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讲透三极管(2024-06-13)
有区别的）。 接下来重点讨论P区，P区的少数载流子是电子，要想用电注入的方法向P区注入电子，最好的方法就是如图所示，在P区下面再用特殊工艺加一块N型半导体。 其实上图就是NPN型晶......
高中学的化学键稳定性原理，会有“空穴”容易导电，因此，这里空穴是“多子”即多数载流子，掺杂类型为P(positive)型;同理，掺杂五价元素，电子为“多子”，掺杂类型为N(negative)型......
三极管知识讲解，补课(2024-11-09 18:33:37)
体三极管的雏形，其相应各部分的名称以及功能与三极管完全相同。为方便讨论，以下我们对图C中所示的各个部分的名称直接采用与三极管相应的名称（如“发射结”，“集电极”等）。再看示意图C，图中最下面的发射区N型半导体内电子作为多数载流子......
区一侧带正电，形成由 N 区指向 P 区的电场，即 PN 结内电场。内电场将阻碍多数载流子的继续扩散，又称......
为 电子—空穴对 。 15、N型半导体中的多数载流子是 电子......
却存在开关损耗大 的问题，其结果是由此产生的发热会限制IGBT的高频驱动。 SiC材料却能够以高频器件结构的多数载流子器件（肖特基势垒二极管和MOSFET）去实现高耐压，从而同时实现 “高耐压”、“低导通电阻”、“高频......
mΩ级别，流过1A级别的电流，也才mV级别，所以D极和S极之间的导通压降很小，不足以使寄生二极管导通，这点需要特别注意。 ▉ MOS管工作原理（以N沟道增强型为例） N沟道增强型MOS管在P型半导体......
电位，J1 导通。P + 区的少子（空穴）开始进入 N - 区，使得该区的少数载流子浓度超过多数载流子几个数量级（假设集电极电压足够高）。为了保持电荷中性，大量的自由电子从 N + 区吸引到 N......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
，多数载流子是空穴；源，漏极是N型掺杂，多数载流子是电子，熟悉PN节的读者可以很快看出来，源极和漏极之间有两个背靠背的PN节，即使源，漏极加上电压，总有一个PN节处于反偏状态，源漏......
应管 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体......
）：在 CCD 中，电荷注入的方式可分为光注入和电注入两类。当光照射到 CCD 硅片上时，在栅极附近的半导体体内产生电子-空穴对，多数载流子被栅极电压排斥，少数载流子则被收集在势阱中形成信号电荷。 背照......
应管 场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(108......
生电流；而三极管工作时基极电流IB决定集电极电流IC。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高的多。 4、场效应管只有多数载流子参与导电；三极管有多数载流子和少数载流子两种载流子参与导电，因少数载流子......
极管工作时基极电流IB决定集电极电流IC。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高的多。 4、场效应管只有多数载流子参与导电；三极管有多数载流子和少数载流子两种载流子......
场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高的多。 4、场效应管只有多数载流子参与导电；三极管有多数载流子和少数载流子两种载流子参与导电，因少数载流子......
模式：在图 2(b) 中，将 1 V 的正驱动偏压施加到顶部喷油器 B1-E1。这种偏压注入导致少数载流子的载流子密度增加，然后注入漂移区。结果，由于 N 漂移区中载流子密度的增加，顶部 E1 和底部 E2......
材料与器件的研究取得了丰硕的成果。随着有机半导体材料与器件研究和开发的深入, 研究人员越发清楚地认识到, 有机半导体中载流子的传输能力是影响有机半导体......
探测器能够在单一材料层中实现中子俘获、能量沉积、载流子产生和收集，具有接近100%的理论本征探测效率和器件结构简单的特点。然而，在设计和开发具有适用于直接中子探测的材料时仍然面临诸多困难。适合于直接探测中子的半导体......
可以看到导通电阻与单极元件的击穿电场成反比。 较薄的半导体层涉及较低密度的少数载流子，这是定义反向恢复电流的重要参数。事实上，在其他特性相同的情况下，设计用于支持更高电流的更大裸片的组件将具有更大的电荷，这些电荷会经历导通和阻断之间的瞬变，因此......
碳化硅肖特基二极管是肖特基结构，且是多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题，因此碳化硅肖特基二极管可以降低对应换流回路中的开关损耗，在更高的频率环境中工作，且在相同工作频率下具有更高的效率。 在光......
、MOS管的构造 在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S。 然后在漏极和源极之间的P型半导体......
，并以1平方厘米875兆瓦的电力运行。本文引用地址：在半导体中，输出功率值为全球最高，在所有半导体中也仅次于氮化镓产品的约2090兆瓦。与作为新一代功率半导体的碳化硅（SiC）产品和氮化镓（GaN......
成为人造卫星等所必需的构件。 半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。耐高压、大射频、低成本、耐高温，多重特性助推金刚石成下一代半导体材料。金刚石禁带宽度5.5eV超现有氮化镓、碳化硅等，载流子......
来源：东京都立大学 在使用从二硒化钨生长出来的二硫化钼证明了他们技术的稳健性之后，他们把注意力转向了铌掺杂的二硫化钼，一种p型半导体。通过生长出未掺杂的二硫化钼（一种n型半导体）的多层结构，研究......
。资料来源：东京都立大学 在使用从二硒化钨生长出来的二硫化钼证明了他们技术的稳健性之后，他们把注意力转向了铌掺杂的二硫化钼，一种p型半导体。通过生长出未掺杂的二硫化钼（一种n型半导体）的多......
也是如此操作，只是掺杂的杂质让电子（带负电的粒子）数量增多。空穴和电子被称为载流子。如果将P型半导体和N型半导体制作在同一块半导体基片（硅或锗）上，一方面由于浓度差，P型区多子（空穴）会向N型区扩散，而N型区......
可在这两种状态之间瞬间切换。从定量角度来看，由于基于MOSFET的功率器件是单极性器件，因此与这一定义最为接近。功率MOSFET结构中的导通状态电流通过单极传输，这意味着N沟道器件中只有电子。由于没有少数载流子......
线照射 PN 结时，可以使 PN 结中产生电子一空穴对，使少数载流子的密度增加。这些载流子在反向电压下漂移，使反向电流增加。因此可以利用光照强弱来改变电路中的电流。 利用这个电流变化，我们......
有望同时实现高效的电荷传输和机械拉伸性，”Yu 说。 研究人员使用 LPSM 方法创建了p 型和 n 型半导体，其主要载流子分别是空穴和电子。Yu 表示，使用这两种半导体类型，研究人员创造了晶体管、逆变......
。碳化硅MOSFET属于这一类。与Si IGBT相比，SiC MOSFET中的多数载流子导通机制可显著降低开关损耗。碳化硅MOSFET在结构上可分为两种类型：规划器和沟槽。双植......
的微观运动情况加以分析说明. 1、发射区向基区发射电子 由于发射结处于正向偏置，多说载流子的扩散运动加强，发射区的多说载流子（电子）向基区扩散（称为发射），同样基区的多数载流子（空穴）也向......
主要区域组成。依照其“通道”(工作载流子的极性不同，可分为“N型“与“P 型”的两种类型，通又称为 NMOS与 PMOS。 一. MOSFET工作......
，约飞就表现出非凡的科学成就，涉及核物理，聚合物物理和半导体物理。30年代初，他指出半导体材料是电子技术的新材料，他和Я.И.夫伦克耳在半导体的导电性的研究中提出阻挡层的概念，他的有关半导体中的两种载流子......
-SCS（半导体表征系统）中使用这些关键功能来执行热载流子退化测试。 图1. 漏极雪崩热载体效应 MOSFET热载流子效应及器件性能监测 今天的超大规模集成电路MOSFET器件......
是一个相当重要的可靠性问题。电荷载流子在MOSFET通道上被大电场加速时获得动能。虽然大多数载流子到达了漏极，但热载流子（具有非常高动能）由于撞击电离可以在漏极附近产生电子——空穴对，这是......
是一个相当重要的可靠性问题。电荷载流子在MOSFET通道上被大电场加速时获得动能。虽然大多数载流子到达了漏极，但热载流子（具有非常高动能）由于撞击电离可以在漏极附近产生电子——空穴对，这是原子级别的碰撞。另一......
在MOSFET通道上被大电场加速时获得动能。虽然大多数载流子到达了漏极，但热载流子（具有非常高动能）由于撞击电离可以在漏极附近产生电子——空穴对，这是原子级别的碰撞。另一些则可以注入栅极通道界面，破坏Si-H键......
: PEC PD)引起了人们的浓厚兴趣，其工作过程不仅包含传统半导体物理中载流子的产生、分离及传输过程，还涉及电子和空穴在半导体表面/电解液界面处的氧化/还原反应过程。重要的是，在光......
需要更强的电场。 b）隧道效应 隧道效应又称为齐纳击穿、隧道穿通，（一般发生在击穿电压VB<4V时，）其原理如下： 图[9] P+N+结电压反偏示意图 将两块重掺杂的P+、N+半导体材料结合在一起，由于......
注入效应。随着MOS器件的特征尺寸不断缩小到亚微米，热载流子注入效应变得越来越严重，为了改善热载流子注入效应，半导体业界通过利用LDD （Lightly Doped Drain – LDD）结构改善漏端耗尽区的峰值电场来改善热载流子......
要额外的二极管实现。 图 6. 体二极管正向电压 与大多数载流子器件如碳化硅肖特基势垒二极管不同，碳化硅MOSFET的体二极管通过PIN二极管结构中的少数载流子注入而具有反向恢复电荷（QRR），注入到轻掺杂漂移区的少数载流子......
应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^7～10^12Ω）、噪声小、功耗......
的电子迁移率，拥有耐高压、大射频、低成本、耐高温等多重优异性能参数，以及其他优异的物理特性。具体来看，金刚石半导体具有超宽禁带(5.45eV)、高击穿场强(10MV/cm)、高载流子饱和漂移速度、高热导率(2000W......
加电场的作用下，电子源源不断的通过电源负极，注入到N+层，N层，使得轻掺杂的N层载流子浓度以非线性的形式快速提高，大大提高了通流能力；空穴同理。 2.N+、P+、N掺杂层形成NPN  BJT结构，变化......
线照射PN结时，可以使PN结中产生电子一空穴对，使少数载流子的密度增加。这些载流子在反向电压下漂移，使反向电流增加。因此可以利用光照强弱来改变电路中的电流。本文引用地址：下面是常见的模块： 2. 光二......
技术之间的融合正在全面展开。 1)源极：大多数电荷载流子通过其流入晶体管的端子 2)漏极：大多数电荷载流子从晶体管流出的端子 3)逻辑半导体：通过......
具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的介绍; 随着半导体行业的最新进展，对具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) 的研究正在兴起。在 SB MOSFET 中，源极......
团队在金半界面处引入了钝化层改善器件性能：利用AlN/β-Ga2O3界面工程对金半界面处的载流子传输进行调控，所制备的金属-绝缘体-半导体-绝缘体-金属（MISIM）结构......
团队在金半界面处引入了钝化层改善器件性能：利用AlN/β-Ga2O3界面工程对金半界面处的载流子传输进行调控，所制备的金属-绝缘体-半导体-绝缘体-金属（MISIM）结构的日盲光电探测器实现了响应度和响应速度的同时优化。具有 3 nm......
工作突破了长期以来阻碍二维电子学发展的关键科学瓶颈，将n型二维半导体晶体管的性能首次推近理论极限，率先在实验上证明出二维器件性能和功耗上优于先进硅基技术，为推动二维半导体技术的发展注入了强有力的信心和活力。 封面......

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