资讯
柴油发动机功率不足的原因和排查方法(2024-11-01 08:04:21)
入过热保护模式，限制发动机功率。
冷却液温度高的原因及解决方法：
散热器水面过低。
检查......
变频器相关问题解答(2024-07-19)
子430的变频器输出电抗器温度高，105度，是电抗器的问题吗？
答：一般在60度左右才是正常，出现这种情况可能有以下两个原因：一是载波频率设置的太高，变频器载波频率输出调的太高，变频......
电机能够承受多高的温度？什么原因导致电机会发热？(2023-10-30)
过高就是电动机常见的故障类型之一，那么究竟是什么原因引起来电动机的温度过高呢？
下面是常见的电动机温度高的原因及处理方法：
1、电动机的即时电压超过额定电压10%以上，或电动机的即时电压低于额定电压5%以上时，都会导致电动机在额定负载下发热和温度......
Vishay 推出两款采用紧凑、高隔离延展型SO-6封装的最新IGBT和MOSFET驱动器(2024-10-28)
流/直流转换的逆变级。器件非常适合直接驱动额定值达1200 V / 100 A的IGBT。
VOFD341A和VOFD343A支持的工作温度高，这为更紧凑的设计提供了更高的温度......
常见的电动机温度高的原因及处理方法(2023-10-27)
常见的电动机温度高的原因及处理方法;一般电机在多高的温度下能够正常工作？电机最多能够承受多高的温度？
答：如果测量电机盖的温度超过环境温度 25 度以上时，表明......
Vishay的采用延展型SO－6封装的新款 IGBT和MOSFET驱动器实现紧凑设计、快速开关和高压(2024-10-24 14:29)
非常适合直接驱动额定值达1200 V / 100 A的IGBT。VOFD341A和VOFD343A支持的工作温度高，这为更紧凑的设计提供了更高的温度安全裕量，而器件的高峰值输出电流无需额外的驱动级即可实现更快开关。器件......
浅谈离心风机温度升高的原因及措施(2024-01-03)
浅谈离心风机温度升高的原因及措施;设备状态一
状态：风机运行无异响，振值正常（2-3mm/s），温度较高(75-80°C)。
该风机运行良好，但电机侧轴承温度已超正常值，判断为轴承紧力较大，需进......
温度高要不得！薄膜电容温度过高的原因(2023-08-30)
温度高要不得！薄膜电容温度过高的原因;夏天到了温度越来越高，有许多人回到家里摸着家里的家电机身都是热的觉得家电被热坏了就用不了了。其实许多家电在使用时自身会发热，比如冰箱，别看......
TI推出250W氮化镓IPM，比IGBT更小巧更高效(2024-06-26)
MOSFET。
至于开关损耗，氮化镓FET的损耗则比MOSFET和IGBT低得多，原因如下：
氮化镓具有零反向恢复特性。借助零反向恢复特性，可以以非常高的电流斜率 (di/dt) 和电压斜率 (dv/dt......
干货分享丨太厉害了，终于有人能把IGBT讲得明明白白！(2024-10-21 17:53:55)
等高端器件差距更加明显。核心技术均掌握在发达国家企业手中，IGBT技术集成度高的特点又导致了较高的市场集中度。跟国内厂商相比，英飞凌、 三菱和富士电机等国际厂商占有绝对的市场优势。形成这种局面的原因......
电动汽车用超高功率密度电机驱动系统关键技术研究(2023-03-27)
轴向电机结构较传统径向电机结构可以带来30%的转矩能力提升[7]。轴向磁通电机由于其结构特性，具备轴向结构紧凑、外形呈扁平状、体积小、功率密度高的特点，近年来经过行业内的不断改进、完善，已逐渐适用于新能源电动汽车[7-8]。图5......
充分利用IGBT的关键在于要知道何时、何地以及如何使用它们(2023-10-16)
和半桥拓扑结构的 开关频率通常在 20 至 50 kHz 之间。
图 2：IGBT用于焊接的全桥、半桥和双管正激拓扑结构
电磁炉
电磁炉的原理是，通过励磁线圈迫使电流在高磁导率材质的锅内循环。然后，逆变......
为什么变压器绝缘系统额定值很重要?(2024-09-29)
商的目标是设计温升较低的变压器，这就是隔热系统的作用。
绝缘系统是变压器能够承受的最高内部温度。在其绝缘系统的温度范围内工作的变压器的预期寿命通常为20-25年，较高的温度通常是降低变压器寿命的主要原因......
变频器过载的原因及处理 变频器过载怎么处理设置参数(2023-08-07)
变频器过载的原因及处理 变频器过载怎么处理设置参数; 变频器过载的原因及处理
变频器过载是指变频器输出电流超过额定电流，通常是由于负载过重或运行条件发生变化引起的。以下是一些常见的变频器过载原因......
电动压缩机设计-SiC模块篇(2024-09-25)
速度比IGBT快很多。这也是SiC MOSEFT比IGBT更适用于更高频率应用的原因。而更高的驱动频率（比如20kHz或以上），可以有效减小电机的噪音，提高电机系统的响应速度和动态抗干扰能力。另外，更高的......
电动压缩机设计-SiC模块,压缩机(2024-09-25)
/SiC MOSEFT效率对比
3. 适用于高频应用
SiC MOSEFT是单极性器件，没有拖尾电流，开关速度比IGBT快很多。这也是SiC MOSEFT比IGBT更适用于更高频率应用的原因。而更高的......
SiC主驱逆变器让电动汽车延长5%里程的秘诀(2024-07-12)
厂商对于采用 SiC 的顾虑
尽管 SiC 具有明显的优势，但一些汽车 OEM 厂商还是迟迟不肯放弃更传统的硅基开关器件，例如用于主驱逆变器的 IGBT。OEM 厂商不愿采用 SiC 的原因包括：
◆ 认为......
SiC风再大也难掩硅基IGBT的“光彩”，国内几大项目何时量产？(2023-07-07)
期半导体组件中，唯一还能大涨价且一路供不应求的品项。
导致IGBT缺货、涨价的原因主要有四点：其一，需求旺盛，车用、工业应用所需IGBT用量大增；其二，供给......
SiC主驱逆变器让电动汽车延长5%里程的秘诀(2023-10-19)
些汽车 OEM 厂商还是迟迟不肯放弃更传统的硅基开关器件，例如用于主驱逆变器的 IGBT。OEM 厂商不愿采用 SiC 的原因包括：
◆ 认为 SiC 是一种尚未成熟的技术
◆ 觉得 SiC 难以实施
◆ 以为......
宏微科技推出1700V IGBT产品，广泛应用于高压变频、SVG、储能等领域(2023-11-24)
封装平台功率密度高低热阻设计低寄生电感通过HV-H3TRB、防硫等可靠性试验
2. 参数对比
1、常高温下FRD压降更低，热阻更小；IGBT压降......
碳化硅如何最大限度提高可再生能源系统的效率(2023-07-06)
系统或直流快充电源模块等可再生能源系统中至关重要。
很多可再生能源应用的运行面积较小，会产生大量热量，推动设计人员不断探寻缩减印刷电路板尺寸和最大程度进行散热的方法。SiC 比 IGBT 的工作温度高，使得 SiC 电源开关具有更高的......
面对IGBT持续缺货，国内IGBT厂商正加速国产替代(2023-04-03)
我国拥有最大的功率半导体市场，但是目前国内功率半导体产品的研发与国际大公司相比还存在很大差距，特别是IGBT等高端器件差距更加明显。核心技术均掌握在发达国家企业手中，IGBT技术集成度高的特点又导致了较高的......
变频器出现漏电问题分析(2023-09-22)
电压有几十伏到二百伏电压不等。针对这个问题，特对此种现象产生的原因进行分析如下：
根据变频器控制电机运行的功能框图（上图），三相电源经过变频器整流桥整流之后，经电容滤波送到逆变桥（IGBT），再经......
电机驱动电路的优选IGBT单管(2023-10-23)
FHF20T60A的IGBT单管的原因是除了高可靠性和反向并行的快恢复二极管特性外，还拥有拖尾电流非常短、关断损耗低、出色的Vcesat饱和压降以及正温度系数等特点。
从这一款20A、600V电流、电压......
分析安规电容使用后就坏了的原因(2023-09-20)
分析安规电容使用后就坏了的原因;安规电容是指电容器失效后，不会导致电击，不危及人身的电容器。通常被用于抗干扰电路中的滤波作用。它们用在电源滤波器里，起到电源滤波作用，分别对共模，差模......
如何实现纯电动汽车电机驱动系统三相线滤波磁环的设计？(2023-11-09)
车用硅基 IGBT 的工作频率一般为10kH，同时由于电路中杂散电感等寄生参数的存在，IGBT 在开通和关断 瞬间会产生较高的du/dt 和 di/dt，如图 1(b)所示某款纯电动汽车用IGBT 模块......
如何实现纯电动汽车电机驱动系统三相线滤波磁环的设计(2024-01-25)
的工作频率一般为10kH，同时由于电路中杂散电感等寄生参数的存在，IGBT 在开通和关断 瞬间会产生较高的du/dt 和 di/dt，如图 1(b)所示某款纯电动汽车用IGBT 模块......
车规模块系列 ：特斯拉TPAK系列(2023-09-18)
封装，可以说将单管并联方式发挥的淋漓尽致。采用这方面的原因可能是当时可选择的车规IGBT模块较少，并且单个单管电流等级较小而采用多并联来达到所需电流等级。
随着第三代半导体SiC的入局，对于......
如何通过优化模块布局解决芯片缩小带来的电气性能挑战(2023-03-13)
两种布局在第一阶段显示了相等的di/dt，但V2有一个较高的反向恢复电流峰值，而V1在最后阶段显示了一个较高的反向恢复拖尾电流。这表明两种布局的二极管恢复过程是不同的，而且它直接影响到IGBT的开通损耗和二极管的关断损耗。为了......
工业马达驱动设计中IGBT的作用(2024-08-13)
封装。对 IGBT 和 FRD 中的开关瞬态和正向传导所引起的功率损耗，这些封装提供了有效的散热。在马达控制应用中，对环境温度高，气流减少或不可用的地方，设计人员需要思考功耗对整个系统的影响。因为......
分析薄膜电容故障的原因(2023-10-12)
使用环氧树脂包封，阻燃性能好。
由于薄膜电容有着无极性，绝缘阻抗高，频率特性好，介质损失小等优良的特性被广泛应用于各个电子领域当中，也经常被用在模拟电路中。然而薄膜电容也会因为某些原因出故障而不能使用。
一、工作环境温度高......
芯能发布DIPS26-DBC系列智能功率模块(2023-06-14)
面上主流产品完全兼容)
2. 集成多重保护功能
集成自举电路、欠压保护、过流保护、温度输出功能
3. 功率密度高......
力积电：部分市场需求已有回温迹象(2023-04-18)
意议价企图心强，预期下半年景气会好一些，不太可能更差。
观察近期市况来看，他指出看好市场景气转好的原因有三：一是网通基础建设需求重新启动，包括WiFi、IP Cam、面板等产业，偶有急单，也带......
车规级 | 功率半导体模块封装可靠性试验-热阻测试(2024-07-05)
功率半导体器件市场迎来了爆发式的增长。
车规级功率半导体器件由于高工作结温、高功率密度、高开关频率的特性，伴随着车用场景中更严苛的使用环境，对功率器件的可靠性验证提出了更高的要求。
在因为功率器件相关原因所引起电子系统失效的原因......
变频器和IGBT的基础知识(2024-05-30)
住效应和安全工作区
从IGBT的结构可以发现，IGBT电流可能发生失控的现象，就像普通晶闸管被触发以后，即使撤消触发信号晶闸管仍然因进入正反馈过程而维持导通的机理一样，因此被称为擎住效应或自锁效应。
引发擎住效应的原因......
碳化硅MOSFET在电动汽车热管理系统中的研究(2023-05-04)
制器输出电压稳定,在不同的输出电流时,器件仿真结温低于硅IGBT的仿真结温,并且随着电流的增大,两者间的差距逐渐变大｡更低的温升意味着控制器有更低的损耗且能够工作在更高的环境温度下｡碳化硅MOSFET......
常用的功率元器件大全(2023-02-06)
兼有 IGBT 和 GTO 两者的优点： 低饱和压降，安全工作区（吸收回路容量仅为 GTO 的十分之一左右） ，低栅极驱动功率（比 GT O 低两个数量级）和较高的工作频率。器件......
电动汽车直流充电桩设计指南完整版来了，全干货！(2024-06-06)
低边 MOSFET 自导通的风险。主要的原因包括米勒电容、栅极电阻和高 dv/dt。解决方案之一是使用提供负栅极电压的栅极驱动器。
NCP51752 是一款单通道隔离栅极驱动器， 拉电流和灌电流峰值分别为 4.5......
电动汽车直流充电桩设计指南完整版来了，全干货！(2024-07-09)
器由使用宽禁带元件的电桥组成，存在低边 MOSFET 自导通的风险。主要的原因包括米勒电容、栅极电阻和高 dv/dt。解决方案之一是使用提供负栅极电压的栅极驱动器。
NCP51752 是一......
SiC MOSFET的短沟道效应(2023-03-29)
SiC MOSFET的短沟道效应;Si IGBT和SiC沟槽之间有许多电气及物理方面的差异，Practical Aspects and Body Diode Robustness......
PI多款产品亮相PCIM Asia 2023(2023-09-04 13:45)
，可实现ASIL C牵引逆变器的设计。第一个发布的SCALE EV系列成员是2SP0215F2Q0C，专为EconoDUAL 900A 1200V IGBT半桥模块而设计。创新的新型驱动器IC具有非常高的......
永磁同步电机控制系统仿真—逆变器模型（1）(2024-08-27)
感应电机，直线同步电机。但是只要你掌握了最重要的原理和方法，就能满足电力电子系统仿真千变万化的需求。当然这也对个人能力提出了更高的要求。
三相两电平逆变器
三相......
市场呼求第二代额温枪方案：40度高温下精度仍能达到±0.2(2020-06-08)
。
其实背后的原因是，由于户外高温环境对于传感器灵敏度的要求大大提高，第二代方案需要重新进行温度补偿算法的全域环境温度的标定，且要进行高低温最少10点的环境温度的标定与验证，从零下20度到零上42度的全域温度的标定与温度......
引起变频器过热的故障原因有哪些(2023-03-24)
器内部是由无数个电子器件构成的，其工作时会产生大量的热量，尤其是IGBT工作在高频状态下，产生的热量会更多。如果环境温度过高，也会导致变频器内部元器件温度过高，为保护变频器内部电路，此时变频器会报温度高......
如何利用 SiC 打造更好的电动车牵引逆变器(2024-07-23)
无法有效利用。基于 SiC 的解决方案不仅在所有输出水平下都具有较低的导电损耗（在 8kHz 下，损耗会大幅降低），而且还能在较高的逆变器频率下使用（能效很高）。
图 3：基于 1200V IGBT......
芯能发布DIPS26－DBC系列智能功率模块(2023-06-15 10:12)
电压等级：2000Vac解决问题1. 管脚爬电距离优化(与市面上主流产品完全兼容)
2. 集成多重保护功能集成自举电路、欠压保护、过流保护、温度输出功能
3. 功率密度高电流等级可达15A，功率密度高、DBC......
深度解析电磁炉的工作原理与常见故障(2023-03-23)
质锅体的铁分子高速动动产生热量，然后加热锅中的食物。
二、电磁炉的原理方块图
三、电磁炉工作原理说明
1、主回路
图中整流桥DB1将工频（50HZ）电流变成直流电流，L1为扼流圈，L2是电磁线圈，IGBT由控......
ABB变频器的常见故障和解决方法(2024-07-09)
路分析法就是从变频器的主电路着手，分析引起故障的原因与解决方法。根据经验，一般遇见ABB变频器主电路故障时，可从以下几个方面着手。
a、滤波电容所引起故障
故障原因：电网电压不稳，和内部温度过高，元件性能不好。
解决......
ABB变频器的典型故障及处理办法(2024-07-03)
路分析法就是从变频器的主电路着手，分析引起故障的原因与解决方法。根据经验，一般遇见ABB变频器主电路故障时，可从以下几个方面着手。
a、滤波电容所引起故障
故障原因：电网电压不稳，和内部温度过高，元件性能不好。
解决方法：
① 主要......
SiC MOSFET用于电机驱动的优势(2023-12-22)
产生拖尾电流，拖尾电流是造成IGBT关断损耗的大的主要原因。SiC MOSFET是单极性器件，只有电子参与导电，关断时没有拖尾电流使得SiC MOSFET关断损耗大大低于IGBT。
开通损耗
IGBT开通......
相关企业
市广威电子有限公司经营的电子元件、温度开关、IGBT、模块、电源IC、场效应管、功率管畅销消费者市场。深圳市广威电子有限公司的产品在消费者当中享有较高的地位，公司与多家零售商和代理商建立了长期稳定的合作关系。深圳
;北京华科诚业电子经营部;;北京华科诚业电子经营部 经销批发的IGBT模块、IGBT驱动、可控硅、整流桥、三相桥、IPM、PIM、等功率模块畅销消费者市场，在消费者当中享有较高的地位，公司
;深圳市速成科技有限公司株洲办事处;;深圳市速成科技有限公司 经销批发的IGBT模块、IGBT驱动、电解电容、薄膜电容、吸收电容畅销消费者市场，在消费者当中享有较高的地位，公司
IGBT、富士模块，英飞凌模块，驱动模块，日立电容畅销消费者市场，在消费者当中享有较高的地位，公司与多家零售商和代理商建立了长期稳定的合作关系。北京万利荣达科技有限公司经销的电子元器件、IGBT模块
连接器等产品的经销批发的个体经营。天宁区天宁风叶电子经营部经营的模块，可控硅，达林顿、二极管，IGBT、时间，中间，小型继电器、微动，船型，轻触，按钮、接近，光电开关、温度，色标传感器、光纤，放大器、编码
等产品的经销批发的私营独资企业。联众电子有限公司经营的IGBT、IGBT、变频专用功率集成模块、整流桥模块、二极管模块、可控硅模块、IGBT模块畅销消费者市场。联众电子有限公司的产品在消费者当中享有较高的地位，公司
主要特点如下：１、灵敏度高：电阻温度系数达－（２～５）％℃２、精度高：阻值允许偏差：（±0.5％～±５％） Ｂ值允许偏差：（±0.5％～±２％）３、性能稳定可靠，由于优选配方，采用进口的原
要产品分为以下几大类： 压力控制元件：压力开关、压力变送器； 温度控制元件：温度开关、温度传感器； 工业阀门：电磁阀、自励式温控阀、角座阀。 丹佛斯的工控产品一直以具备精度高、可靠性好，能满
;深圳市永乐源电子经营部;;深圳市永乐源电子经营部 经销批发的销售二三极管、场效应管、可控硅、肖特基、快恢复、IGBT、稳压IC畅销消费者市场，在消费者当中享有较高的地位，公司
;深圳市金和高科技有限公司销售部;;深圳市金和高科技有限公司 经销批发的富士IGBT、电容畅销消费者市场，在消费者当中享有较高的地位，公司与多家零售商和代理商建立了长期稳定的合作关系。深圳