资讯
3.3V和1.8V电平转换——电平转换芯片(2024-11-21 14:19:56)
要方向控制信号
。每个TVC器件包含一个N沟道导通晶体管阵列，它们的门在内部连接在一起。
在转换应用中，将连接其中一个 FET 作为参考晶体管，其他晶体管导通晶体管......
MOSFET开关损耗简介(2024-04-30)
MOSFET开关损耗简介;本文将通过解释功耗的重要来源来帮助您优化开关模式调节器和驱动器电路。本文引用地址：的工作可以分为两种基本模式：线性和开关。在线性模式中，晶体管......
采用EPC新型车规级GaN FET设计更高分辨率激光雷达系统(2023-02-07)
认证的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）EPC2252，为设计人员提供比硅 MOSFET 更小和更高效的解决方案，用于车规级激光雷达、48 V/12 V DC/DC转换和低电感电机驱动器。
作为......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
传感器基于MOSFET或金属氧化物半导体FET，这是一个带有绝缘栅极的三端或四端FET。
图3显示了一个n沟道MOSFET或nMOS晶体管，具有四个端子：栅极、漏极、源极和体极（块体）。源极......
采用EPC新型车规级GaN FET设计更高分辨率激光雷达系统(2023-02-07 11:58)
采用EPC新型车规级GaN FET设计更高分辨率激光雷达系统;以实现更先进的自主式系统EPC推出 80 V、通过AEC-Q101 认证的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）EPC2252，为设......
采用EPC新型车规级GaN FET设计更高分辨率激光雷达系统 以实现更先进的自主式系统(2023-02-07)
采用EPC新型车规级GaN FET设计更高分辨率激光雷达系统 以实现更先进的自主式系统;EPC推出 80 V、通过AEC-Q101 认证的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）EPC2252，为设......
还在为用氮化镓设计高压电源犯难？试试这两个器件(2023-03-29)
转换效率和功率密度是设计成功的关键。本文引用地址：
为了满足这些要求，开关模式电源系统的设计者需要从使用传统的硅 (Si) 基金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 转为使用其它器件，因为......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板(2021-05-14)
大大减少铝片所散出的热量，从而进一步节省系统成本。
宜普电源转换公司的首席执行官Alex Lidow说："氮化镓场效应晶体管eGaN® FET具备开关快速、尺寸小和效率高等优势，从而......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板(2021-05-14)
大大减少铝片所散出的热量，从而进一步节省系统成本。
宜普电源转换公司的首席执行官Alex Lidow说："氮化镓场效应晶体管eGaN® FET具备开关快速、尺寸小和效率高等优势，从而......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板(2021-05-14)
大大减少铝片所散出的热量，从而进一步节省系统成本。
宜普电源转换公司的首席执行官Alex Lidow说："氮化镓场效应晶体管eGaN® FET具备开关快速、尺寸小和效率高等优势，从而......
EPC推出80V、通过AEC-Q101认证的氮化镓场效应晶体管(2023-02-07)
EPC推出80V、通过AEC-Q101认证的氮化镓场效应晶体管;
【导读】EPC推出 80 V、通过AEC-Q101 认证的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）EPC2252，为设......
无刷直流电机的电流换向电路 无刷直流电机的三相全桥驱动电路(2023-03-20)
直流电机之所以既只用直流电，又不用电刷，是因为外部有个电路来专门控制它各线圈的通电。这个电流换向电路最主要的部件是FET(场效应晶体管，Field-EffectTransitor)。可以把FET看作......
请问一下IGBT是如何实现电路控制的？(2024-06-14)
（MOSFET）的高电流单栅控制特性及双极性晶体管的低饱和电压的能力，在单一的IGBT器件里，会透过把一个隔离的场效应晶体管（FET）结合，作为其控制输入，并以双极性晶体管......
NXP为采埃孚下一代SiC MOSFET提供驱动(2024-06-25)
了比硅更快的开关速度、更低的传导损耗和更好的热性能。
每个 IGBT 和 MOSFET 的前端都有一个充当电容器的栅极。必须充满电才能“打开”功率晶体管，从而允许电流在漏极和源极之间流动。相反，耗尽......
基于FET的100W音频放大器电路图(2024-04-19)
基于FET的100W音频放大器电路图;该 100W 音频放大器设计采用两个 V-MOSFET 晶体管技术作为输出级，可在 4 Ω 负载下提供 100W 输出。重要的是，通过添加散热器或风扇等方式使输出级的晶体管......
Nexperia建立新的特定型应用FET类别以优化性能(2020-10-22)
品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付900......
EPC新推80 V和200 V eGaN®FET,进一步扩大其高性能氮化镓产品阵容(2021-06-18)
EPC新推80 V和200 V eGaN®FET,进一步扩大其高性能氮化镓产品阵容;宜普电源转换公司（EPC）是增强型硅基氮化镓 (eGaN) 功率 晶体管和集成电路的全球领导者。新推......
Nexperia的新型双极结晶体管采用DPAK封装，为汽车和工业应用提供高可靠性(2021-07-29)
有符合行业标准的管脚尺寸。双极性晶体管应用广泛，如LED汽车照明系统；LCD显示器中的背光灯调光；线性稳压器；继电器替代产品、电机驱动和 MOSFET 驱动器。
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Nexperia的产......
更小、更快、更节能，半导体芯片迎大突破(2023-07-17)
计算应用上的运行速度就越快。电阻越低，存储器的访问速度越快。
他们还称，MoS2和AlScN的结合是晶体管技术的真正突破。由于要使器件小型化，其他研究团队的FE-FET一直受到铁电特性损失的阻碍。在这......
学子专区—ADALM2000实验：有源整流器(2023-05-12)
基二极管同样有一个内置的固定正向电压。利用FET较低的传导损耗，与输入交流波形同步地主动开关MOSFET器件以模仿二极管，可以实现更高的效率。有源整流常被称为同步整流，是指......
Nexperia发布P沟道MOSFET，采用节省空间的坚固LFPAK56封装(2020-05-08)
半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻......
Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFET(2022-07-06)
-MOSFETs
关于Nexperia
Nexperia，作为生产大批量基础半导体二极管件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET......
半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC......
选择合适的集成度来满足电机设计要求(2023-06-13)
电机状态的反馈，并发送信号来调节电机的扭矩、位置和速度。栅极驱动器将来自 MCU 的信号放大，以驱动电机的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。
图 1：基本电机控制方框图
您可以使用 BJT......
Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%(2020-04-23)
关于Nexperia
Nexperia，作为半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管......
Nexperia发布具备市场领先效率的晶圆级12和30V MOSFET(2022-07-27)
生产大批量基础半导体二极管件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia......
生产大批量基础半导体器件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC......
正确选择MOSFET以优化电源效率(2023-03-27)
下找到电路中的最小损耗点。设计人员在选择 MOSFET 比率时必须牢记这些规范。
图 8：最佳效率的比较
结语 MOSFET 的选择与电路效率密切相关，而精确的数学模型可以简化 MOSFET 晶体管......
基础知识之晶体管(2024-03-21)
。
FET
Field Effect Transistor的简称，是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型FET以及GaAs型。
接合型FET多用于音频设备等的模拟电路中，MOS型FET主要......
Nexperia首次推出 用于48 V汽车和其他更高电压总线电路的80 V RET(2021-01-12)
器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付900多亿件产品，产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面......
车规级氮化镓ToF可在28A并具1.2ns脉宽的脉冲电流驱动激光(2020-01-14)
测物件的速度及准确性非常重要。EPC9144演示板展示出通过AECQ101认证的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管具备快速转换性能，与等效MOSFET相比，EPC2216的功率脉冲可以快速10倍的......
扩产！安世半导体新8英寸晶圆生产线启动(2021-06-24)
（安世半导体）是闻泰科技的子公司，分立式器件、逻辑器件与MOSFET器件的专业制造商，其生产的产品包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 以及......
Nexperia推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合(2022-05-12)
品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年......
品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部......
Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能(2024-01-30)
宣布一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品；在紧凑型 D2PAK-7L 封装中实现业界卓越的 9mΩ 导通电阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作为 Qorvo 全新......
Qorvo 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能(2024-01-30 14:48)
Qorvo 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能;全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®今日宣布一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET......
Nexperia将于2021年9月21日-23日举办“Power Live”(2021-08-30)
丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付1000多亿件产品，产品......
新增SiC和IGBT模型,罗姆官网可提供超过3,500种LTspice模型(2023-10-12)
物－半导体场效应晶体管，是FET中最常用的结构。
*4) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）
同时具有MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低导通损耗特性的功率晶体管......
新增SiC和IGBT模型，罗姆官网可提供超过3,500种LTspice®模型(2023-10-12)
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*3) MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）
金属－氧化物－半导体场效应晶体管，是FET中最......
Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计(2024-01-30)
宣布一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品；在紧凑型 D2PAK-7L 封装中实现业界卓越的 9mΩ 导通电阻 RDS(on)。此款 750V 作为 全新引脚兼容 系列......
发展及市场营销高级副总裁 Philip Zuk 表示：“Transphorm 将继续拓展产品线，向市场推出多样化的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。无论客户有什么样的设计需求，Transphorm都能......
安世半导体与电子器件供应商合作，生产车规GaN功率模块(2022-05-23)
二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。
而KYOCERA AVX公司成立于2021年4月，是由京瓷的“企业电子元件部门”和“AVX”合并......
Nexperia推出采用小型无引脚耐用型DFN封装的符合AEC-Q101的分立半导体产品组合(2020-06-24)
品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付900多亿......
如何利用 SiC 打造更好的电动车牵引逆变器(2024-07-23)
每个开关仅使用 4 个 SiC FET，则可以用较高损耗为代价实现更低的成本。这种情况如表 1 案例 5 所示，此时，损耗仍然远低于基于 IGBT 的解决方案。
该表的下半部分比较在使用 1200V 晶体管......
新增SiC和IGBT模型，罗姆官网可提供超过3,500种LTspice®模型(2023-10-12)
，是FET中最常用的结构。
*4) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）
同时具有MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低导通损耗特性的功率晶体管......
Nexperia“Power Live”在线研讨会于2020年7月2日和3日正式上线(2020-06-29)
丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付900多亿件产品，产品......
Nexperia推出用于热插拔的全新特定型应用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍(2022-11-18)
品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年......
EPC推出首款具有最低1mΩ导通电阻的GaN FET(2024-03-05)
您所需的特定工作条件，我们会推荐合适的替代方案。
宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓(eGaN®)的功率管理器件的领先供货商，氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件......
专用于混合动力汽车/电动汽车的高频稳健性汽车类GaN FET(2024-09-10)
输出电容可实现快速的漏源转换，特别是在低负载电流下。这进一步提高了GaN FET的开关效率。
无体二极管：与硅和碳化硅(SiC)MOSFET不同，GaN晶体管结构中没有体二极管，因此没有反向恢复损耗。这一......
Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势(2023-10-16)
Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势;常闭耗尽型 (D-Mode) 与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管本质优势对比之简短指南
氮化......
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日本的物流和基础设施问题导致硅供应中断，不仅会影响NAND闪存、DRAM、微控制器、标准逻辑、LCD面板和LCD元件，而且会影响分立器件等产品，如MOSFET、双极晶体管和小信号晶体管。 本文来自维库电子市场网 http
;中山集晶电子有限公司;;CST是一家集生产、销售及售后服务于一体的高新技术企业，主要产品有直插晶体管、SOT片式晶体管、三端稳压管、单双向可控硅、MOSFET。 公司产品应用遍布众多行业，遍及