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研发客服从服务器到个人电脑，再到带独立缓存的固态硬盘，高效的易失性存储DRAM内存都是不可或缺的重要加速方案之一。铠侠在近日宣布，已开发出OCTRAM（OCTRAM：Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM，氧化物半导体晶体管 DRAM）技术，这是一种新型4F² DRAM，由兼具高导通电流和超低漏电流的氧化物半导体晶体管组成。该技术采用InGaZnO（铟镓锌氧化物）(1)晶体管，可将漏电率降低到极低水平，从而降低DRAM功耗。
该技术已于2024年12月9日在美国旧金山举行的IEEE国际电子元件会议 (IEDM) 上首次发布，由南亚科技和铠侠联合开发。该技术有望降低各种应用的功耗，例如人工智能、后5G通信系统和物联网产品。同时也适用于内存级存储（SCM）技术，以及适配高密度和高性能的新型3D NAND FLASH。
OCTRAM采用圆柱形InGaZnO垂直晶体管（图1）作为单元晶体管。这种设计能够适配4F² DRAM，与传统的硅基6F² DRAM相比，4F² DRAM在存储密度方面具有显著优势。
通过器件和工艺优化，InGaZnO垂直晶体管实现了超过15μA/单元（1.5 x 10-5 A/单元）的高导通电流和低于1aA/单元（1.0 x 10-18 A/单元）的超低漏电流（图2）。
在OCTRAM结构中，InGaZnO垂直晶体管集成在高纵横比电容器的顶部（电容器优先工艺）。在电容器顶部安装晶体管，成功地将先进的电容器技术与 InGaZnO 晶体管技术结合起来。(图 3）
伴随着对先进技术的尝试，铠侠成功找到了通过氧化物半导体晶体管实现DRAM内存产品的可能性，为将来更为丰富的存储产品方案奠定了很好的基础。
图1：InGaZnO垂直晶体管的横截面透射电镜图
图2：InGaZnO晶体管的(a)导通和(b)漏电流特性
图3：OCTRAM概览图
1. InGaZnO is a compound of In(indium), Ga(gallium), Zn(zinc), and O(oxygen)
InGaZnO是一种由In（铟）、Ga（镓）、Zn（锌）和O（氧）组成的化合物
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