺大学教授嘉数教授与精密零部件制造商日本Orbray合作开发出了用制成的功率半导体......
英唐智控宣布筹建6英寸碳化硅产线，全产业链布局再进一步(2021-07-12)
化硅者得天下!
SiC是第三代半导体材料，作为宽禁带半导体材料的一种，与硅的主要差别在禁带宽度上，这让同性能的SiC器件尺寸缩小到硅基的十分之一，能量损失减少了四分之三，成为制备高压及高频器件新的衬底材料。
SiC......
“终极功率半导体”获突破性进展！金刚石成下一代半导体材料(2023-01-29)
成为人造卫星等所必需的构件。
半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。耐高压、大射频、低成本、耐高温，多重特性助推金刚石成下一代半导体材料。金刚石禁带宽度5.5eV超现有氮化镓、碳化硅等，载流......
功率半导体发展如火如荼，国产企业有望弯道超车(2023-06-09)
功率半导体发展如火如荼，国产企业有望弯道超车;功率半导体发展如火如荼，伴随着5G、物联网、新能源等行业的迅速发展，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、热导率、电子饱和速率及抗辐射能力的SiC（碳化......
史上最全第三代半导体产业发展介绍(2017-07-27)
染环境，InP甚至被认为是可疑致癌物质，这些缺点使得第二代半导体材料的应用具有很大的局限性。
第三代半导体材料主要包括SiC、GaN、金刚石等，因其禁带宽度（Eg）大于或等于2.3电子伏特（eV），又被称为宽禁带半导体......
英飞凌成功收购GaN Systems，氮化镓市场向巨头“靠拢”？(2023-10-29)
镓应用不断扩大
氮化镓（GaN）是第三代半导体的主要代表材料之一，凭借宽禁带、高频率、低损耗、抗辐射强等特性优势，氮化镓可以满足各种应用场景对高效率、低能耗、高性......
什么是800V高压系统?800V高压系统的驱动力和系统架构分析(2023-07-10)
碳化硅技术的引入，各高压部件尤其是电驱部件的能耗可以大幅降低，实现车辆节能行驶。
为什么使用碳化硅半导体
相比硅半导体更有什么优势？
碳化硅在功率半导体层级有显著性能优势。相比硅半导体，碳化硅的禁带宽度......
行业龙头相继上市+汽车市场放量在即，第三代半导体处于爆发前夜(2021-10-08)
，指的是以SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）为代表的宽禁带化合物半导体。和Si（硅）相比，SiC和GaN在禁带宽度、热导率等物理特性上具备明显优势，故而更适用于高压、高温和高频场景，主要......
很快，氮化镓电源将会是你低碳台式机电脑的标配！(2023-04-13)
调侃甚至是电源的热量能够把鸡蛋蒸熟。再有就是转换效率低而浪费能源的问题，电源中，禁带宽度决定了电子器件的电压耐压和最高工作温度。禁带宽度越大，电子器件能够承受的温度和电压越高。
那么，有没有什么......
“未来芯片“——硅光子技术(2022-12-30)
于提升芯片的集成度；其次，硅光子芯片的基础材料不需要传统先进芯片的GaAs/InP衬底，只需要硅基材料即可，一旦大规模生产，芯片成本将会得以大幅降低；最后，硅的禁带宽度为1.12eV，对应的光波长为1.1μm......
华为Kirin960支持的UFS是什么鬼？(2016-10-26)
今天的UFS2.0闪传标准，实际上都是在进步和提升——UFS 2.0闪传标准有着比eMMC 5.0更快的读取性能。
eMMC时代，eMMC 4.4的读取速度大约为104MB/s，eMMC 4.5为......
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