EPC推出首款具有最低1mΩ导通电阻的GaN FET

发布时间:2024-03-05  

EPC推出采用紧凑型QFN封装(3 mm x 5 mm)的100 V、1 mOhm GaN FET(EPC2361),助力DC/DC转换、快充、电机驱动和太阳能 MPPT等应用实现更高的功率密度。


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全球增强型氮化镓(GaN)功率 FET 和 IC领域的领导者宜普电源转换公司(EPC)推出 100 V、1 mOhm EPC2361。这是市场上具有最低导通电阻的GaN FET,与EPC的上一代产品相比,其功率密度提高了一倍。


EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm,采用耐热QFN封装,顶部裸露,封装尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面积仅为15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的体积小超过五倍。


凭借超低导通电阻,EPC2361可在电源转换系统中实现更高的功率密度和更高的效率,从而降低能耗和散热。它为多种应用诸如高功率 PSU AC/DC同步整流、数据中心的高频 DC/DC转换、电动汽车、机器人、无人机和太阳能MPPT的电机驱动器,带来突破性的性能。


宜普电源转换公司的首席执行官兼联合创始人Alex Lidow说:“EPC的新型1 mΩ GaN FET突破了氮化镓技术的极限,助力客户创建更高效、更小和更可靠的电力电子系统。”


EPC90156 开发板是一款采用半桥EPC2361 GaN FET,专为100 V最大器件电压和xx A最大输出电流而设计,旨在简化功率系统设计人员对氮化镓器件的评估过程,以加快产品的上市时间。该板的尺寸为2”x 2”(50.8 mm x 50.8 mm),专为实现最佳开关性能而设计,而且包含所有关键组件以便于评估。


EPC2361以3000片为单位批量购买,每片价格为4.60美元。EPC90156开发板的单价为200美元。如欲订购EPC产品,您可通过EPC的授权分销合作伙伴购买。


有兴趣用GaN解决方案替换其硅MOSFET的设计人员可使用EPC GaN Power Bench的交叉参考工具,根据您所需的特定工作条件,我们会推荐合适的替代方案。


宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓(eGaN®)的功率管理器件的领先供货商,氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍,其目标应用包括直流-直流转换器、激光雷达(LiDAR)、用于电动出行、机器人和无人机的电机驱动器,以及低成本卫星等应用。此外,宜普电源转换公司继续扩大基于eGaN IC的产品系列,为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。eGaN®是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。


文章来源于:电子工程世界    原文链接
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