Nexperia宣布面向高速数据线的TrEOS系列ESD保护器件再添两款新产品

发布时间:2022-12-19  

PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM兼具高浪涌耐受性、非常低的触发电压和极低的钳位电压,为敏感系统的保护提供了一种高效的解决方案


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奈梅亨,2022年12月19日:基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布Nexperia TrEOS产品组合再添新产品,即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM极低钳位电压ESD保护二极管。这些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的触发电压和极低的钳位电压以及宽通带,浪涌抗扰度出众,出众的IEC61000-4-5浪涌等级。


Nexperia高级产品经理Stefan Seider表示:“Nexperia开发了TrEOS产品组合,专门用于为我们的客户提供一系列适用于USB3.2、USB4™、Thunderbolt™、HDMI 2.1和通用闪存等应用的高性能ESD保护解决方案。PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM的快速开关速度可为高速数据线提供极为有效的ESD峰值抑制性能,而其低触发电压有助于显著降低IEC61000-4-5 8/20 µs浪涌脉冲所含的能量。”


单数据线PESD4V0Y1BBSF采用低电感DSN0603-2封装,触发电压为6.3 V TLP,典型器件鲁棒性和电容分别为25 A 8/20 µs和0.7 pF。PESD4V0Y1BBSF提供的钳位电压在16 A 100 ns TLP时仅为2.4 V,在20 A 8/20 µs浪涌时仅为3.4 V。双数据线PESD4V0X2UM采用紧凑型DFN1006-3封装,触发电压为8 V,典型器件鲁棒性超过14 A 8/20 µs,典型器件电容为0.82 pF。 


虽然这两种器件都可为USB2.0 D+/D-线路提供出色的保护作用,但PESD4V0Y1BBSF的S21通带超过7.5 GHz,因此适用于5 Gbps时的USB3.x。这两种器件都可提供高水平的抗浪涌性能,出众的IEC61000-4-5浪涌等级。 



文章来源于:电子工程世界    原文链接
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