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意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性; 【导读】意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小......
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性;意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低......
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性;意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低......
意法半导体GaN驱动器集成电流隔离功能,具有卓越的安全性和可靠性;意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低......
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性;2023 年 9 月 6 日，中国 ——意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产......
物证字第5976号），打通极小纳米线宽量值向硅晶格常数溯源的计量途径，成为我国集成电路晶体管栅极线宽溯源最精准“标尺”，支撑集成电路制造向极微观尺度迈进，提升集成电路芯片集成度和性能先进制造水平，有力......
真结果进一步表明了石墨烯边缘电场对垂直二硫化钼沟道的有效调控，预测了在同时缩短沟道长度条件下，晶体管的电学性能情况。这项工作推动了摩尔定律进一步发展到亚1纳米级别，同时为二维薄膜在未来集成电路的应用提供了参考依据。 △统计目前工业界和学术界晶体管栅极......
得新结构和新材料的开发迫在眉睫。根据信息资源词典系统（IRDS2021）报道，目前主流工业界晶体管的栅极尺寸在12nm以上，如何促进晶体管关键尺寸的进一步微缩，引起了业界研究人员的广泛关注。 图2 随着摩尔定律的发展，晶体管栅......
的CPU内集成了以亿为单位的晶体管，这种晶体管由源极、漏极和位于他们之间的栅极所组成，电流从源极流入漏极，栅极则起到控制电流通断的作用。 所谓的XX nm其实指的是，CPU上形成的互补氧化物金属半导体场效应晶体管栅极......
意法半导体发布灵活可变的隔离式降压转换器芯片;意法半导体发布灵活可变的隔离式降压转换器芯片，保护功率转换和IGBT、SiC 和 GaN晶体管栅极驱动 2023 年 5月 16 日，中国......
器的标准产品并不存在。接下来您可以做些什么？ 图 1：隔离式 SiC 晶体管栅极驱动器电路的简化示意图 技巧 #1：使用不符合规格的输入电压 在满载时低功率非稳压 DC/DC 转换器的输出/输入......
这些功能省去了设计者处理GaN晶体管栅极驱动开发难题。这两款产品采用紧凑的电源封装，提高了可靠性，减少了物料成本，简化了电路布局。 这两款新器件内置两个连接成半桥的GaN HEMT晶体管，这种......
保护功能，以及在启动时为器件供电的集成式自举二极管。集成这些功能省去了设计者处理GaN晶体管栅极驱动开发难题。这两款产品采用紧凑的电源封装，提高了可靠性，减少了物料成本，简化了电路布局。   这两......
技术实现了最重大的创新。  图2. Logic Scaling(逻辑微缩)的机遇与挑战 借助HKMG，一层薄薄的高k薄膜可取代晶体管栅极中现有的SiON栅氧化层，以防止泄漏电流和可靠性降低。此外，通过......
意法半导体发布灵活可变的隔离式降压转换器芯片，保护功率转换和IGBT、SiC 和 GaN晶体管栅极驱动;意法半导体发 L6983i 10W 隔离降压 (iso-buck) 转换器芯片具有能效高、尺寸......
意法半导体发布灵活可变的隔离式降压转换器芯片，保护功率转换和IGBT、SiC 和 GaN晶体管栅极驱动;意法半导体发 L6983i 10W 隔离降压 (iso-buck) 转换器芯片具有能效高、尺寸......
家族集成两颗650V高电子迁移率GaN晶体管(HEMT)与优化的栅极驱动器、系统保护功能，以及在启动时为器件供电的集成式自举二极管。集成这些功能省去了设计者处理GaN晶体管栅极驱动开发难题。这两......
)执行这种功能。每个栅极驱动器IC都需要一个以处理器地为基准的原边电源电压和一个以晶体管发射极为基准的副边电源。副边电源的电压电平必须能够开启功率晶体管(通常为15 V)，并有足够的电流驱动能力来给晶体管栅极......
电压始终低于导通阈值。   RA3 系列针对栅极驱动器进行了优化 RECOM RA3 系列非稳压 3 W DC/DC 转换器，专门设计用于为晶体管栅极驱动器供电。这些模块的输入电压为 5、12 或......
在启动时为器件供电的集成式自举二极管。集成这些功能省去了设计者处理GaN晶体管栅极驱动开发难题。这两款产品采用紧凑的电源封装，提高了可靠性，减少了物料成本，简化了电路布局。 这两款新器件内置两个连接成半桥的GaN......
在启动时为器件供电的集成式自举二极管。集成这些功能省去了设计者处理GaN晶体管栅极驱动开发难题。这两款产品采用紧凑的电源封装，提高了可靠性，减少了物料成本，简化了电路布局。 这两款新器件内置两个连接成半桥的GaN......
，这种晶体管由源极、漏极和位于他们之间的栅极所组成，电流从源极流入漏极，栅极则起到控制电流通断的作用。 所谓的XX nm其实指的是，CPU上形成的互补氧化物金属半导体场效应晶体管栅极......
关断的负电压过大的问题，以及在电感负载续流时所造成的下半桥开关误导通的问题。解决技术手段：如图中所示，该专利主要改进点在于每个栅极驱动通道上所增加的两个二极管。 图2 其中，晶体管栅......
密度增加了 600,000 多倍。缩小晶体管尺寸需要使用更短波长的光，例如极紫外光，以及其他光刻技巧可以缩小晶体管栅极之间和金属互连之间的空间。展望未来，它是第三维度，晶体管将在另一个维度上构建，这很重要。这种......
磁极与转子磁极之间的吸引力就越大， 转速也就越高， 因此， 控制电流就可以控制电动机的转速。 无刷电流电动机大多采用脉宽调制（PWM） 调速方式。 　　直流电动机 PWM 调速工作原理是： 当场效应晶体管栅极......
了几处更改，在减小硅区域的同时为电容器的工艺处理提供更多空间，从而缩小纳米薄片的面积。    首先，我们将位线移到了纳米薄片的另一侧，使电流通过晶体管栅极穿过整个纳米薄片，这能......
始进入量产阶段。 另外，三星预计在3纳米制程技术中采用闸极全环（Gate-All-Around，GAA）技术，而非传统的鳍式场效晶体管（FinFET）技术。 而其由GAA技术能将晶体管栅极......
*Vin,式中D为PWM波的占空比，等于在一个PWM周期内高电平持续的时间与PWM周期的比值。 调速方法：在进行晶体管控制时，可以选择不同的三种斩波方式HPWM-LON,HON-LPWM,PWM......
件堆叠与通过使用背面供电技术进行设备互连的高效方式相结合。回顾IEDM 2021上，英特尔发表的CMOS晶体管3D堆叠早期研究，当时英特尔只能使用正面处理技术，意味着必须引出额外触点，比如远离晶体管栅极的标有Vcc触点，从而......
尔发表的CMOS晶体管3D堆叠早期研究，当时英特尔只能使用正面处理技术，意味着必须引出额外触点，比如远离晶体管栅极的标有Vcc触点，从而占用额外的面积，这将削弱晶体管堆叠所带来的优势。彼时，透射电子显微镜（TEM......
开始创建一个新应用程序。详细技术信息STHS34PF80采用意法半导体成熟可靠的绝缘体上硅(SOI) CMOS技术，在同一芯片上高效集成热敏MOSFET(TMOS)晶体管以及数字读出电路。TMOS热敏器件对入射到晶体管栅极......
开始创建一个新应用程序。详细技术信息STHS34PF80采用意法半导体成熟可靠的绝缘体上硅(SOI) CMOS技术，在同一芯片上高效集成热敏MOSFET(TMOS)晶体管以及数字读出电路。TMOS热敏器件对入射到晶体管栅极......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
NMOS和PMOS详解;一、简介本文引用地址：MOS管，是的缩写。金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect......
开始创建一个新应用程序。   详细技术信息   STHS34PF80采用意法半导体成熟可靠的绝缘体上硅(SOI) CMOS技术，在同一芯片上高效集成热敏MOSFET(TMOS)晶体管以及数字读出电路。TMOS热敏器件对入射到晶体管栅极......
宽度调制是一种模拟控制方式，其根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导通时间的改变，从而实现开关稳压电源输出的改变。这种......
一芯片上高效集成热敏MOSFET(TMOS)晶体管以及数字读出电路。TMOS热敏器件对入射到晶体管栅极的红外辐射的加热效应很敏感。SOI的架构利用意法半导体成熟的MEMS（微机电系统）工艺简化了微机械加工过程，对TMOS晶体管......
IGBT驱动电路介绍;，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有......
堆叠在一起的结构。在本周的旧金山IEEE国际电子器件大会上，、和台积电展示了他们在晶体管下一次演变方面取得的进展。本文引用地址：芯片公司正在从自2011年以来使用的FinFET器件结构过渡到纳米片或全围栅极晶体管......
影响器件的性能。例如驱动器会在单独的芯片上带有驱动器的分立晶体管，受到驱动器输出级和晶体管输入之间以及半桥开关节点之间的寄生电感的影响，同时 HEMT 具有非常高的开关速度，如果寄生电感未被抑制，将会......
一芯片上高效集成热敏MOSFET(TMOS)晶体管以及数字读出电路。TMOS热敏器件对入射到晶体管栅极的红外辐射的加热效应很敏感。SOI的架构利用意法半导体成熟的MEMS（微机电系统）工艺简化了微机械加工过程，对TMOS晶体管......
支电阻兼作高压泄故)，降低了灯丝与阳极，特别是与U2管栅极、阴极间的电位差，能有效降低噪声干扰。4．采用固定栅偏压方式。—48V电源经一个56k电阻和RD2．7稳压管降压得到—2.7V电压，，由一......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
温度测量或控制器，将采用的信号放大。放大电路的实质，是用较小的能量去控制较大能量转换装置，利用晶体管的以小控大作用，电子技术中以晶体管为核心元件可组成各种形式的放大电路。放大的前提是不失真，只有......
当今科学技术的发展已经没有了学科之间的界限，结合现代控制理论思想或实现无谐振波开关技术将会成为PWM控制技术发展的主要方向之一。其根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导......
充电电流极大，充电时间极短，保证了MOS开关管Q3的迅速的“开”，如图2-2-A所示（图2-2-A和图2-2-B中的电容C为MOS管栅极S的等效电容）。 当激励方波信号的负半周来到时晶体三极管Q1（NPN......
将介绍英特尔的两项突破性技术：RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术。这两项技术首次成功集成于Intel 20A制程节点，也将用于Intel 18A......
的研究和的持续小型化都揭示了行为中的一系列非理想性。本文将介绍这些非理想性的基础知识以及它们如何影响模拟集成电路中的晶体管性能。 寄生电容 由于MOSFET的物理实现，在端子结之间形成了以下寄生电容： CGS：栅源电容。 CGD：栅极......
应用材料公司以技术助力极紫外光和三维环绕栅极晶体管实现二维微缩; 应用材料公司利用 Stensar™CVD取代旋涂镀膜以扩展二维极紫外光逻辑微缩 预览最广泛的三维环绕栅极晶体管技术产品组合，包括......
数量提升的关键因素之一。我们常听到的 7 纳米工艺或是 3 纳米工艺，主要指的是芯片晶体管栅极宽度的大小，这个数字越小，晶体管密度就越大，比如最新的芯片已经可以有 150 亿以上的晶体管......
从一个基极到另一个发射极，决定了从集电极到发射极能流多少电流。 对于MOSFET晶体管，电压栅极和源极之间的电流决定了有多少电流能从漏极流向另一个源极。 2.1 如何打开MOSFET 下面是一个打开MOSFET的电......
客户能够以最小的努力和对现有设计的改动轻松实现。qGaN™模块包含一个650V的GaN晶体管，并配有该公司的qDrive™，这是世界上最快、最准确、分辨率最高、低抖动的隔离GaN晶体管栅极驱动。第二个模块是qSensor™，它结合了该公司的ZEST™......

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