意法半导体新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和价值

发布时间:2023-12-15 13:57  

意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片,利用宽禁带半导体技术简化电源设计,实现最新的生态设计目标。


意法半导体的MasterGaN产品家族集成两颗650V高电子迁移率GaN晶体管(HEMT)与优化的栅极驱动器、系统保护功能,以及在启动时为器件供电的集成式自举二极管。集成这些功能省去了设计者处理GaN晶体管栅极驱动开发难题。这两款产品采用紧凑的电源封装,提高了可靠性,减少了物料成本,简化了电路布局。
 
这两款新器件内置两个连接成半桥的GaN HEMT晶体管,这种配置适合开发采用有源箝位反激式转换器、有源箝位正激式转换器或谐振式转换器拓扑的开关式电源、适配器和充电器。MasterGaN1L和MasterGaN4L分别与MasterGaN1和MasterGaN3引脚兼容。与早期的产品相比,新产品重新优化了导通时间,支持更高的开关频率,在低负载的情况取得更高的能效,能效提高在谐振拓扑中尤为明显。
 
输入引脚接受3.3V至15V的信号电压,输入滞后和下拉电阻有助于输入直连控制器,例如,微控制器、DSP信号处理器或霍尔效应传感器。专用关断引脚有助于设计者节省系统功率,两个GaN HEMT晶体管的时序匹配精准,集成一个互锁保护电路,防止桥臂上的开关管交叉导通。
 
MasterGaN1L HEMT的导通电阻RDS(on)为150mΩ,额定电流为10A,适合最高功率500W的应用。空载功耗只有20mW,支持高转换效率,使设计者能够满足行业严格的待机功耗和平均能效目标。MasterGaN4L HEMT定位最高功率200W的应用,导通电阻RDS(on)为225mΩ,额定电流为6.5A。
 
EVLMG1LPBRDR1和EVLMG4LPWRBR1演示板现已上市,有助于开发者评估每款产品的功能。这两块板子集成一个针对LLC应用优化的GaN半桥功率模组,方便开发者利用MasterGaN1L和MasterGaN4L器件快速创建新的拓扑结构,而无需使用完整的PCB设计。
 
这两款器件均已量产,采用9mm x 9mm x 1mm GQFN封装。
 
关于意法半导体

意法半导体拥有5万名半导体技术的创造者和创新者,掌握半导体供应链和先进的制造设备。作为一家半导体垂直整合制造商(IDM),意法半导体与二十多万家客户、成千上万名合作伙伴一起研发产品和解决方案,共同构建生态系统,帮助他们更好地应对各种挑战和新机遇,满足世界对可持续发展的更高需求。意法半导体的技术让人们的出行更智能,让电源和能源管理更高效,让云连接的自主化设备应用更广泛。意法半导体承诺将于2027年实现碳中和(在范围1和2内完全实现碳中和,在范围3内部分实现碳中和)。详情请浏览意法半导体公司网站:www.st.com。

文章来源于:ECCN    原文链接
本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。

我们与500+贴片厂合作,完美满足客户的定制需求。为品牌提供定制化的推广方案、专属产品特色页,多渠道推广,SEM/SEO精准营销以及与公众号的联合推广...详细>>

利用葫芦芯平台的卓越技术服务和新产品推广能力,原厂代理能轻松打入消费物联网(IOT)、信息与通信(ICT)、汽车及新能源汽车、工业自动化及工业物联网、装备及功率电子...详细>>

充分利用其强大的电子元器件采购流量,创新性地为这些物料提供了一个全新的窗口。我们的高效数字营销技术,不仅可以助你轻松识别与连接到需求方,更能够极大地提高“闲置物料”的处理能力,通过葫芦芯平台...详细>>

我们的目标很明确:构建一个全方位的半导体产业生态系统。成为一家全球领先的半导体互联网生态公司。目前,我们已成功打造了智能汽车、智能家居、大健康医疗、机器人和材料等五大生态领域。更为重要的是...详细>>

我们深知加工与定制类服务商的价值和重要性,因此,我们倾力为您提供最顶尖的营销资源。在我们的平台上,您可以直接接触到100万的研发工程师和采购工程师,以及10万的活跃客户群体...详细>>

凭借我们强大的专业流量和尖端的互联网数字营销技术,我们承诺为原厂提供免费的产品资料推广服务。无论是最新的资讯、技术动态还是创新产品,都可以通过我们的平台迅速传达给目标客户...详细>>

我们不止于将线索转化为潜在客户。葫芦芯平台致力于形成业务闭环,从引流、宣传到最终销售,全程跟进,确保每一个potential lead都得到妥善处理,从而大幅提高转化率。不仅如此...详细>>