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有多种解决方案，例如功率因数校正（PFC），以优化每个负载点电网的有功功耗。 氮化镓改进性能和成本 氮化镓（GaN）是一种具有宽带隙的半导体，其开关速度比硅元件快20倍，并且......
碳化硅功率器件的基本原理及优势;随着新能源汽车的快速发展，碳化硅功率器件在新能源汽车领域中的应用也越来越多。碳化硅功率器件相比传统的硅功率器件具有更高的工作温度、更高的能耗效率、更高的开关速度......
只需要断断续续的打开大水管上的阀门就能保证桶内的水既不会干涸也不会溢出，这就是MOSFET与IGBT等可以快速开关的功率半导体的工作原理，由于晶体管不会处于常开状态，其损耗相对较小，发热较低，可靠性更高。 功率半导体器件又称为电力电子器件......
证明您选择 SiC 作为开关模式设计的首选功率半导体是正确的，请考虑以下突出的特性。与标准或超级结 MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的电压、更高的频率和更高的温度下运行。其他器件......
府要求更高的效率。宽禁带 (WBG) 材料，例如GaN 和 SiC，开关速度比 Si 快十倍以上，并且在提高效率的同时减小了尺寸和重量。工程师采用宽禁带半导体设计系统时，需要更大的测量带宽，以对半导体器件......
采用功率MOSFET或功率IGBT等半导体器件。当控制电路施加了适当的电压时，半导体开关器件的栅极或基极将被激励，从而形成导通通路，使电流可以流过固态继电器。输入电路：直流......
帮助客户更简单地设计高压电源。吴经理分享TI 在高压技术领域的三个目标。第一，通过半导体器件的创新，帮助用户更大限度地减少开关损耗；第二，通过小体积设计，包括简化外围器件，帮助用户提高功率密度；第三，通过技术创新，更大限度提高功率管的开关速度......
【干货分享】MOSFET器件的高压CV测试详解;MOSFET、IGBT和BJT等半导体器件的开关速度受到元件本身的电容的影响。为了满足电路的效率，设计者需要知道这些参数。例如，设计一个高效的开关......
MOSFET器件的高压CV测试详解;_____本文引用地址：MOSFET、IGBT和BJT等半导体器件的开关速度受到元件本身的电容的影响。为了满足电路的效率，设计者需要知道这些参数。例如，设计一个高效的开关......
率和高温度等优异性能，逐渐成为汽车行业的新宠。 一、第三代半导体功率器件的特点 相较于传统的硅（Si）半导体材料，第三代半导体材料如SiC和GaN具有诸多优点： 更高的能效：第三代半导体功率器件具有更低的导通电阻和更高的开关速度......
双脉冲测试平台的架构及搭建方案;双脉冲测试 双脉冲测试是表征功率半导体器件动态特性的重要手段，适用于各类功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs......
管的电流需要过零，以便能够承担电压。从这点开始，IGBT可以将电压转移到二极管上，让自己的电压下降，直到达到饱和状态（Vcesat）。 由于芯片并联，最慢的二极管决定了整体开关速度。尽管......
汽车电机驱动系统仿真电路（Level 3） Level 3抽象了 PWM逆变操作，使用了理想的开关模型和二极管模型，仿真速度比Level 2慢。但是比使用实际的半导体模型的Level 4要快......
是工艺成熟，高压大电流工况下性能优异。但是开关速度不快，小电流损耗偏大。而硅基MOSFET优点是工艺成熟，低压小电流条件下导通电阻比较低，同时速度也比较快但是高压器件的导通电阻偏大。 SiC的......
种介电击穿强度更大、饱和电子漂移速度更快且热导率更高的半导体材料。SiC器件在用于半导体器件中时，可提供高耐压、高速开关和低导通电阻。东芝电子元件（上海）有限公司半导体技术统括部/技术企划部高级经理黄文源认为，SiC......
功率逆变器应用采用宽带隙半导体器件时，栅极电阻选型注意事项;本文为大家介绍氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势，以及如何权衡利弊。主要权衡因素之一是开关......
一代 1200V GaN 晶体管的价格将低于SiC同类产品。而且，在这些高压器件中，GaN较高的内在电子迁移特性仍会得以保留，这也就意味着其仍具有开关速度比SiC快的优势仍在，这显然有助于打造更轻、更小......
厂商崛起，并且迎来快速发展。 车规功率器件量价齐升，市场规模早已超千亿 按技术特点与功能的不同，功率半导体器件......
率（0.5～20 MVA）牵引、工业和电力逆变器中应用得最为普遍的是门控功率半导体器件。目前，GTO的最高研究水平为6in、6kV / 6kA以及9kV/10kA。为了满足电力系统对1GVA以上......
带隙 (WBG) 半导体取代开关模式电源和电机驱动器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。这种转变是由 和 器件的出色性能带来的，包括比硅器件更快的开关速度、更高的功率密度、更好的频率响应、更小......
带隙 (WBG) 半导体取代开关模式电源和电机驱动器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。这种转变是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能带来的，包括比硅器件更快的开关速度、更高的功率密度、更好......
美国开发出全固态热晶体管，可精确控制计算机芯片热量;近期，美国加州大学洛杉矶分校的一组研究人员推出了首个稳定的全固态热晶体管，它使用电场来控制半导体器件的热运动。 据介绍，该晶体管具有很高的速度......
功率为 270kW，而 Lucid Air 是市场上充电速度最快的电动汽车，充电功率输出为 350kW。现代汽车承诺到 2025 年将推出 23 款配备 800V 系统的 EV 车型。 宽禁带半导体，实现......
85家上市企业年中大考，这4家国产芯净利润突破1000%;截止八月的最后一天，国产半导体公司的上半年业绩已经陆续公布完毕，过去半年全球半导体产业景气度飙升，从上游的材料到下游的封测，都持续受益，那么......
带隙 (WBG) 半导体取代开关模式电源和电机驱动器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。这种转变是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能带来的，包括比硅器件更快的开关速度、更高的功率密度、更好......
带隙 (WBG) 半导体取代开关模式电源和电机驱动器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。这种转变是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能带来的，包括比硅器件更快的开关速度、更高的功率密度、更好......
应用于各种消费类电子以及各类供电系统当中，成为一种主流的电源产品。 测试需求 开关电源集成化是电源未来发展的主要趋势，这也就意味着功率密度将会越来越大，对工艺要求也会越来越高，在半导体器件和磁性材料没有新的突破之前，技术创新的重点将集中在如何提高开关......
点到外围环境(Θj-a)之间的热阻。在单个半导体器件中，所有的热量都集中在温度相同的某一点（半导体芯片）耗散。热量从该点传到封装（或者外壳），然后传到周围环境中，温差......
管是SiC PIN二极管，非常适合在10 kV至20 kV范围内工作，因为电导率调制可有效降低漂移区域电阻。 碳化硅开关 在许多工业应用中，功率半导体器件的阻断电压要求约为1.2至3.3 kV......
总投资42.45亿元 中贸源丰半导体器件专用设备制造等项目开工;据魅力淇滨消息，1月4日，河南省第三期“三个一批”活动淇滨区分会场集中开工仪式在深圳中贸源丰实业有限公司（以下简称“中贸源丰”）半导体器件......
上述挑战，团队系统开展了氧化物半导体器件在尺寸微缩下的性能优化研究，实现了10纳米超短沟长、1纳米超薄EOT栅介质与阈值电压的可控正移，关态电流、开关比等方面超越国际同类器件十倍以上。研究了非晶氧化物半导体......
背面有散热，有时我们在一侧有散热。问：宽禁带半导体器件在电力电子行业的应用将如何发展？Doug Bailey：由于 GaN 接近理想开关，因此我的观点是，当 GaN 可以时，GaN 就应......
损耗。 但优化 GaN 的潜力需要新的系统级思维。不再需要被迫使用为硅所发明的旧拓扑，因为 GaN 更接近于理想开关。我的意思是，GaN 器件的开关速度......
GaN FET 基础知识 电源转换电路的基本元件是高压半导体开关。设计人员一直专注于通过以下方式提高这些器件的性能：通过减少导通状态下的串联电阻来减少传导损耗，通过提高转换速度来减少开关损耗，以及......
非车载充电桩等领域将迎来规模化发展。 800V新架构下的电驱技术核心是启用SiC、GaN第三代半导体器件，技术的更迭为新能源汽车带来技术优势的同时，也带来了诸多挑战，这包括汽车半导体和整个供应链。800V超充......
构下的电驱技术核心是启用SiC、GaN第三代半导体器件，技术的更迭为新能源汽车带来技术优势的同时，也带来了诸多挑战，这包括汽车半导体和整个供应链。800V超充技术落地实施是一个系统工程，从半导体器件、电池......
非车载充电桩等领域将迎来规模化发展。 800V新架构下的电驱技术核心是启用SiC、GaN第三代半导体器件，技术的更迭为新能源汽车带来技术优势的同时，也带来了诸多挑战，这包括汽车半导体和整个供应链。800V超充......
如何用万用表测试MOSFET;介绍： MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）晶体管是一种广泛用于电子设备中开关和放大电子信号的半导体器件。 MOSFET 是一种四端子器件，具有......
固态热晶体管超高速精确控制热量，开辟计算机芯片热管理新领域;美国加州大学洛杉矶分校研究人员推出了首个稳定的全固态热晶体管，它使用电场来控制半导体器件的热运动。据11月3日发表在《科学》杂志......
Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（Metal-Oxide......
杭州78个重大项目集中开工，含美迪凯半导体器件、挠性覆铜板材料项目等;据杭州市人民政府门户网站消息，6月28日，浙江省举行2022年“两个先行”重大项目集中开工活动，杭州市参加本次全省集中开......
Nexperia宣布面向高速数据线的TrEOS系列ESD保护器件再添两款新产品;基础半导体器件领域的高产能生产专家宣布 产品组合再添新产品，即P4V0Y1BBSF和P4V0X2UM极低......
上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 IGBT是功率半导体器件，可以说是电动车的的核心技术之一，IGBT的好坏直接影响电动车功率的释放速度。特斯拉Model X使用132个......
非车载充电桩等领域将迎来规模化发展。 800V新架构下的电驱技术核心是启用SiC、GaN第三代半导体器件，技术的更迭为新能源汽车带来技术优势的同时，也带来了诸多挑战，这包括汽车半导体和整个供应链。800V超充......
新架构下的电驱技术核心是启用SiC、GaN第三代半导体器件，技术的更迭为新能源汽车带来技术优势的同时，也带来了诸多挑战，这包括汽车半导体和整个供应链。800V超充技术落地实施是一个系统工程，从半导体器件......
高速 TRENCHSTOP 5 IGBT与碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管相结合，在硬开关和软开关拓扑结构中具有完美的性价比。凭借卓越的性能、优化的功率密度和领先的质量，该功率半导体器件与的车载充电器实现了高度适配。本文......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管;合并PIN肖特基结构可带来更高的稳健性和效率 奈梅亨，2023年4月20日：基础半导体器件......
感系统的保护提供了一种高效的解决方案 奈梅亨，2022年12月19日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布Nexperia TrEOS产品组合再添新产品，即PESD4V0Y1BBSF和......
1627.5kk。 江苏捷捷微电子股份有限公司是一家集功率半导体器件、功率集成电路、新型元件的芯片研发和制造、器件研发和封测、芯片及器件......
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