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材料与器件的研究取得了丰硕的成果。随着有机半导体材料与器件研究和开发的深入, 研究人员越发清楚地认识到, 有机半导体中载流子的传输能力是影响有机半导体......
清华大学材料学院李千课题组合作在半导体中子探测晶体研发领域取得进展;中子探测在核能、核医学、航天及深空探测、放射物质检测、无损检测成像、中子散射等许多国民经济、国防......
，并以1平方厘米875兆瓦的电力运行。本文引用地址：在半导体中，输出功率值为全球最高，在所有半导体中也仅次于氮化镓产品的约2090兆瓦。与作为新一代功率半导体的碳化硅（SiC）产品和氮化镓（GaN......
成为人造卫星等所必需的构件。 半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。耐高压、大射频、低成本、耐高温，多重特性助推金刚石成下一代半导体材料。金刚石禁带宽度5.5eV超现有氮化镓、碳化硅等，载流子......
注入效应。随着MOS器件的特征尺寸不断缩小到亚微米，热载流子注入效应变得越来越严重，为了改善热载流子注入效应，半导体业界通过利用LDD （Lightly Doped Drain – LDD）结构改善漏端耗尽区的峰值电场来改善热载流子......
模式：在图 2(b) 中，将 1 V 的正驱动偏压施加到顶部喷油器 B1-E1。这种偏压注入导致少数载流子的载流子密度增加，然后注入漂移区。结果，由于 N 漂移区中载流子密度的增加，顶部 E1 和底部 E2......
讲透三极管(2024-06-13)
暗电流)，此时相当于光敏二极管截止； 当有光照射时，PN结附近受光子的轰击，半导体内被束缚的价电子吸收光子能量而被击发产生电子—空穴对，这些载流子的数目，对于多数载流子影响不大，但对P区和N区的少数载流子......
: PEC PD)引起了人们的浓厚兴趣，其工作过程不仅包含传统半导体物理中载流子的产生、分离及传输过程，还涉及电子和空穴在半导体表面/电解液界面处的氧化/还原反应过程。重要的是，在光......
三极管知识讲解，补课(2024-11-09 18:33:37)
近受光子的轰击，半导体内被束缚的价电子吸收光子能量而被击发产生电子—空穴对，这些载流子的数目，对于多数载流子影响不大，但对P区和N区的少数载流子来说，则会使少数载流子的浓度大大提高，在反向电压作用下，反向......
界和低缺陷密度等特点，广泛应用于光电器件构建。由于有机单晶中载流子的输运具有各向异性，可控取向有利于实现最佳的电荷输运性能，同时取向一致的单晶阵列有利于减少器件集成串扰与性能差异。然而，有机半导体......
的形式制造，才能进一步谈及替代无处不在的硅，直到最近，麻省理工学院团队首次透过实验验证立方砷化硼材料在室温下的高载流子迁移率。 虽然科学家证明了立方砷化硼出色的热性能和电性能，看起来几乎是理想的半导体......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品; 【导读】MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源(Source)、漏(Drain)和栅(Gate)三个主要......
改善伴随高耐压化而引起的导通电阻增大的问题，主要采用如IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor : 绝缘栅极双极型晶体管）等少数载流子器件（双极型器件），但是......
Park 教授、华北电力大学戴松元教授合作，成功在反式钙钛矿太阳研究方面取得新突破。 据悉，该研究首次发现钙钛矿阳离子面外分布不均匀是影响电池性能的主要原因，并通过设计 1-（苯磺......
性和使用寿命。」华为专利主要就是利用金刚石的高散热性。 第二，5.5eV 的禁带宽度。金刚石是一种超宽禁带半导体材料，其禁带宽度是 Si 的 5 倍；载流子迁移率也是 Si 材料的 3 倍，理论上金刚石的载流子迁移率比现有的宽禁带半导体......
-SCS（半导体表征系统）中使用这些关键功能来执行热载流子退化测试。 图1. 漏极雪崩热载体效应 MOSFET热载流子效应及器件性能监测 今天的超大规模集成电路MOSFET器件......
。 2、载流子：导电介质，分为多子和少子，概念很重要，后边会引用 3、空穴”带正电，电子带负电，但掺杂后的半导体......
浓度是一个重要的技术参数。目前，行业普遍使用电容电压（CV）法来测量同质外延层的载流子浓度。该方法可直接在半导体上形成肖特基势垒测得外延层的载流子浓度，也可以形成MOS电容结构对CVD工艺等进行监控，从而有效评估各类半导体材料制造工艺中外延层的载流子......
近左侧的隔离器），在导通模式下可成为极其出色的导体（Si和SiC的载流子流动性都很高）。   图2. 漂移区更窄是SiC的WBG特性的主要影响，这是导致总Rdson增大的最大因素。 目标......
为 电子—空穴对 。 15、N型半导体中的多数载流子是 电子......
生产医疗用和车载用中型显示屏。 OLED(Organic Light-Emitting Diode)又称为有机电激光显示、有机发光半导体(Organic Electroluminescence......
、水泵、油泵、空调压缩机等应用中都会使用到 IGBT。 因此，加强对汽车级 IGBT 及其封装技术的研究是推动新能源汽车技术升级的关键。 1. 车载功率半导体概述 纯电......
也是如此操作，只是掺杂的杂质让电子（带负电的粒子）数量增多。空穴和电子被称为载流子。如果将P型半导体和N型半导体制作在同一块半导体基片（硅或锗）上，一方面由于浓度差，P型区多子（空穴）会向N型区扩散，而N型区......
使得碳化硅材料可以很好地适用于高性能(高频、高温、高功率、抗辐射)电子器件。高的热导率有利于大的热耗散和高密度集成，高的载流子饱和迁移速率可以使之应用于高速开关器件；高的临界位移能使碳化硅器件的抗辐射性能优于Si器件。 主要......
热导率有利于大功率器件的热耗散和高密度集成，高的载流子饱和迁移速率可以使之应用于高速开关器件；高的临界位移能使碳化硅器件的抗辐射性能优于Si器件。 主要性能： 极小的反向恢复电荷可降低开关损耗； 出色......
的发展路径中，功率半导体从结构、制程、技术、工艺、集成化、材料等各方面进行了全面提升，其演进的主要方向为更高的功率密度，更小的体积，更低的成本及损耗。特别是材料迭代方面，从硅Si材料逐渐向氮化镓（GaN......
技术之间的融合正在全面展开。 1)源极：大多数电荷载流子通过其流入晶体管的端子 2)漏极：大多数电荷载流子从晶体管流出的端子 3)逻辑半导体：通过......
应管 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体......
需等待器件封装，这一过程可能长达两周，所以周转时间明显缩短。在器件和WLR测试中，大部分测试是相同的，所以相对容易能够迁移到晶圆级测试。 WLR测试的应力测量技术 应力测量测试是一种通常用于评估半导体......
过程可能长达两周，所以周转时间明显缩短。在器件和WLR测试中，大部分测试是相同的，所以相对容易能够迁移到晶圆级测试。 WLR测试的应力测量技术 应力测量测试是一种通常用于评估半导体......
浅谈因电迁移引发的半导体失效;前言本文引用地址：半导体产品老化是一个自然现象，在电子应用中，基于环境、自然等因素，半导体在经过一段时间连续工作之后，其功能会逐渐丧失，这被称为功能失效。半导体功能失效主要......
将这些非电量转换为光信号的变化即可。 探索者 STM32F4 开发板板载了一个光敏二极管（光敏电阻），作为光敏传感器，它对光的变化非常敏感。光敏二极管也叫光电二极管。光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的,其管......
）：在 CCD 中，电荷注入的方式可分为光注入和电注入两类。当光照射到 CCD 硅片上时，在栅极附近的半导体体内产生电子-空穴对，多数载流子被栅极电压排斥，少数载流子则被收集在势阱中形成信号电荷。 背照......
有望同时实现高效的电荷传输和机械拉伸性，”Yu 说。 研究人员使用 LPSM 方法创建了p 型和 n 型半导体，其主要载流子分别是空穴和电子。Yu 表示，使用这两种半导体类型，研究人员创造了晶体管、逆变......
晶圆可以直接从生产线上拉下来进行测试，而无需等待器件封装，这一过程可能长达两周，所以周转时间明显缩短。在器件和WLR测试中，大部分测试是相同的，所以相对容易能够迁移到晶圆级测试。 WLR测试的应力测量技术 应力测量测试是一种通常用于评估半导体......
具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的介绍; 随着半导体行业的最新进展，对具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) 的研究正在兴起。在 SB MOSFET 中，源极......
解释为什么二极管会单向导通。 二极管的单向导电性 二极管是由 PN 结组成的，即 P 型半导体......
;200 V ）应用的主要器件，包括供暖通风与空气调节（HVAC）系统以及电焊和感应加热等高电流应用。随着太阳能面板、电动汽车充电器和工业伺服电机的日益普及，市场对高压解决方案的需求也在不断攀升。为了......
应管 场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(108......
可以看到导通电阻与单极元件的击穿电场成反比。 较薄的半导体层涉及较低密度的少数载流子，这是定义反向恢复电流的重要参数。事实上，在其他特性相同的情况下，设计用于支持更高电流的更大裸片的组件将具有更大的电荷，这些电荷会经历导通和阻断之间的瞬变，因此......
热敏电阻是以锰、钴、镍和铜等金属氧化物为主要材料，采用陶瓷工艺制造而成的.这些金属氧化物材料都具有半导体性质，因为在导电方式上完全类似锗、硅等半导体材料.温度低时，这些氧化物材料的载流子（电子......
硅材料特性及优势介绍 碳化硅作为宽禁带半导体的代表性材料之一，其材料本征特性与硅材料相比具有诸多优势。以现阶段最适合用于做功率半导体的4H型碳化硅材料为例，其禁带宽度是硅材料的3倍，热导率是硅材料的3倍......
半导体器件击穿机理分析及设计注意事项;在日常的电源设计中，半导体开关器件的雪崩能力、VDS电压降额设计是工程师不得不面对的问题，本文旨在分析半导体器件击穿原理、失效机制，以及......
与台企差距在拉大，韩国半导体业很焦虑：正在失去方向;订单减少，需求下滑，韩国半导体龙头企业的市占率正在被台企拉开差距。台湾地区市场调研机构集邦咨询13日发布的数据显示，2022年第四季度全球代工半导体......
技术分享｜半导体激光器为什么需要窄线宽？;为什么需要窄？本文引用地址：目前，随着网络流量的需求爆发式增长，光纤通信传输速率得到大幅提升，其中一种提升传输速率的方式就是通过更高更复杂的调制格式，这对......
了它们的充分利用。这主要是因为它们在组装中缺乏方向顺序。 此次研究实现突破的关键是让晶格中的各个量子点直接相互连接，不需要配体，并以精确的方式定向它们的面。 研究人员测试了新材料的导电性，当使用双电层晶体管增加载流子......
Google 无人驾驶汽车发生严重车祸; 半导体行业观察据美国媒体报导，Google 无人......
，约飞就表现出非凡的科学成就，涉及核物理，聚合物物理和半导体物理。30年代初，他指出半导体材料是电子技术的新材料，他和Я.И.夫伦克耳在半导体的导电性的研究中提出阻挡层的概念，他的有关半导体中的两种载流子......
三菱电机：将向功率半导体投资1300亿日元;三菱电机于11 月 9 日举行了功率器件业务的业务说明会，并宣布将在未来五年内向功率半导体业务投资 1300 亿日元，直至 2025 年。该公......
是LED电视，是利用固体半导体芯片作为发光材料的。当这种发光材料的两端加上正电压，半导体中的载流子发生负荷引起光子发射而产生了光。这就是比较传统的液晶电视的工作原理。 OLED工作......

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