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Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D-3封装的热门功率BJT;满足行业对采用更现代封装的功率双极结型晶体管的需求 奈梅亨,2024年 9月2日:Nexperia今日宣布其广受欢迎的功率双极结型晶体管......
Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D-3封装的热门功率BJT; 【导读】Nexperia宣布其广受欢迎的功率双极结型晶体管(BJT)产品组合再次扩展,推出......
Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D-3封装的热门功率BJT;满足行业对采用更现代封装的功率双极结型晶体管的需求Nexperia今日宣布其广受欢迎的功率双极结型晶体管(BJT......
Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D-3封装的热门功率BJT;满足行业对采用更现代封装的功率双极结型晶体管的需求Nexperia今日宣布其广受欢迎的功率双极结型晶体管(BJT......
双极性结型晶体管的开关损耗;在SPICE仿真的帮助下,我们研究了当BJT用作开关时发生的两种类型的功耗。本文引用地址:(BJT)既可以用作小信号放大器,也可以用作开关。尽管......
须对这三者的内部结构和工作原理有大致的了解。 BJT 双极性晶体管,俗称三极管。内部结构(以PNP型BJT为例)如下图所示。 BJT内部......
请问一下IGBT是如何实现电路控制的?;绝缘栅双极晶体管(英语:Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT),是半导体器件的一种,主要用于新能源电动汽车、及电......
了解RET的开关特性;可通过基极电流开启或关闭双极结型晶体管(BJT)。但是,由于基极-发射极二极管两端的压降在很大程度上取决于温度,因而在许多应用中,需要一个串联电阻将基极电流保持在所需水平,从而......
方便、散热稳定等特点。它是能量转换和传输的核心装置。简单概括一下,IGBT可以说是MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和BJT的结合体(双极结型晶体管)。即它结合了MOSFET的栅压控制晶体管(高输......
你可以用它来打开或关闭一些东西。当然了晶体管也可以部分打开,这对于放大器的设计很有用。 1. 晶体管BJT的工作原理 让我们从经典的NPN晶体管开始。 下图是个双极结晶体管(BJT),有三......
列器件适用于可穿戴设备和智能手机中的负载开关,也可用于功率要求更高的数字电路。例如空间受限的计算、通信、工业和汽车应用。值得注意的是,DFN封装的RET采用双重空间节省方案,可加倍提高空间利用率。首先,通过将双极性晶体管(BJT)和电......
为什么使用双极性晶体管驱动功率LED;大功率灯串(例如汽车前灯中用的灯串)要求电流恒定,也就是无论环境温度和输入电压如何波动变化,电流都保持稳定。电流稳定可以确保灯串的亮度水平恒定,有助......
倍提高空间利用率。首先,通过将双极性晶体管(BJT)和电阻巧妙地集成到单一封装中,可节省大量电路板空间。此外,无引脚DFN封装本身的空间效益较高。这种......
并自行完成晶圆制造与封装测试的 IGBT 元件。目前该 IGBT 元件通过用户试用,预计今年年内实现量产。 (IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor,即绝缘栅双极型晶体管)   据悉,重庆......
收音机的电路原理图并解释其工作原理。 双极结型晶体管BJT)是该电路中的主要元件。在此设置中,通常使用 NPN 晶体管。通过充当放大器,晶体管可以增强传入的微弱射频 (RF) 信号。天线接收射频,然后通过调谐 LC......
开关、肖特基、齐纳和保护二极管、双极结晶体管(BJT)、N沟道及P沟道MOSFET、配电阻晶体管和LED驱动器。 Nexperia提供多种汽车级分立器件无引脚封装,从小尺寸DFN1006BD-2 (1......
用于功率要求更高的数字电路。例如空间受限的计算、通信、工业和汽车应用。值得注意的是,DFN封装的RET采用双重空间节省方案,可加倍提高空间利用率。首先,通过将双极性晶体管(BJT)和电阻巧妙地集成到单一封装中,可节......
的RET采用双重空间节省方案,可加倍提高空间利用率。首先,通过将双极性晶体管(BJT)和电阻巧妙地集成到单一封装中,可节省大量电路板空间。此外,无引脚DFN封装本身的空间效益较高。这种......
-Transistor Logic,即BJT-BJT逻辑门电路,是数字电子技术中常用的一种逻辑门电路,应用较早,技术已比较成熟。TTL主要有BJT(Bipolar Junction Transistor 即双极结型晶体管......
(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT双极型三极管和绝缘栅型场效应管(Metal......
车厂频频出手抢购所致。 业界分析,IGBT是一种功率开关元件,有「电力电子CPU」之誉,是由BJT双极性接面晶体管)和MOSFET(金氧半场效晶体管)组成......
的开关有可能实现更好的逆变器输出可控性以及相关的改进的动态响应。 较旧的逆变器设计通常使用可控硅整流器 (SCR) 或双极结型晶体管 (BJT) 作为开关组件。SCR 可以在 250 至 500 Hz 范围内工作,而......
半导体器件又称为电力电子器件,主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件,包括MOSFET(金属氧化物半导体场效晶体管)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、BJT(全程双极性结型晶体管,也就是三极管)、晶闸......
用于软复位和电源循环 NPN双极结型晶体管用作驱动电路 驱动P沟道高端开关的一种方法是使用NPN双极结型晶体管(BJT),如图4所示。此电路形成一个逆变器,将来自看门狗输出的低电平有效信号转换为P沟道MOSFET开关......
高端开关的一种方法是使用NPN双极结型晶体管(BJT),如图4所示。此电路形成一个逆变器,将来自看门狗输出的低电平有效信号转换为P沟道MOSFET开关所需的高电平逻辑信号。  当系......
选择合适的集成度来满足电机设计要求;这篇文章是我们运动控制技术文章系列的第三篇(第一篇 |第二篇)。 如果您正在设计电机驱动应用,以往您可能会使用如双极结型晶体管 (BJT) 等多......
。事实上,这些稳压器可以被认为是可调齐纳二极管。 基于双极结晶体管BJT) 的分压器 图 2 中的 VS 没有推挽输出级,并且在无负载的情况下会浪费大量功率。我们可以使用基于 BJT 的 VS......
欧姆的负载(扬声器)。本文引用地址:电路的原理: 该电路的基本原理是双极结型晶体管的不同偏置方式。 麦克风输出的电信号非常低。使用 CE 配置的双极结型晶体管在 A 类模式下偏压,可将......
所见,步进电机附带一块 PCB。PCB 上的电路包括一个 ULN2003A 集成电路,其中包含七个达林顿晶体管对,其中使用了四个。每对由两个 NPN 双极结型晶体管组成,用作低电流信号(例如......
、分立和无源元件 两端口器件——传感器、磁盘驱动器头、金属氧化物可变电阻(MOV)、二极管、齐纳二极管、电容、热敏电阻 三端口器件——小信号双极结型晶体管BJT)场效应晶体管(FET),等等 2、简单......
Dialog的PrimAccurate™原边控制专利技术,消除所需的次级调节器和光耦器件,从而节省BOM成本。同时,以低成本双极结型晶体管 (BJT) 替换场效应晶体管 (FET)。采用BJT开关......
NPN管,这应该在确定电源形式时同时考虑。有些的外壳与某个电极相连,对于硅管来说往往是集电极。在需要某极接地时应考虑这个因素。 11、场效应晶体管BJT在工作过程中有很大的区别:BJT中的......
是用 PNP 还是 NPN 管,这应该在确定电源形式时同时考虑。有些三极管的外壳与某个电极相连,对于硅管来说往往是集电极。在需要基极接地时应考虑这个因素。 11、场效应晶体管......
地时应考虑这个因素。 11、场效应晶体管BJT在工作过程中有很大的区别:BJT中的电荷载体是空穴或被击出的少量的“少子”,FET中的电荷则是数目相对多几个数量级的自由电子,“多子......
场效应晶体管BJT在工作过程中有很大的区别:BJT中的电荷载体是空穴或被击出的少量的“少子”,FET中的......
机和ULN2003实现步进电机控制。由于ULN2003晶体管阵列由7个输出组成,你可以控制单极和双极的步进电机。 在这个项目中,我将向你展示如何使用8051微控制器和ULN2003晶体管阵列来控制一个5......
层面涉及主逆变器和发电机、升压转换器、DC-DC转换器、车载充电器;器件封装类型包括分立式、电源模块;功率器件种类有硅MOSFET、硅IGBT、硅BJT双极晶体管)、碳化硅(SiC)MOSFET和氮化镓(GaN)HEMT等......
转换器、DC-DC转换器、车载充电器;器件封装类型包括分立式、电源模块;功率器件种类有硅MOSFET、硅IGBT、硅BJT双极晶体管)、碳化硅(SiC)MOSFET和氮化镓(GaN)HEMT等。 前不......
就是死区时间。操作电感器的开关通常是 BJT双极结晶体管)或 MOSFET。MOSFET 是,因为它能够处理大电流、更高的效率和更高的开关速度。然而,在低电压下,很难......
双面散热汽车IGBT器件热测试评估方式创新;IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由(Bipolar Junction......
晶体管阵列由7个输出组成,因此您可以控制单极和双极步进电机。 在这个项目中,我将向您展示如何使用8051微控制器和ULN2003晶体管阵列控制5线单极步进电机。 电路图 下图显示了将步进电机与8051......
调频发射电路(2023-07-24)
前置放大器的设计: 在此,我们设计一个简单的单级共射极放大器作为前置放大器。 a) 选择 Vcc:我们选择了 NPN 双极结型晶体管 BC109。由于该晶体管的 VCEO 约为 40V,因此我们选择了更低的 Vcc......
车规级IGBT有多重要?;作为电力电子行业里的“CPU”,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是国际上公认的电子革命中最具代表性的产品。将多个IGBT芯片集成封装在一起形成IGBT模块,其功率更大、散热......
高压系统中主要以大功率 IGBT 模块方案为主。 2. IGBT 工作原理 IGBT 芯片的内部结构结合了 MOSFET 的驱动优势及 BJT双极性晶体管)的导通优势(如图 3 所示)。 图 3......
来看看早期最有力、速度最快的BJT晶体管和现在最常用的MOSFET晶体管有什么不同。 BJT晶体管通道 BJT的构成很简单,就是把2个P型半导体夹住1个N型半导体变成三明治。当然,也有用2个N型半......
源变换与传输的核心器件 IGBT可以通俗的理解为是带阀门控制的能控制电子双向(多向)流动的晶体管。IGBT是由BJT双极型三极管和绝缘栅型场效应管MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有 MOSFET金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管......
电路问世 通用微电子公司使用金属氧化物半导体(MOS)工艺在一个芯片上封装比双极集成电路更多的晶体管,并建立了第一个使用该技术的计算机芯片组。 图:1966......
相形胜出 第一款向市场投放的碳化硅功率电晶体是在2008年,以1,200伏结场效应电晶体(JFET)的形式出现的。SemiSouth实验室遵循了JFET的方法,因为当时,双极结晶体管(BJT)和......
MOSFET(场效应晶体管)和BJT(Bipolar Junction Transistor,双极晶体管)的结合体,因此既有MOSFET的优势,也有BJT的优势。综合而言,IGBT的优势包括高电流、高电......
和电网等。主要分为单极型和双极型。双极型:功率二极管、晶闸管、BJT双极性三极管)、电力晶体管(GTR)、IGBT。单极型:MOSFET,肖特基二极管。根据每个细分产品的物理性能不同,不同......

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;深圳市雄基电子器材有限公司;;是深圳老牌的电子产品供应商,公司位于华强北电子大厦。主要产品:稳压电路 .稳压二极管 1瓦 . 集成电路 . 稳压二极管 .To-92双极型晶体管 . 贴片
灯 仪器仪表 产品以下; D I P S M D 桥式整流器/稳压二极管/普通二极管/恢复二极管/能量二极管/开关二极管/高效整流二极管/TO-9双极型晶体管/TO-92M0D双极型晶体管TO-92L
/SOT-23 MOS 管CJ5853DC 数字晶体管DTA144EE/SOT-523 双极型晶体管MMST2222A/SOT-323 双极型晶体管MMBT2222A/SOT-23 双极型晶体管
. 通用逻辑IC(CMOS逻辑IC) e. 通用线性IC(运放和比较器,马达驱动IC,电源IC, etc) f. 光电半导体(LD,LED,光传感器,光耦合和光中继,etc) g. 晶体管(小信号双极晶体管
;丰泰电子(香港)公司;;ROHM大中华区专业经销商。分离式半导体如晶体管,场效应晶体管MOSFET、双极晶体管、数字晶体管、复合晶体管;二极管,肖特基势垒二极管、整流二极管、整流二极管、开关
-XC164CM-8F40F 2.4G 无线收发芯片 NORDIC: NRF24L01 晶体管阵列,用于打印机针驱动 Sanken: STA401A, STA403A, STA413A, STA471A
日本的物流和基础设施问题导致硅供应中断,不仅会影响NAND闪存、DRAM、微控制器、标准逻辑、LCD面板和LCD元件,而且会影响分立器件等产品,如MOSFET、双极晶体管和小信号晶体管。 本文来自维库电子市场网 http
;深圳市中环星科技有限公司;;深圳市中环星科技有限公司主要以厂家直销方式。主要有双极型晶体管.开关二极管.肖特基二极管.场效应管(MOSFET)。我们有过硬的质量,优质的服务,优势的价格。真诚的希望与贵司有合作的机会!
传感器、颜色传感器 、 高频管双栅场效应管、高频三极管、单片微波管、射频硅双极晶体管、微波双极晶体管 、集成IC红外遥控IC、红外数据IC、蓝牙IC 等。经营品牌有:德律风根、 英飞凌 、安捷伦、夏普
. 代理日本松下全系列车载继电器。 3. 代理日本三洋全系列OS-CON电容、全系列POSCAP电容。 4. 代理日本三洋半导体大小功率MOSFET,低饱和大小信号双极晶体管,功率双极晶体管,肖特基势垒二极管及射频晶体管