资讯
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
，下面说明其工作原理：
增强型NMOS管工作原理
电源E1通过R1加到场效应管D, S极，电源E2通过开关S加到G, S极。
当开关S断开时，栅极无电压，由于衬底是P型......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
表示。
控制栅极电压VGS的大小改变了电场的强弱，就可以达到控制漏极电流ID的大小的目的，这也是MOS管用电场来控制电流的一个重要特点，所以也称之为场效应管。
3、MOS管的特性
上述MOS管的工作原理......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
进行串口通信。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管（2N7002）。他和三极管的功能很相似，可做开关使用，即可控制电路的通和断。不过比起三极管，MOS管有挺多优势，后面将会详细讲起。下图是MOS管实物3D......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
进行串口通信。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管（2N7002）。他和三极管的功能很相似，可做开关使用，即可控制电路的通和断。不过比起三极管，MOS管有挺多优势，后面将会详细讲起。下图是MOS管实......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
以实现不同VDD（芯片工作电压）的MCU之间进行串口通信。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管（2N7002）。他和三极管的功能很相似，可做开关使用，即可控制电路的通和断。不过......
IGBT在新能源汽车上的应用(2024-10-22 08:01:16)
在一些高压大电流的驱动场景应该如何选择呢？对于合格高效的电路来讲，以上MOS管和三极管的任何一个的缺点都是不被允许的存在的，会大大影响电路的工作效率，同时会产生比较难克服的热量，影响......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
MOS管基础及选型指南;，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件。本文引用地址：
和普......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
由于人体感应的交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同（或者工作在饱和区或者在不饱和区）所致，试验表明，多数管的RDS增大，即表针向左摆动；少数管的RDS减小，使表针向右摆动。但无......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
较大的放大能力。
运用这种方法时要说明几点：首先，在测试场效应管用手捏住栅极时，万用表针可能向右摆动（电阻值减小），也可能向左摆动（电阻值增加）。这是由于人体感应的交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
由于人体感应的交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同（或者工作在饱和区或者在不饱和区）所致，试验表明，多数管的RDS增大，即表针向左摆动；少数管的RDS减小，使表针向右摆动。但无......
REASUNOS瑞森半导体高低压MOS在车载逆变器上的应用(2024-04-22)
升压电路(防反接)+控制电路（推挽式）
在DC-DC升压电路中，选用MOSFET作为开关器件，场效应管所需承受的最大电压约为20-30V左右，选型时MOS管的最大耐受电压应留有余量一般会选择40V以上......
关于8051单片机基础结构解析与工作原理及电路结构(2024-02-03)
据输出锁存器。
2个三态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管（FET）。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出：“控制”信号为1，硬件......
简述8051单片机结构与原理(2024-01-15)
态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管（FET）。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出：“控制”信号为1，硬件自动使转接开关MUX打向上面，接通......
8051单片机的结构与原理(2024-01-15)
态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管（FET）。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出：“控制”信号为1，硬件自动使转接开关MUX打向上面，接通......
详解：8051单片机的结构与原理(2023-03-28)
。
2个场效应管（FET）。多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线输出：“控制”信号为1，硬件自动使转接开关MUX打向上面，接通反相器的输出，同时使“与门”开启......
什么是H桥？介绍H桥电机驱动电路(2023-10-30)
，下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成，桥臂上的4个场效应管相当于四个开关。 相对于前文4个N型MOS管的H桥电路，此电......
介绍H桥电机驱动电路(2024-11-05 11:58:11)
MOS管的H桥，另外还有包含2个N型、2个P型MOS管的H桥，
下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成，桥臂上的4个场效应管......
无刷直流马达控制电路(2023-04-25)
机驱动部分使用6个功率场效应管控制输出电压，四轴飞行器中的直流无刷电机驱动电路电源电压为12 V.驱动电路中，Q1~Q3采用IR公司的IRFR5305（P沟道），Q4~Q6为IRFR1205（N 沟道......
51单片机GPIO结构框图与工作原理(2023-08-09)
51单片机GPIO结构框图与工作原理;前言
不论学习什么单片机，最简单的外设莫过于IO 口的高低电平控制，本教程将向大家介绍如何在创建好的工程模板上通过操作51 单片机的GPIO 口输......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-16)
括太阳能逆变器和热泵等绿色能源应用、工业控制、电源，以及无线园艺工具等充电家用电器。功率场效应管的性能能够直接影响这些应用设备的整体系统性能，对于开发工程师而言，它通常是所有新项目的必备品。”
e络盟......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
与汽车应用的需求增长速度相当。”
他补充道：“功率场效应管推动这些应用的需求增长，除了更广为人知的汽车应用外，还包括太阳能逆变器和热泵等绿色能源应用、工业控制、电源，以及无线园艺工具等充电家用电器。功率场效应管的......
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
本不高。
缺点：一旦接反需要更换保险丝，操作比较麻烦。
3、正接反接都可正常工作的电路
优点：输入端无论怎样接，电路都可以正常工作。
缺点：存在两个二极管的压降，适用于小电流电路。
4、N沟道增强型场效应管......
防反接常用单元电路，收藏了(2024-10-26 11:31:16)
构成的防接反电路
这个电路的最大一个特点就是场效应管的D极和S极的接法。通常我们在使用N沟道的增强型的MOS管时......
分享：直流电防接反电路的总结！(2024-12-17 20:30:32)
构成的防接反电路：
这个电路的最大一个特点就是场效应管的D极和S极的接法。通常我们在使用N沟道的增强型的MOS管时，一般是电流由D极进入而从S极流出。应用......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
on
，以保证晶体管工作在导通状态；集电结反向偏置，以保证晶体管工作在放大区。对于场效应管，电源的极性和大小应为场效应管得栅-源之间、漏-源之......
揭秘十大常用电子元器件背后的那些门道！(2024-10-20 21:14:56)
获得一般晶体管很难达到的性能。
2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。
3、场效应管与晶体管的比较
(1)场效应管......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管，可兼容替代尼克森PKC26BB。
PKC26BB替代料SVG032R4NL5特点
■ 100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17 15:24)
最新分水岭。新型场效应管的RDS(on)仅为55毫欧，性能较东芝DTMOSIV-H系列的同类器件提升了13%。
• TPH9R00CQ5功率场效应管：基于U-MOS X-H沟槽工艺，这种新型功率场效应管......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
最新分水岭。新型场效应管的RDS(on)仅为55毫欧，性能较东芝DTMOSIV-H系列的同类器件提升了13%。
TPH9R00CQ5功率场效应管：基于U-MOS X-H沟槽工艺，这种新型功率场效应管......
纯直流场效应管功放电路(2023-06-20)
电路），这样两只管子就变成了并联工作了。因为电子管的栅极是上作在相对阴极为负的情况下，使得偏置电路也极为简单，此原理不能用于晶体管或运放电路中。
场效应管功放级电路原理，差分排动级原理......
科普丨十大最常用电子元器件介绍(2024-10-22 09:33:32)
～109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
1、场效应......
超详细|开关电源电路图及原理讲解(2024-03-11)
使Q2没有栅极电压不导通，RT1将会在很短的时间烧毁，以保护后级电路。
硬件笔记本
3
功率变换电路
1、MOS管的工作原理：
目前应用最广泛的绝缘栅场效应管是MOSFET(MOS管)，是利用半导体表面的电声效应进行工作......
基础回顾：电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管(2024-06-03)
它的输入电阻(Ω)很大。
（2）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
（3）由于不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
2.工作原理
场效应管的开关电路和三极管的......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
子注入理论阐明了BJT的工作原理，并提出了可实用化的结型晶体管概念。
发展到现在，MOSFET主要应用于中小功率场合如电脑功率电源、家用电器等，具有门极输入阻抗高、驱动......
可控硅控制器工作原理(2024-01-22)
可控硅控制器工作原理;
控制器的工作原理主要基于可控硅器件的特性，即在特定条件下，可控硅可以被激励到导通状态，从而实现的通路或断路。可控硅的控制过程涉及到几种不同的触发模式：
交流......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
必看！IGBT基础知识汇总！;
01 是什么？本文引用地址：
，绝缘栅双极型，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（MOSFET......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
级的输出端和输入端连接在一起，在第二级中补偿电容实际作为密勒电容使用。
通过提供足够的栅源电压值使场效应管导通，衬底驱动MOS晶体管即以耗尽型器件的原理工作，通过施加在衬底端的输入电压调制流经晶体管的电流，完成采用衬底驱动输入晶体管的......
STM32控制的电子负载(2022-12-08)
检测将热敏电阻与定值电阻构成分压电路，C2为滤波电容。热敏电阻通过导热胶紧贴场效应管，保证准确测量场效应管的温度。
温度检测原理图
要测量出热敏电阻的温度，就需要了解NTC的温度阻值关系，表达式如下：
NTC热敏......
51单片机CPU结构各部件的原理详细分析(2023-08-09)
@DPTR，A（将累加器的内容通过P0口数据总线传送到外部RAM中），则多路开关“控制”信号为‘1’，“与门”解锁，与输出地址信号的工作流程类似，数据据由“地址/数据”线→反相器→V2场效应管......
电动车窗开关中MOS管的应用解析(2024-08-16)
动车窗的应用中，采用MOSFET场效应管作为电子开关。当MOS管将回路断开时，继电器才开始工作，此时及电磁触点不产生电势差。电动车窗原理图如下所示：
电动车窗原理图
选 型 要 求
在选......
伺服系统构成及其工作原理(2024-06-03)
%以上。IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点，用于......
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
晶体管，以硅片为秤体，利用扩散工艺制作.......有N沟道和P沟道两个型。不仅如此，它还有两个兄弟，分别是结型场效应管以及晶体场效应管.......
面对这么大一段话，我不......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品(2023-09-04)
及作用
1.工作原理
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源......
电压转换芯片原理和TI双向电压转换解决方案介绍(2023-12-21)
，所以这里我们可以认为左侧输出为低电平。此时VGS（3.3V-0.7V=2.6V）大于场效应管的栅极阈值电压而使MOSFET导通，导通后右侧输入和左侧输出为同一电压0V，如图4-B所示。
图4 双向电压转换芯片工作原理......
STM32单片机的GPIO端口设置(2024-04-16)
式输出级即提高电路的负载能力，又提高开关速度。
4.2 开漏电路
场效应管是电压控制型元器件，当对场效应管的栅极施加电压时，漏极与源极会导通。结型场效应管有一个特性就是它的输入阻抗非常大，这意味着：没有......
什么是SMT分立器件？有哪些类型？内部结构是怎样的？(2024-10-28 11:57:14)
几种尺寸结构，产品有小功率管、大功率管、场效应管和高频管几个系列；其中SOT-23是通用的SMT晶体管，SOT-23有3条翼形引脚，外形与内部结构如图4所示......
吉利科技旗下晶能微电子自研首款车规级 IGBT 产品成功流片(2023-03-16)
(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal......
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路(2023-10-08)
以获得较精确的亮度步进调节。
图2.2 LED驱动电路原理图
3．软件设计
采用STC89C52单片机输出频次为230Hz的PWM来驱动场效应管IRF3205的开断，其中用独立键盘来实现PWM占空比1......
怎么使用万用表测量电路电压、电流、电阻、二极管、三极管、场效应管(2023-02-17)
只能直接对如9000系列的小型管测量，若要测量大管，可以采用接线法，即用小导线将三个管脚引出。这样方便了很多哦。
六、MOS场效应管的测量N沟道的有国产的3D01，4D01，日产的3SK系列。G极（栅极......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
了常见的直流I-V测试和用于进行测量的仪器，并解释了测量注意事项以达到理想测量结果。
一、生物场效应管/BioFET感器
生物晶体管传感器包含一个晶体管和一个生物敏感层，用于检测类似于生物分子等生物成分。图2......
相关企业
焊机的工作原理: 电源供给：和场效应管作逆变开关的焊机一样，焊机电源由市电供给，经整流、滤波后供给逆变器。 逆变：由于IGBT的工作电流大，可采用半桥逆变的形式，以IGBT作为开关，其开
;深圳市正瑞恩电子有限公司;;〈MOS、FET场效应管〉、三端稳压、肖特基、开关管、高频、整流、快恢复、变容管、稳压管、升压IC、降压IC、复位IC、〉、封装： SOD-523、SOT-523
;凯晶半导体有限公司;;凯晶半导体有限公司成立于2009年3月。公司总部设立在台湾，主要从事场效应管的研发和设计，产品涵盖低压MOS的各种型号和封装。
;深圳市福田区新亚洲电子市场诚信沅电子商行;;本公司主要经营三极管等。公司秉承"顾客至上，锐意进取"的经营理念，坚持"客户第一"的原则为广大客户提供优质的服务。欢迎惠顾！ MOS、FET场效应管
;杭州友善电子科技;;分销ST、IR、FSC、PHI、TI、HIT、NS、KEC、台湾威森 等知名品牌二极管、三极管、可控硅、场效应管、集成电路等，尤其在三极管、场效应管和可控硅
：SOP-8 四 DIP、SMD、 〈MOS、FET场效应管〉、三端稳压、肖特基、开关管、高频、整流、快恢复、变容管、稳压管〉、 封装： SOD-523、SOT-523、《SOT-323-4、5、6
;吴经理;;客我共赢：MOS场效应管、二、三极管、可控硅、电感、电容、电阻、IC等
;结型场效应管 杨海滨;;杨海滨（个体经营）是一家专业生产整流二极管的厂家 4001-4007 5817-5819 HER107-HER607 SR160-SR5100 FR107-FR607
营理念，坚持“客户第一”的原则为广大客户提供优质的服务。公司经过严格的科学认证，市场调研区分，选取市场信誉好，品质稳定可靠的场效应管与二三极管品牌作为公司的主营业务。作为一家专业的场效应管与二三极管的
;深圳市台新微电子有限公司;;订货全系列三极管、MOS场效应管、可控硅、肖特基、快恢复 TO-252 TO-220 TO-263 SOT223