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英特尔解读存储创新技术三要素：容量密度、可靠性与性能(2021-12-08)
诸如CDN、大数据、本地盘等诸多应用市场寿命需求。QLC SSD容量较大，全盘可以忍受的写入量可以大很多，在固定接口带宽下的使用年限可以有很好保障，所以对QLC的擦写次数不用过分担心。
性能：创新......
慧荣主控+英特尔颗粒，科赋CRAS C710 M.2固态硬盘评测(2020-12-31)
光合資的 IMFT 64-Layer 3D NAND 顆粒，具体型号是29F01T2ANCTH2，属于3D TLC闪存颗粒，单颗容量128GB，共计4颗，容量总计512GB。
科赋......
三星电子将扩大尖端DRAM/NAND产量(2023-11-02)
三星电子将扩大尖端DRAM/NAND产量;
【导读】市调机构TechInsights在报告中指出，2023年Q3，全球笔记本电脑出货量总计5120万台，同比仅下降7%，这是自2022年Q1......
三星研制出采用第八代V-NAND的车载SSD(2024-09-25)
存储容量选择。以第8代V-NAND为准，2TB是业内现存最大容量，预计明年年初投入量产。
AM9C1采用了三星5nm主控技术，用户可通过从TLC状态切换至SLC模式大幅提升的读写速度，其中......
全球首款！美光232层NAND客户端SSD正式出货(2022-12-19)
层NAND还提供高达100%的写入带宽和超过75%的读取带宽。
毫无疑问，随着工艺制程逐渐微缩，堆叠技术成了NAND Flash市场发展的主流技术趋势。而近年来，各大NAND Flash厂商......
IDC：三季度全球PC发货量总计7420万台 同比下降15%(2022-10-12)
IDC：三季度全球PC发货量总计7420万台 同比下降15%;根据国际数据公司(IDC)全球个人计算设备季度追踪的初步结果，2022第三季度，全球PC发货量总计7,420万台，传统PC市场......
存储大厂宣布232层3500系列SSD已发售(2023-12-07)
品顺序读写速度最高可达7000MB/秒，随机读取速度为1150k IOPS，随机写入速度为1150k IOPS，2TB总写入量为1200TBW。
安全性方面，该产品提供了符合TCG/Pyrite2.02标准......
全球首款！美光232层NAND客户端SSD正式出货(2022-12-16)
NAND具有业界最高的面密度，并提供更高的容量和更高的能效，同时，与上一代相比，232层NAND还提供高达100%的写入带宽和超过75%的读取带宽。
毫无疑问，随着工艺制程逐渐微缩，堆叠......
S3c2440处理器中nor flash启动和nand flash启动问题(2023-01-31)
S3c2440处理器中nor flash启动和nand flash启动问题;S3c2440是三星公司推出的一款基于ARM920T的处理器,采用ARM内核,不同于单片机,无片上rom与ram,必须......
Solidigm推出全新D7系列超高速新品，为AI固态硬盘开启新篇章(2024-08-08)
有出色的擦除周期，15.36TB版本的写入量可达28PBW。在基于服务器的存储解决方案中，与业界其他同等规格的固态硬盘相比，D7-PS1010可实现顺序写入的吞吐量最高提升 37%4。D7-PS1010实现......
机构：Q3全球笔记本电脑出货量同比下降7% 苹果降幅最大(2023-11-02)
机构：Q3全球笔记本电脑出货量同比下降7% 苹果降幅最大;
【导读】市调机构TechInsights在报告中指出，2023年Q3，全球笔记本电脑出货量总计5120万台，同比仅下降7%，这是......
14.5GB/s！三星量产全球最快PCIe 5.0 SSD PM9E1(2024-09-23)
提高了足足1.5倍。
寿命也延长了一倍，最大写入量来到了2400TBW。
另外，PCIe 5.0 SSD普遍功耗发热偏高，宣称PM9E1的能效比上代提升了50%。
......
科赋CRAS C710 M.2 SSD晒物与Win To Go制作记录(2020-12-24)
海力士已经将英特尔NAND存储业务收购，而作为海力士系的科赋，使用英特尔标志的颗粒也很正常。手上这片SSD上一共有4颗闪存颗粒，单颗容量128GB，总计512GB。
直插电脑主机使用txbench进行......
3D Xpoint会成为美光的救命稻草吗？(2017-01-04)
能从其身上获得更大的成长驱动力。
英特尔与美光双方宣称，3D XPoint能够提供千倍于当前NAND产品的使用寿命水平。假设这里的参考对象为现代（15纳米至20纳米）MLC NAND，那么其使用寿命将达到数百万次全盘写入; 不过......
三星量产QLC第9代V-NAND(2024-09-12)
大限度地减少不必要的操作。
三星的QLC第9代V-NAND通过技术改进，写入性能提高了一倍，数据输入/输出速度提高了60%。
通过......
高性能低能耗，浪潮信息集中式存储全闪平台揭秘(2023-08-04)
的性能无法充分展现。其次，由于NAND Flash颗粒具有需要将数据先擦除后写入的特点，而NAND Flash颗粒的可擦写次数有限，导致SSD硬盘的寿命受其限制，且随着NAND Flash颗粒......
高性能低能耗，浪潮信息集中式存储全闪平台揭秘(2023-08-04 09:26)
的性能无法充分展现。其次，由于NAND Flash颗粒具有需要将数据先擦除后写入的特点，而NAND Flash颗粒的可擦写次数有限，导致SSD硬盘的寿命受其限制，且随着NAND Flash颗粒......
13个街道为0、剩余85.06MW！山东金乡县3月份变电站分布式光伏可开放容量公布(2024-03-08 10:35)
县共有13个变电站分布式光伏可开放容量为0，其余7个变电站分布式光伏可开放容量总计为85.06兆伏安。
......
14处为0！山东金乡县2024年6月份变电站分布式光伏可开放容量公示(2024-06-11 13:24)
，金乡县共有14个变电站分布式光伏可开放容量为0，其余6个变电站分布式光伏可开放容量总计为69.17兆伏安。
具体如下：
......
美光率先量产面向客户端和数据中心的 200+ 层 QLC NAND 产品(2024-04-26)
高达 25%
提升高达 85%
美光 2500 SSD 的缓存加速功能助力其性能得到提升，并确保在大多数应用场景下实现最快的读写性能。美光 232 层 QLC NAND 为其带来稳定的 SSD 写入......
赛普拉斯推出了16-Mbit非易失性静态随机访问存储器nvSRAM系列(2012-09-12)
将于 2013 年第一季度投入量产。CY14V116Fx 的ONFI 和 Toggle NAND 器件可在 3V 内核电压、1.8V IO 电源下工作，采用 165 焊球 FBGA 封装。两款......
NAND闪存，迎新局(2024-09-14)
度比上一代QLCV-NAND高出约86%；与以前的版本相比，三星QLC第九代V-NAND采用的设计模具可将数据保留性能提高约20%，从而提高产品可靠性；通过对预测程序技术的改进，写入性能提高了一倍，数据......
PC市场连续八个季度下滑后增长0.3%！后期留意零组件涨价(2024-01-16)
PC市场连续八个季度下滑后增长0.3%！后期留意零组件涨价;
【导读】根据Gartner公司的初步结果显示，2023年第四季度全球PC出货量总计6330万台，较2022年第四季度增长0.3......
美光率先量产面向客户端和数据中心的 200+ 层 QLC NAND 产品(2024-04-28 09:37)
SSD 的缓存加速功能助力其性能得到提升，并确保在大多数应用场景下实现最快的读写性能。美光 232 层 QLC NAND 为其带来稳定的 SSD 写入耐用性。即使是最小容量的 512GB 版本......
First Solar 2024年Q2净利润达10亿美元 订单已排至2030年(2024-10-30 14:12)
元。二季度其组件产量总计3.72GW，而上一季度为 3.63GW，去年同期为 2.8GW。实际出货量为3.36GW，环比增长 24%，同比增长 21%。
与此同时，该公司的盈利表现同样强劲，二季......
三星量产1Tb QLC 第九代 V-NAND 闪存(2024-09-14)
大限度的减少不必要的单元操作。 利用这项技术，三星分别将读取和写入数据时的功耗分别降低30%和50%。 而有了以上的几项新技术，其所生产出的QLC第九代V-NAND存储器，三星计划未来将使用这些QLC V......
s3c6410学习笔记-将内核zImage、文件系统写到nandflash、屏幕校准(2024-09-27)
/tftpboot (tftp将zImage传输到开发板)
3、将zImage写入到nandflash并设为自动
uboot启动
nand erase 100000 400000......
u-boot-2011.06在基于s3c2440开发板的移植之硬件ECC(2024-06-11)
内定义宏CONFIG_MTD_NAND_VERIFY_WRITE来实现把所写的数据再读取一遍，然后与被写入的数据之间进行比较来判断所写数据的正确性，这一过程是在drivers/mtd/nand/nand_base.c......
2025年存储市场五大展望(2024-09-23)
术以较低的成本提供更高的密度。
尽管QLC SSD的写入速度比其他NAND类型慢，但由于成本效益和适合AI驱动的数据存储需
求，它们......
S3C2440C语言点灯(2024-07-15)
GPFCON，我们只关心低16位
对于GPFDAT，我们只关心低8位
其他不需要用到的位，我们不写入值，或者写入0值
用指针表示
我们用4字节去访问这两个寄存器
可以用int变量去表示
注意：
对int......
不到800元人民币，现代汽车出售俄罗斯工厂(2023-12-20)
。截至2021年俄乌冲突爆发前，现代俄罗斯两家工厂的年产量总计达23.4万辆。该公司表示，它正在寻求将其在圣彼得堡工厂的资产转让给俄罗斯的Art-Finance公司，并包括回购选项，并补充说计划在12月......
s3c2440裸机-nandflash编程（三. 初始化及识别）(2023-08-02)
s3c2440裸机-nandflash编程（三. 初始化及识别）;nandFlash命令表
对NAND FLASH的操作需要发出命令，下面有个NAND FLASH的命令表格，那么......
s3c2440裸机-nandflash编程-3-初始化及识别(2024-07-04)
s3c2440裸机-nandflash编程-3-初始化及识别;nandFlash命令表
对NAND FLASH的操作需要发出命令，下面有个NAND FLASH的命令表格，那么......
u-boot移植总结（三）(转)S3C2440对Nand Flash操作和电路原理(基于K9F2G08U0A);S3C2440内部集成了一个Nand flash控制器。S3C2440的Nand......
带有ARM内核的车规级MCU的高速测量与标定的解决方案(2023-08-02)
产阶段会被移除。用户可以通过配置文件VX1000_cfg.h对VX1000应用驱动程序的功能和行为进行配置。该文件以宏定义形式配置所有选项，默认情况下大部分都被注释掉，用户只需激活适当的宏定义，配置......
闪存领先遭强力挑战，三星投180亿美元到芯片产业(2017-07-05)
Hynix第四代72层的3D NAND进入量产，主要用于移动装置，并已交货给客户。SK Hynix 4月份才宣布研发出72层3D NAND，3个月内就进入量产，速度极为惊人。一般研发成功之后，快的......
研华工业存储，工业应用全面解决方案！(2022-09-19)
可以提供10 DWPD写入量。同时，可支持在-40~85℃宽温，及车规级工作温度环境条件下使用。行业应用医疗设备。手术室的医用机器设备发生故障可能导致死亡或受伤，因此，工业......
3D Xpoint存储点燃SSD市场新战火(2017-03-22)
、零售价1,520美元的版本，约是目前类似NAND快闪记忆卡的三倍价格；该SSD号称读写延迟低于20微秒(microsecond)，以及估计一天30次磁碟写入的耐久度、长达三年的产品寿命。而在......
国产固态弯道超车，aigo P7000Z勇夺高端SSD排行榜TOP1(2023-05-19)
长江存储晶圆进行封装设计和严苛测试，单颗闪存芯片能够实现高达2400MT/s的接口带宽，具备更持久的写入量，2TB容量规格高达3600TBW；搭载联芸科技MAP1602主控芯片，基于12nm工艺......
铠侠终止减产！NAND景气生变？(2024-07-05)
旗下日本四日市工厂量产最先进的NAND芯片，开拓因生成式AI普及，以及急增的数据储存需求。
据悉，铠侠将开始量产的NAND芯片堆栈218层数据储存组件，和现行产品相比，储存容量提高约50%、写入......
基于FPGA的NAND FLASH坏块表的设计与实现(2022-12-21)
表的建立流程
NAND FLASH 在使用时，初次上电后，写入数据之前需要对芯片的块的好坏进行扫描，从而得到坏块表。在本型号中，NAND FLASH 的出厂坏块信息需要查询每个块的第1 个页和第2 个页......
存储亮剑！NAND技术多点突破(2024-08-08)
-endurance）型号，提供1.6TB、3.2TB、6.4TB和12.8TB四个容量版本。其中最大容量的12.8TB累计写入量可达约70TB。
性能方面，D7-PS1010/1030全系......
半导体存储产业开启“狂飙”模式？(2024-08-13)
电子内部已经确认在平泽P4工厂内建设1c纳米制程DRAM产线的投资计划，目标是预计在2025年的6月投入量产。
三星平泽P4是一座综合性的半导体生产中心，分为四期计划。在三星早前的规划中，一期以生产NAND......
Gartner：2022年第四季度全球PC出货量下降28.5%，全年下降16.2%(2023-01-17)
需求大幅“跳水”
2023年1月17日 - Gartner公司的初步统计结果显示，全球个人电脑（PC）在2022年第四季度的出货量总计6530万台，较2021年第四季度下降28.5%，创下了自1990......
Gartner：2022年第四季度全球PC出货量下降28．5%，全年下降16．2%(2023-01-18 09:57)
Gartner：2022年第四季度全球PC出货量下降28．5%，全年下降16．2%;愈加莫测的经济环境引发PC需求大幅“跳水”Gartner公司的初步统计结果显示，全球个人电脑（PC）在2022年第四季度的出货量总计......
Gartner：2022年第四季度全球PC出货量下降28.5%，全年下降16.2%(2023-01-17)
年第四季度的出货量总计6530万台，较2021年第四季度下降28.5%，创下了自1990年代中期Gartner开始追踪PC市场以来的最大季度出货量降幅。2022年全年的PC出货量总计2.862亿台，较......
基于DMA的高速数据闪存阵列的设计方案(2024-07-23)
操作比较特殊，在存储数据时要先写入存储命令和存储地址，编程时不能对其执行任何操作。传统的由单片机作为核心的采集采用查询的方式对NAND FLASH进行编程，不仅操作复杂，而且减慢了存储速度。
为此......
SSD为什么速度那么快？看完这篇你就懂了！(2017-07-07)
拥有高速的写入。
TRIM指令通知给SSD的可删除数据越多，GC操作需要转移的数据就越少，写入量也会减少，对SSD来说也是延长使用寿命的一种方式。
今天是《半导体行业观察》为您......
EUV光刻机日耗电3万度 台积电为电费上涨发愁(2023-04-23)
重要原因就是光刻机，新一代的EUV光刻机更是夸张，功率达到了100万瓦，是上一代的10倍左右，每天耗电3万度，而台积电去年就差不多80台EUV光刻机了，耗电量可想而知。
据统计，台积电2021年耗电量总计......
台积电发布Q1季度财报：EUV光刻机日耗电3万度(2023-04-23)
量可想而知。
据统计，2021年耗电量总计191.9亿度，占全岛用电量的7.2%，未来随着3nm、2nm工艺的量产，耗电量还会继续提升，因为新一代EUV光刻机使用越来越多，一座工厂一年就可能上百亿度电了，远高于现在规模。
......
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