特性
- 用于 GaN FET 的半桥栅极驱动器
- 顶部栅极驱动器的 0.6Ω 上拉电阻
- 底部栅极驱动器的 0.2Ω 下拉电阻
- 4A 峰值源、8A 峰值灌电流能力
- 智能集成引导开关
- 用于调节开/关强度的分流栅极驱动器
- 所有驱动器输入和输出的默认低状态
- INT 和 INB 输入的最大额定电压为 15V
- 独立 INT、INB 输入,兼容 TTL 逻辑
- 快速传播延迟:10ns(典型值)
- 传播延迟匹配:1.5ns(典型值)
- 平衡驱动器电源电压:V BST ≈ V CC = 3.85V – 5.5V
- 欠压和过压锁定保护
- 小型 12 焊球 WLCSP 封装
LT8418 是一款 100V 半桥 GaN 驱动器,集成了顶部和底部驱动器级、驱动器逻辑控制和保护。它可以配置为同步半桥、全桥拓扑或降压、升压和降压-升压拓扑。LT8418 通过 0.6Ω 上拉电阻和 0.2Ω 下拉电阻提供强大的拉电流/灌电流能力。它还集成了智能集成引导开关,可从具有最小电压差的 V CC 生成平衡引导电压。
LT8418 提供分离栅极驱动器来调整 GaN FET 的开启和关闭压摆率,从而抑制振荡和优化 EMI 性能。所有驱动器输入和输出均具有默认低状态,以防止 GaN FET 误开启。LT8418、INT 和 INB 的输入是独立的,并且与 TTL 逻辑兼容。同时,LT8418 具有 10ns 的快速传播延迟,并在顶部和底部通道之间保持 1.5ns 的出色延迟匹配,使其适用于高频 DC-DC 转换器、电机驱动器和 D 类音频放大器。此外,LT8418 采用 WLCSP 封装,可最大限度地降低寄生电感,使其能够广泛用于高性能和高功率密度应用。
应用
解决方案设计及宣传手册 1
非常见问题 1
模拟对话 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的 质量和可靠性计划和认证 以了解更多信息。
产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号,脚注和 3D模型 |
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LT8418ACBZ-R7 | CHIPS W/SOLDER BUMPS/WLCSP |
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评估套件 2
EVAL-LT8418-AZ
100V Half-Bridge GaN Driver with Smart Integrated Bootstrap Switch
EVAL-LT8418-BZ
具有智能集成引导开关的 100V 半桥 GaN 驱动器