资讯
电机驱动之PWM互补输出死区时间设定(2024-07-19)
电机驱动之PWM互补输出死区时间设定;一、互补PWM输出
下图1：Q1和Q2两MOS管组成了一个桥臂，两个管子不能同时导通。那么，如果两个管子都用PWM波控制的话，则两个PWM波形极性相反，图1中红......
如何减少示波器测量的死区时间(2023-05-23)
如何减少示波器测量的死区时间;很多客户在选择示波器的时候除了关注带宽、采样率和存储深度外，更关心的就是示波器的死区时间，死区时间的长短直接决定了捕获异常信号的能力大小。示波器的死区时间具体是多少......
两个IGBT为什么会出现同时导通的情况呢？(2024-07-02)
时会导致开关元器件发热严重，所以选择合适的死区时间尤为重要，过大过小都不行。
数据手册的参数
这里看了一下NXP的IRF540的数据手册，栅极开关时间如下所示；
IRF540
然后找到相关的，，，的相......
数明半导体最新推出SiLM9714——带宽共模电流检测放大器的四路智能半桥门极驱动器(2024-10-28)
桥驱动、电源管理、电流检测放大器以及保护监控功能，显著简化了系统结构，缩减了体积，并实现了成本优化。其采用的智能门极驱动架构，不仅能精确管理死区时间、调控斜率，还优化了传输延时，同时支持PWM与SPI......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
到开启阈值电压VGE(th)。这个过程电流很大，甚至可以达到几安培的瞬态电流。在这个阶段，集电极是没有电流的，极电压也没有变化，这段时间也就是死区时间，由于只对GE电容充电，相对来说这是比较容易计算的，由于......
基于STM32芯片三路互补PWM输出的设计实现(2024-09-02)
为有效电平，PWM１，PWM２。
死区发生器：
通过寄存器BDTR的位UTG[7:0]来配置死区时间，关于死区时间设置可以这篇文章：
⑥短路功能
断路功能用于电控的刹车功能，可以通过寄存器BDTR的BKE位使......
无刷电机的结构和驱动电路(2023-09-07)
（或者先关闭下MOS再开启上MOS）这样就避免了上下MOS同时导通的时间，错开的这个时间差，一般称为死区时间（dead time）。很多MCU输出的PWM波，都可以控制死区时间的大小，方便我们设计。
......
在栅极驱动器IC方面取得的进步让开关电源实现新的功率密度水平(2022-12-23)
内置慢速RC 钳位电路，则在半桥的启动期间会出现一定程度的直通，直到最终 VDD 值高到足以激活输出钳位电路为止。这并非理想情况，因为这会导致开关器件的电气过载。
具有可配置死区时间的直通保护
在半桥中引入死区时间......
通过栅极驱动器提高开关电源功率密度(2023-01-06)
最终 VDD 值高到足以激活输出钳位电路为止。这并非理想情况，因为这会导致开关器件的电气过载。
具有可配置死区时间的直通保护
在半桥中引入死区时间的目的在于，在开关关断后、半桥另一侧导通前，使开......
在栅极驱动器 IC 方面取得的进步让开关电源实现新的功率密度水平(2023-03-02)
半桥的启动期间会出现一定程度的直通，直到最终 VDD 值高到足以激活输出钳位电路为止。这并非理想情况，因为这会导致开关器件的电气过载。
具有可配置死区时间的直通保护
在半桥中引入死区时间的目的在于，在开......
类比半导体八半桥电机驱动DR7808在新能源汽车中的应用(2024-09-11)
检测与保护机制：
确保H桥驱动的稳定与安全
2.3.1上下管死区控制与保护优化
在H桥功率驱动应用中，上下管的死区控制是确保系统稳定性和安全性的关键环节。传统方法依赖于MCU算法计算死区时间，采用......
【干货】BCUK电路讲解，工作原理+图文结合(2024-06-25)
构成。
主要是以下三部分：
开关整流器基本原理
传说中的”伏-秒平衡”
同步整流死区时间
一、开关整流器基本原理
开关整流器基本原理：
开关整流器基本原理
导通时间
关断时间
在[0,Ton......
大联大世平集团推出基于onsemi产品的100W车内空调循环扇方案(2024-05-14)
内部还集成电源电压转换、PWM互锁机制来优化死区时间、高频宽通用放大器以及电荷泵功能，并提供防自开启保护和多级掉电压保护，可确保系统的稳定性和可靠性。在封装方面，NCD83591采用QFN28（4x4）的小......
什么是自举电容？自举电容的选择(2024-09-03)
动电路的开关元件从一个状态切换到另一个状态时，由于开关元件的特性，会出现一小段时间内无法提供合适的电流给电机，这段时间就被称为死区。
死区问题指的是在H桥电路中，当两个对角线上的开关元件由一个状态切换到另一个状态时，可能会出现一小段时间内无法提供合适......
GaN正在加速电机驱动中的应用(2024-07-09)
GaN 消除电机驱动设计中的死区时间
如图所示，GaN在BLDC上的优势可以分为两部分，一个是更高的效率，另外则是更低的死区时间。
在电源转换领域，死区时间是设计中必不可少但又繁重的方面，迫使......
stm32f103定时器，STM32F103的11个定时器详解(2023-09-20)
高级定时器PWM的输出。
一路带死区时间的互补PWM的波形图
STM32F103VC这款单片机一共有2个高级定时器TIM1和TIM8，这2个高级定时器都可以同时产生3路互补带死区时间的PWM......
永磁同步电机控制系统仿真—逆变器的死区补偿(2024-08-22)
永磁同步电机控制系统仿真—逆变器的死区补偿;01 死区效应的产生
死区效应，准确说应该叫逆变器的非线性特性，由两部分构成：
死区时间；
功率器件的导通压降；
其会导致逆变器输出电压与PWM指令......
【技术文章】高效控制：类比半导体DR7808在新能源汽车中的应用(2024-07-26)
动的稳定与安全
2.3.1 上下管死区控制与保护优化
在H桥功率驱动应用中，上下管的死区控制是确保系统稳定性和安全性的关键环节。传统方法依赖于MCU算法计算死区时间，采用软件方式进行控制，然而在极端条件下，这种......
具备高功率因数性能的单级 AC-DC 拓扑结构(2023-10-24)
ZCS 模式下，二次侧的D8关闭。输出电容器C4开始放电，并为负载供电。
在上述操作状态的描述中，我们没有单独分析死区时间。实际上，当两个开关都关断时，电感器 L1的电流将通过MOS体二......
具备高功率因数性能的单级AC-DC拓扑结构(2023-10-24)
。输出电容器C4开始放电，并为负载供电。
在上述操作状态的描述中，我们没有单独分析死区时间。实际上，当两个开关都关断时，电感器 L1的电流将通过MOS体二极管继续流动，并对 MOSFET 电容器放电，从而......
示波器抓不到低概率异常信号怪谁？(2022-12-26)
才能显示出调试中的异常信号？波形刷新率，即波形捕获率，指的是每秒捕获的波形次数，表示为波形每秒（wfms/s）。事实上，示波器从采集信号到屏幕上显示波形的过程由若干个捕获周期组成。一个捕获周期由采样时间和死区时间组成。采样时间......
如何增强工业电机控制性能？这有两款隔离解决方案(2023-03-24)
足够的电流驱动能力来给晶体管栅极充电和放电。
逆变器死区时间
功率晶体管有一个有限的开关时间，因此，上桥和下桥晶体管之间的脉宽调制波形中必须插入一个死区时间，如图4所示。这是为了防止两个晶体管意外同时接通，引起......
基于基本半导体的BTD21520x隔离式驱动器电机方案(2023-01-12)
输入范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。
驱动器副边实现功能绝缘，支持高达 1500VDC 的工作电压。每个驱动器可设计为两个低边驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间(DT)可调的半桥驱动器。并设计有禁用引脚，在输......
STM32CubeIDE下配置STM32F103输出带死区的互补PWM波(2024-07-25)
STM32CubeIDE下配置STM32F103输出带死区的互补PWM波;STM32F103的TIM1和TIM8是高级定时器，可以产生嵌入死区时间的互补PWM波，使用STM32CubeIDE完成......
降低运动控制应用中可闻噪声的三种出色方式(2023-04-13)
其他策略包括使用连续脉宽调制 (PWM) 的矢量磁场定向控制 (FOC) 算法，减少振动的特定控制算法，以及应用死区时间补偿和 PWM 生成来降低可闻噪声的集成控制。
图 1：开放......
什么是波形刷新率？普源示波器波形刷新率测量(2023-02-08)
触发条件将信号采集到存储器;采样后示波器的CPU单元对数据进行处理运算，在屏幕上显示之后，才能开始下一次的采样。
示波器采集波形、存储、处理波形和显示波形的过程组成了一个完整的捕获周期，每一个捕获周期包括采样时间和死区时间......
普源示波器DS70000系列数字示波器波形刷新率测量指南(2023-03-21)
波形和显示波形的过程组成了一个完整的捕获周期，每一个捕获周期包括采样时间和死区时间两个部分。
1、采样时间
完成一次触发的采集、存储时间称为采样时间。采样时间是示波器的显示采集窗口，可以用水平时基乘以屏幕水平方向格数来计算。
2、死区时间......
矽力杰集成功率级DrMOS方案(2023-02-20)
三态信号以实现不同工作模式的控制。死区时间，传播延迟和驱动边沿的调整使其可以高效安全运行。
SQ29663内部集成了8mV/℃的温度传感器，通过TMON实时报告温度，25℃下典型输出电压为800mV，TMON内部......
纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K(2023-02-05)
/6V可选 04. 传输延时典型值30ns，上下管驱动传输延时匹配低于10ns 05. 内部可调死区时间20ns~100ns 06. SW允许共模瞬变高达150V/ns 07. 独立的SGND和PGND......
纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K(2023-02-03)
电压5V/5.5V/6V可选
04. 传输延时典型值30ns，上下管驱动传输延时匹配低于10ns
05. 内部可调死区时间20ns~100ns
06. SW允许共模瞬变高达150V/ns
07. 独立......
纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K(2023-02-06 09:46)
电压5V/5.5V/6V可选04. 传输延时典型值30ns，上下管驱动传输延时匹配低于10ns05. 内部可调死区时间20ns~100ns06. SW允许共模瞬变高达150V/ns07. 独立的SGND和......
LT8418数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:02)
也可以用作升压转换器或由半桥组成的其他转换器拓扑。该评估电路可提供高达 10A 的电流，并具有良好的热管理能力。
该电路板需要外部单个或两个 PWM 信号来驱动，具体取决于配置。在单输入设置中，板上的死区时间电路用于生成补码信号并设置死区时间......
TI推出250W氮化镓IPM，比IGBT更小巧更高效(2024-06-26)
采用氮化镓技术，工程师可以实现 99%的驱动器效率，并改善系统散热，同时尺寸也可缩小55%。此外氮化镓器件实现了较低的死区时间和传播延迟，支持更高的PWM开关频率，从而减少听觉噪音和系统振动。”
早在......
纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K(2023-01-29)
电压5V/5.5V/6V可选
04. 传输延时典型值30ns，上下管驱动传输延时匹配低于10ns
05. 内部可调死区时间20ns~100ns
06......
主要讨论PWM比较器的Simulink模型(2024-08-23)
开通，“0”信号IGBT关断。控制逆变器输出的三相相电压和三相线电压如下图所示。
对于三相两电平逆变器，为了防止上下桥臂同时导通而短路，PWM比较器还需要插入死区时间。
此外，为了让电流、速度......
永磁同步电机控制系统仿真—PWM比较器的Simulink模型(2024-08-30)
器输出“1”控制IGBT开通，“0”信号IGBT关断。控制逆变器输出的三相相电压和三相线电压如下图所示。
对于三相两电平逆变器，为了防止上下桥臂同时导通而短路，PWM比较器还需要插入死区时间。
此外，为了......
半桥不对称 PWM 控制变换器(2024-11-15 11:28:50)
S2在不对称脉宽调制控制下工作时，忽略开关转换过程中的死区时间，S1、S2的工作周期分别为 D和 （1-D），它们与两开关管上的寄生二极管 VD1、VD2，寄生电容 C1、C2组成......
英飞凌推出OptiMOS 7技术的40V车规MOSFET产品系列(2023-07-03)
提高了开关速度，减少开关损耗，缩短死区时间，可以以更高的开关频率工作，从而进一步提高了系统功率变换效率及功率密度。因此该系列产品非常适合于高频开关应用场合的功率变换器和电机驱动。
开关......
基于安森美半导体有源钳位的NCP1568搭配GaN的65W PD电源适配器(2022-12-21)
技术优势
控制ZVS的频率会随着输出电压的改变而改变，可根据输出条件自动调节死区时间，峰值电流控制模式
DCM & 轻载
· 可通过外部电阻设置进入DCM阈值
· 最小工作频率是31KHz......
在使用示波器时，为什么有些波形感觉一直在晃(2023-03-06)
在使用示波器时，为什么有些波形感觉一直在晃;
我们可以从三个角度进行分析：
采样分析：
1、示波器采样信号的过程如上图：采样——处理——采样——处理。
2、处理时间也称死区时间，死区时间......
关于示波器的20个常见问题(2023-05-31)
两次拍摄之间还是会漏掉一些波形，我们为了看到更接近真实的波形，就要求一秒钟内拍摄更多的照片，这样才会更有可能看到百万分之一概率的异常信号。
原理化：示波器从采集信号到屏幕上显示出信号波形的过程，是由若干个捕获周期组成的。一个捕获周期包括采样时间和死区时间......
直流有刷电机驱动设计与分析(2023-03-21)
是使用MOS管搭建的H桥电路，使用两个EG2104驱动四个MOS管。
EG2104S主要功能有逻辑信号输入处理、死区时间控制、电平转换功能、悬浮自举电源结构和上下桥图腾柱式输出。 逻辑......
基于PMSM模型的电动汽车动力系统仿真方案简介(2024-01-02)
主要是基于占空比，占空比是通过基于直流母线电压的电压合成的比例。
计算占空比时也包括用户指定的死区时间。死区时间是为了避免同时导通时，逆变器短路而定义的两个互补的IGBT同时......
如何为直流超快充电桩设计选择合适的拓扑结构(2024-04-26)
样适⽤于⾼于或低于谐振频率。开关S2和S3以50%的占空⽐运⾏，并有死区时间。外部开关S1与S2同时导通，但较早关闭以提供另一个死区时间。相对于S3，此模式适⽤于S4。因此，S1和S4以略低于50%的占......
6.6 kW车载电动汽车充电器设计(2024-09-03)
保护（OTP）
•初级侧开关的可编程死区时间，次级侧同步整流器
•VDD欠压锁定（UVLO）
•宽工作温度范围-40°C至+125°C
•汽车认证
►场景应用图
►展示板照片
►方案......
挑选示波器时要注意的几个重要参数(2023-03-08)
才能保证从信号采样中恢复原始信号。
最高波形捕获率：指的是示波器在单位时间(每秒)内捕获到的波形数量，示波器屏幕显示出的一个波形到显示出下一个波形中间的时间称为死区时间，所以示波器最大波形捕获率越高，每秒捕获到波形所占用时间......
EPC与ADI携手推出基于GaN FET的最高功率密度DC/DC转换器(2022-03-16)
成了一个半桥驱动器和智能自举二极管。经过优化的死区时间或可编程死区时间接近零，开关频率最高可达3 MHz。5 uA的静态电流（VIN = 48 V、VOUT = 5 V、仅CH1）可实......
EPC与ADI携手推出基于GaN FET的最高功率密度DC/DC转换器(2022-03-16)
成了一个半桥驱动器和智能自举二极管。经过优化的死区时间或可编程死区时间接近零，开关频率最高可达3 MHz。5 uA的静态电流（VIN = 48 V、VOUT = 5 V、仅CH1）可实......
EPC与ADI携手推出基于GaN FET的最高功率密度DC/DC转换器(2022-03-16)
成了一个半桥驱动器和智能自举二极管。经过优化的死区时间或可编程死区时间接近零，开关频率最高可达3 MHz。5 uA的静态电流（VIN = 48 V、VOUT = 5 V、仅CH1）可实......
EPC GaN FET配以ADI控制器可实现最高功率密度稳压DC/DC转换器(2023-05-13)
成了一个半桥驱动器和智能自举二极管。经过优化的死区时间或可编程死区时间接近零，以及可编程开关频率可高达3 MHz。 5 uA 的静态电流（VIN = 48 V、VOUT = 5 V、仅限CH1）可实......
相关企业
;祥和电动车商行;;请问电动车太阳能充电器寿命是多长?48伏的要多少钱?如果电池没电了多长时间可以充满电? 请速回电
;佛山市禅城区时代创兴天线厂;;佛山市禅城区时代创兴天线厂 位于广东 佛山市，主营 移动通讯基站板状天线、背射天线、角型天线、内覆盖天线等、天线配件 等。公司秉承“顾客至上，锐意进取”的经
;侯立铁;;本公司主要生产销售中间继电器，时间继电器，小型信号继电器，大功率电磁继电器，信号灯，按钮，光电接近开关等，国内外的知名品牌品种齐全，郑重承诺：为了打开知名度和迅速的扩展市场，是经
;江苏正启电气有限公司总部;;本公司主要生产销售中间继电器，时间继电器，小型信号继电器，大功率继电器，固态继电器， 信号灯，按钮开关，光电接近开关，编码器等，国内外的知名品牌品种齐全，郑重承诺：为了
;其他继电器 刘科;;本公司主要生产销售中间继电器，时间继电器，小型信号继电器，大功率继电器，固态继电器， 信号灯，按钮开关，光电接近开关，编码器等，国内外的知名品牌品种齐全，郑重承诺：为了
;继电器 刘科;;本公司主要生产销售中间继电器，时间继电器，小型信号继电器，大功率继电器，固态继电器， 信号灯，按钮开关，光电接近开关，编码器等，国内外的知名品牌品种齐全，郑重承诺：为了
、更好、更实惠”的经营风格。 led电源质量区分技能： A： 关健元器件如二三极管 MOS管 IC 是否正规厂商生产LOGO丝印是否清晰。 B：生产工艺和产品质量管控是否有想应的体现。 C：核心
惠”的经营风格。 led电源质量区分技能： A： 关健元器件如二三极管 MOS管 IC 是否正规厂商生产LOGO丝印是否清晰。 B：生产工艺和产品质量管控是否有想应的体现。 C：核心
;惠州市时达数控车床加工;;惠州市惠城区时达数控加工厂，成立于1999年，位于广东省惠州市惠环镇,占地500多平方米。是集新技术开发、研究制造和经营为一体的专业化企业。有多台CNC电脑车床，自动
代理品牌有ST、ON、Fairchild、IR、Infineon、华微、Vishay等。 我们承诺：莱顶电子在准确的时间、准确的地点、以合适的价格为客户提供合适的产品与技术。