资讯
中韩科研人员在新型半导体材料和器件领域取得重大突破(2024-04-11)
研究首创高迁移率稳定的非晶P型(空穴)半导体器件，突破该领域二十余年的研究瓶颈。这一突破将进一步推动现代信息电子学和大规模互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的发展。
相比于多晶半导体，非晶体系具有诸多优势，如低......
国内首条6英寸氧化镓单晶及外延片生长线开工！(2024-09-14)
门槛后才能进入产业化快车道。现阶段，富加镓业已经实现了6英寸导电型及绝缘型氧化镓单晶衬底的制备，单晶外延技术也取得重要进展，已达到6英寸硅基器件线产业化门槛。
据集邦化合物半导体了解，包括富加镓业在内的国内厂商和研究机构正在加速布局氧化......
中科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展(2022-05-27)
镓同质PN结作为极其重要的基础器件暂时难以实现，导致氧化镓二极管器件缺乏采用同质PN结抑制阳极边缘峰值电场（例如场环、结终端扩展等）。为此，采用其他合适的P型氧化物材料与氧化镓形成异质结是一种可行解决方案。P......
第四代半导体氧化镓蓄势待发！(2024-08-26)
应用领域的高压耐受性能。
本次研究利用磷离子布植和快速热退火技术实现了第四代半导体P型氧化镓的制造，并在其上重新生长N型和 N+型Ga2O3，形成了PN Ga2O3 二极体，结果展示出优异的电性表现，这一......
基础知识之图像传感器(2024-03-12)
CCD图像传感器中，像素由p 掺杂 金属氧化物半导体(MOS)电容器表示。这些MOS 电容器是 CCD 的基本构建模块，在图像采集开始时偏置高于反转阈值，从而允许在半导体-氧化物......
集成高 k 钙钛矿氧化物和二维半导体的新型晶体管(2023-01-04)
集成高 k 钙钛矿氧化物和二维半导体的新型晶体管;
二维(2D)半导体，如二硫化钼和黑磷，可以与硅技术竞争，因为它们的原子级厚度，优异的物理性能，并与经典的互补金属氧化物半导体(CMOS)技术......
Intel制程和封装4大突破：封装吞吐量提升100倍(2024-12-09)
在CFET(互补场效应晶体管)之外进一步加速GAA技术创新，Intel代工展示了在2D GAA NMOS(N 型金属氧化物半导体)和PMOS(P
型金属氧化物半导体)晶体......
延续摩尔定律，新型半导体研发实现新突破(2022-06-07)
实现几乎无限的材料组合。
研究人员表示，他们创造的晶体管可用于制造高性能和低功耗互补金属氧化物半导体逆变器电路。未来，他们的设备可以大规模制造，用于开发低功耗的逻辑电路和微芯片。
值得一提的是，除了......
什么叫IGBT? IGBT的结构、工作原理与应用领域有哪些？(2025-01-14 07:05:07)
IGBT是一种结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和双极型晶体管（BJT）特性的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件。它继承了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降两方面的优点，具有......
北京大学研究团队在氧化物半导体器件方向取得系列重要进展(2023-02-21)
北京大学研究团队在氧化物半导体器件方向取得系列重要进展;单片三维集成是集成电路在后摩尔时代的重要发展方向，存储与逻辑的单片集成可以大幅提升系统的带宽与能效，是解决当前集成电路领域面临的“存储墙”与......
走出科幻的透明电子器件，未来发展轨迹晶莹剔透(2023-01-10)
这种能力使硅技术如此成功。将这两种传输方式结合起来，就可以构建低能耗运行的功能性智能电路。”
他认为，透明氧化物半导体缺乏良好的p型（空穴传输半导体）传输层。而结......
国内6英寸铸造法氧化镓单晶研制获得成功(2024-03-21)
国内6英寸铸造法氧化镓单晶研制获得成功;3月20日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）宣布，公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用......
镓仁半导体新突破：6英寸铸造法氧化镓单晶产业化(2024-03-25 14:52)
镓仁半导体新突破：6英寸铸造法氧化镓单晶产业化;今年2月，杭州镓仁半导体有限公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用自主开创的铸造法成功制备了高质量6......
第四代半导体氧化镓，被忽略的商机(2023-07-31)
近年开始供应客户晶圆，使得日本在第三代化合物半导体竞赛中再度拔得头筹。
值得注意的是，日本田村于2019年实现4英寸氧化镓的批量产业化，同年该公司还突破了6英寸氧化镓材料技术。目前的产业进度已有6英寸导模法衬底+6英寸......
负债超5亿元，又一国家级高新技术企业破产！(2024-12-19)
碳化硅单晶片、6英寸碳化硅单晶片、碳化硅和氮化镓外延片、碳化硅功率器件肖特基二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管、碳化硅功率模块、氮化镓功率器件。
在资产负债方面，截至2024年9月，世纪......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品(2023-09-04)
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品;
【导读】MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源(Source)、漏(Drain)和栅(Gate)三个......
铠侠宣布用于氧化物半导体的DRAM内存的OCTRAM技术(2024-12-30 10:00)
铠侠宣布用于氧化物半导体的DRAM内存的OCTRAM技术;从服务器到个人电脑，再到带独立缓存的固态硬盘，高效的易失性存储DRAM内存都是不可或缺的重要加速方案之一。铠侠在近日宣布，已开......
镓仁半导体成功研制氧化镓超薄6英寸衬底(2024-09-13)
镓仁半导体成功研制氧化镓超薄6英寸衬底;9月11日，杭州镓仁半导体有限公司（下文简称“镓仁半导体”）宣布，公司今年8月在氧化镓衬底加工技术上取得突破性进展，成功研制超薄6英寸衬底，衬底厚度小于200......
国家监管总局反垄断局公示SK海力士收购启方半导体股权案(2022-04-19)
的相关业务包括：（1）存储器半导体，例如动态随机存取存储器、NAND闪存；（2）存储解决方案，例如固态硬盘;以及（3）系统半导体，例如互补式金属氧化物半导体图像传感器。
△Source：反垄......
如何用万用表测试MOSFET(2024-04-03)
如何用万用表测试MOSFET;介绍：
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）晶体管是一种广泛用于电子设备中开关和放大电子信号的半导体器件。
MOSFET 是一种四端子器件，具有......
晶盛机电：1000kg级蓝宝石成功问世(2024-05-16)
继2020年晶盛机电创下750kg级晶体世界纪录后的再突破，并且在此之前已先后3次刷新自己创造的纪录。
资料显示，晶环电子主要业务为蓝宝石晶棒生产和加工，其生产的产品蓝宝石晶体（α-Al2O3）是一种简单配位型氧化物......
英特尔IEDM 2024技术突破：超快速芯片间封装、业界首创晶体管、减成法钌互连(2024-12-25)
场效应晶体管）之外进一步加速GAA技术创新，英特尔代工展示了其在2D GAA NMOS（N型金属氧化物半导体）和PMOS（P型金属氧化物半导体）晶体管制造方面的研究，侧重于栅氧化层模块的研发，将晶......
【对话前沿专家】基于铁电晶体管科研，共探集成电路的创新之路(2024-09-13)
电荷连续性方程的计算，我们可以发现，该界面处的电场强度远高于传统金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的界面电场。在FeFET中，这种效应会被进一步放大，因此，要解决这一问题，需要......
事关存储器，华为公布新专利(2024-04-11)
存储器。只要处于上电状态，SRAM中写入的信息就不会消失，不需要刷新电路。传统的硅(Si)基SRAM包括6个金属氧化物半导体场效应品体管。
在计......
Kioxia 将于 IEDM 2024 揭晓新兴存储器技术(2024-10-24 10:46)
存储器而定制的尖端技术： (1) 一种利用氧化物半导体的新型 DRAM，重点是降低功耗，(2) 适用于更大容量 SCM 应用的 MRAM，以及 (3) 具有......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-25 09:55)
长出一个多层TMDC结构。资料来源：东京都立大学
场效应晶体管（FET）是几乎所有数字电路的一个重要组成部分。它们根据跨接的电压来控制电流的通过。虽然金属氧化物半导体场效应晶体管（或称MOSFET）构成......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-23)
长出一个多层TMDC结构。资料来源：东京都立大学
场效应晶体管（FET）是几乎所有数字电路的一个重要组成部分。它们根据跨接的电压来控制电流的通过。虽然金属氧化物半导体场效应晶体管（或称MOSFET）构成......
新能源汽车解析丨什么是IGBT？结构与拆解(2023-10-08)
方便、散热稳定等特点。它是能量转换和传输的核心装置。简单概括一下，IGBT可以说是MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和BJT的结合体（双极结型晶体管）。即它结合了MOSFET的栅压控制晶体管（高输......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管(2023-02-28)
传统的Si等半导体材料逐步接近物理极限，氧化镓作为新一代功率半导体材料，其禁带宽带大、击穿场强高，有望在未来功率器件领域发挥重要的作用。
另外，氧化镓半导体材料能够采用熔体法生长，未来......
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争(2023-01-09)
由于功率集成的重要性日益突出，横向肖特基二极管也应受到关注。
对于p型掺杂，氧化物半导体通常很难同时实现实用的P型和N型，例如氧化镍通常是P型的，而氧化镓里P型则很难实现。因此可以考虑发展异质PN结来......
Kioxia 将于 IEDM 2024 揭晓新兴存储器技术(2024-10-23)
将揭晓针对这三种半导体存储器而定制的尖端技术： (1) 一种利用氧化物半导体的新型 DRAM，重点是降低功耗，(2) 适用于更大容量 SCM 应用的 MRAM，以及 (3) 具有......
【对话前沿专家】基于铁电晶体管科研，共探集成电路的创新之路(2024-09-11)
电荷连续性方程的计算，我们可以发现，该界面处的电场强度远高于传统金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的界面电场。在FeFET中，这种效应会被进一步放大，因此，要解决这一问题，需要......
【对话前沿专家】基于铁电晶体管科研，共探集成电路的创新之路(2024-09-12 09:20)
可以发现，该界面处的电场强度远高于传统金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的界面电场。在FeFET中，这种效应会被进一步放大，因此，要解决这一问题，需要从多个角度进行全面的考量，包括......
广东省2022年重点建设项目出炉，中芯国际、粤芯等项目在列(2022-03-23)
面和折叠屏模组生产线，规划产能约5223万片显示模组/年。
广州华星第8.6代氧化物半导体新型显示器件生产线项目，总投资350亿元，建筑面积99万平方米，建设第8.6代氧化物半导体......
英特尔展示下一代晶体管微缩技术突破，将用于未来制程节点(2023-12-10)
尔将展示高迁移率（high-mobility）的过渡金属二硫属化物晶体管原型，用于NMOS（n型金属氧化物半导体）和PMOS（p型金属氧化物半导体）这两大CMOS关键组件。此外，英特......
英特尔在IEDM 2023上展示3D堆叠、背面供电、背面触点研究成果(2023-12-10)
材料让晶体管物理栅极长度有机会微缩到10纳米以下。在IEDM 2023上，英特尔将展示高迁移率（high-mobility）的过渡金属二硫属化物晶体管原型，用于NMOS（n型金属氧化物半导体）和PMOS（p型金属氧化物半导体......
英特尔在IEDM 2023上展示3D堆叠、背面供电、背面触点研究成果(2023-12-11 11:28)
尔将展示高迁移率（high-mobility）的过渡金属二硫属化物晶体管原型，用于NMOS（n型金属氧化物半导体）和PMOS（p型金属氧化物半导体）这两大CMOS关键组件。此外，英特......
下一代半导体：一路向宽，一路向窄(2021-09-28)
下一代半导体：一路向宽，一路向窄;随着以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体步入产业化阶段，对新一代半导体材料的探讨已经进入大众视野。走向产业化的锑化物，以及国内外高度关注的氧化镓、金刚石、氮化......
2024年度中国第三代半导体技术十大进展揭晓(2024-11-22 17:57)
中缺陷相关的声子模式分辨，并为氮化物半导体器件的热管理技术发展提供了新的思路。相关成果发表在《Nature Communications》上。
（六）千伏级氧化镓垂直槽栅晶体管
中国科学技术大学团队针对氧化......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
：三端双向可控硅。
Thyristor：半导体闸流管。
LDMOS（Lateral Diffused）：横向扩散金属氧化物半导体，是高频大功率器件。LDMOS初期主要面向移动电话基站的RF功率......
Microsemi扩展高频率垂直扩散金属氧化物半导体MOSFET产品系列(2013-09-16)
Microsemi扩展高频率垂直扩散金属氧化物半导体MOSFET产品系列;Microsemi宣布扩展高频率垂直扩散金属氧化物半导体(VDMOS) MOSFET产品系列，两款更大功率、更高电压(V......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
NMOS和PMOS详解;一、简介本文引用地址：MOS管，是的缩写。金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect......
AMETEK氧化锆氧分析仪的工作原理和常见故障有哪些(2023-05-23)
易于维护和保养是十分重要的。
3、氧化锆测氧原理
电解质溶液靠离子导电，具有离子导电性质的固体物质称为固体电解质。固体电解质是离子晶体结构，靠空穴使离子运动而导电，与P型半导体靠空穴导电的机理相似。
纯氧化......
SK启方半导体推出HVIC工艺技术，扩大高压代工服务组合(2024-10-25 08:55)
扩大和增强了高压代工服务组合。SK启方半导体的HVIC工艺特点在于，它可以在一个工艺中实现5V逻辑、25V高压器件、650V+ nLDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）以及650V以上自举二极管，这使......
SK启方半导体推出HVIC工艺技术，扩大高压代工服务组合(2024-10-24)
扩大和增强了高压代工服务组合。
SK启方半导体的HVIC工艺特点在于，它可以在一个工艺中实现5V逻辑、25V高压器件、650V+ nLDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）以及650V以上自举二极管，这使......
2024年度复旦大学“十大科技进展”揭榜，半导体领域成果亮眼(2025-01-08 14:03:24)
了该路线的核心原材料“半导体性光刻胶”，制造出全球首款特大规模集成度聚合物半导体......
鸿海布局第四代化合物半导体(2024-08-29)
鸿海布局第四代化合物半导体;近日，鸿海 研究院半导体所，携手阳明交大电子所，双方研究团队在第四代化合物半导体的关键技术上取得重大突破，提高了第四代半导体氧化镓 (Ga2O3) 在高压、高温......
国产“芯”，遍地开花(2024-12-04)
挖掘优质项目并加大布局力度。
镓仁半导体实现直拉法2英寸N型氧化镓单晶生长
11月29日，镓仁半导体官微宣布，公司于2024年10月在氧化镓晶体的直拉法生长与电学性能调控方面实现技术突破，成功生长出2英寸N型氧化......
闪存大厂铠侠即将发布三大创新研究成果(2024-10-24)
解，此次发布包括三大创新技术，分别是氧化物半导体通道晶体管DRAM（OCTRAM）、高容量交叉点MRAM（磁阻随机存取存储器）技术、具有水平单元堆叠结构的下一代3D存储技术。
氧化物半导体......
历经9年力积电今日重返上市(2021-12-06)
的产能，已经全部被客户包走了，显示半导体景气的成长趋势，主要是汽车电子的需求量非常的大。
此前黄崇仁曾指出，力积电有三大策略方向，首先是第四代氧化物半导体IGZO（氧化铟镓锌），第二是逻辑、内存......
相关企业
―36DPTDK―500DPT河北防雷公司河北防雷产品石家庄防雷公司河北防雷工程石家庄防雷工程防雷工程河北防雷公司有哪些石家庄防雷公司有哪些
定性和低衰减性能，获得了广泛的应用和好评，并已成功进入台湾、韩国和欧美市场。 中村宇极的氮氧化物荧光粉多次获得国家权威技术部门的认可。半导体照明用氮氧化物黄色荧光粉在2010年“南海杯”国家半导体
;上海博照半导体有限公司-;;上海博照半导体有限公司
;匹克半导体有限公司;;匹克半导体有限公司成立于2007年，本公司宗旨就是致力于发展中的中国半导体行业。本公司的主要任务是从西方引进半导体工艺设备和技术，并提供优质的售后服务。 匹克半导体有限公司采用了西方的客
;结型场效应管 深圳市易信半导体有限公司;;深圳市易信半导体有限公司，是一家
;深圳世灏半导体有限公司;;深圳世灏半导体有限公司是SEMIWILL公司产品线代理，全面覆盖单向可控硅、双向可控硅、MOS管、场效应管、半导体放电管等产品线，深圳世灏半导体有限公司的诚信、实力
;东莞伟华半导体有限公司;;东莞伟华半导体有限公司隶属香港上市公司台和集团
;乐清市台基电力半导体有限公司;;乐清台基电力半导体有限公司是可控硅、晶闸管、模块、散热器、硅整流、整流桥、软启动等产品专业生产加工的股份有限公司,公司总部设在温州乐清柳市兴象路133号,乐清台基电力半导体有
;杭州尚途半导体有限公司;;杭州尚途半导体有限公司是电子原器件、集成电路芯片、电子材料、自动控制设备及模块、通讯设备、电子材料、IC等产品专业生产加工的有限责任公司,公司
;深圳市金誉半导体有限公司;;深圳市金誉半导体有限公司――是深圳市金誉半导体集团的全资核心子公司，是中国主要的专业从事半导体分立器件研发、生产、销售和技术支持的制造商。