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对于减少表面泄漏并提高击穿电压非常重要。需要特别为SiC JTE器件精心设计和优化钝化层。 4.    热设计：SiC JTE器件可以在比其Si对应物更高的温度下工作。但是，高温也可能降低器件性能和可靠性。因此，在......
。 5. 热设计：SiC JTE器件可以在比其Si对应物更高的温度下工作。但是，高温也可能降低器件性能和可靠性。因此，在SiC JTE设计过程中应考虑热设计，如散热和热应力。 总体而言，SiC JTE......
的出路 究其背后原因，高巍博士分析到，“一是新能源汽车应用涉及生命财产安全，对SiC器件的可靠性、工艺等方面都有着高要求；第二点是新能源汽车对功率器件要求的寿命是15至20年，技术门槛高；第三点是对器件质量......
半导体本身。大多数模块设计很难做到完全密封。半导体芯片和接合线嵌入可渗透湿气的硅胶中。这允许湿气随着时间的推移也到达钝化层。芯片钝化层结构或钝化拓扑结构中的弱点以及芯片边缘密封中的弱点在湿度的影响下受到负载的不同影响......
受的场强都比较低，所以器件可靠性和寿命都更高。下图比较了英飞凌CoolSiC™ MOSFET与硅器件，以及其它品牌SiC MOSFET的栅氧化层厚度对比。可以看到，CoolSiC™ MOSFET 栅氧化层厚度为70nm......
的正背面都能得到高效保护。 东方日升光转技术方案的成功开发和应用，有效地降低了使用高截止胶膜带来的功率封装损失，使异质结组件的功率在原来的基础上提升了10W左右；同时在组件可靠性方面也展现出了独特优势，光转材料的定义和封装方式的优化最大程度上降低和消除了紫外对电池的影响......
太阳能面板）、铁路设施（引擎组件、牵引控制系统）、以及高端马达驱动器。高功率器件在实现更佳性能的同时需要应对封装密度增大以及多种金属材料混合带来的不利影响。此外，它们经常受到温度升高和功率循环环境、极大的电流和极端的热传递要求的影响......
门极驱动正压对功率半导体性能的影响;引言本文引用地址： 对于半导体功率器件来说，门极电压的取值对器件特性影响很大。以前曾经聊过门极负压对器件开关特性的影响，而今天我们来一起看看门极正电压对器件的影响......
循环环境、极大的电流和极端的热传递要求的影响。因此，即使是表面上残留的最细微的污染物也会阻碍这些重要且高度敏感的产品达到可靠性要求。 清洗功率电子的两个基本需求是：（1）完全去除助焊剂残留物，尤其......
本文将针对双向/DCDC这个应用，阐述宇宙辐射的影响以及评估系统可靠性的方法。 1 宇宙辐射对可靠性影响机理 汽车级高压器件可靠性的主要因素 汽车级高压（650V以上）器件的FIT率主要受门级氧化层鲁棒性和宇宙辐射鲁棒性影响......
半导体还在整个供应链和公司内部体系，建立汽车及电子器件可靠性管理体系，在供应链方面，保证所有合作伙伴都有IATF16949:2016质量管理标准体系认证，同时公司内部还建立了AEC-Q101的可靠性......
测试结果的影响 以上，我们介绍了功率器件(IGBT模块)可靠性的基础。针对OBC应用中的单管(Si或SiC)器件，上述思路同样适应，只是相应的器件PC曲线稍有差异，再增加一些针对单管特性的......
) 问题描述：PCB金属化孔的镀层质量直接影响插针与孔的配合度和连接可靠性。如果镀层质量差，可能会出现毛刺、镀层不均匀或镀层过薄等问题。 2) 解答......
) VRF2944 和VRF3933器件经设计在2-60 megahertz (MHz)的工业、科学和医疗(ISM)频率范围运作，目标应用包括需要大功率和高增益而不影响可靠性、稳定......
，电阻范围为10Ω-1.5MΩ，具有±0.1％、±0.25％、±0.5％及±1 ％的窄容差和±25、±50 ppm /°C的低温度特性(TCR)，额定功率值为1/16 W-1/4 W。   RP系列特殊的钝化层......
，电阻范围为10Ω-1.5MΩ，具有±0.1％、±0.25％、±0.5％及±1 ％的窄容差和±25、±50 ppm /°C的低温度特性(TCR)，额定功率值为1/16 W-1/4 W。   RP系列特殊的钝化层......
受高压的同时维持电阻良好的稳定性。 VT系列的钝化层设计，将中间介质形成不透湿的介面使其包覆性的覆盖电阻，因此水气不易从外部渗入。多了钝化层的保护，使得VT系列能在严苛的环境始终保持电阻的高稳定性，适用......
仿真研究，揭示器件特性与结构的内在关联，开展氮化镓功率器件的栅结构及栅金属、欧姆接触、钝化层等核心工艺研究， 资料显示，青岛佳恩半导体有限公司一直致力于高端半导体功率器件的设计、开发、制造及销售，作为新一代的功率......
，具有±0.1％、±0.25％、±0.5％及±1 ％的窄容差和±25、±50 ppm /°C的低温度特性(TCR)，额定功率值为1/20 W-2/5 W。 NT系列拥有自生成钝化层......
1 二极管导通压降测试电路 图2 导通压降与导通电流关系 在我们开发产品的过程中，高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的，二极......
试验 这种分组试验在MOSFET,IGBT中都有应用，其具体内容就是通过考察栅极上氧化层的绝缘完整性来评价芯片制造过程对器件可靠性产生的影响。在芯片制造工艺改变之前和之后，都要做这个测试。 5 电特......
漏电流和噪声，从而提高器件的性能和可靠性。通过氧化退火，可以填补晶格缺陷，降低残余应力，提高氧化物和晶体的结合质量，改善电学性能‌，这对于提高碳化硅功率器件的整体性能和稳定性具有重要意义。 在高温下，碳化......
均匀、高质量的SiO₂栅氧化层。这有助于提升器件的击穿电压、降低漏电流和噪声，从而提高器件的性能和可靠性。 通过氧化退火，可以填补晶格缺陷，降低残余应力，提高氧化物和晶体的结合质量，改善......
能力的一致性，使得电池批次间抗UV能力保持一致，进一步强化了抗UV能力。 严苛的制程管控也是保障至尊组件拥有高品质和高可靠性的重要手段。天合光能在产品生产过程中对电池钝化膜及镀膜过程进行严格的标准化管控；同时实施严苛的可靠性......
料、新器件和新特性为三代半功率器件的设计、生产和使用带来了全新的挑战。 研发工程师在设计和生产这一新型器件时，需要对器件特性进行充分了解，这包括更复杂的参数测试工作，以及器件可靠性方面的研究。而应用工程师在享受新器件......
性和耐腐蚀性而得到广泛应用。IPC-4552A规范的制定，旨在确保ENIG镀层的质量满足行业要求，提高产品的可靠性和市场竞争力。 三、适用......
是与芯片的兼容性，可以保持钝化层完整。 亮点4:R&S出击，可靠出众 围绕电子元器件和组件潮湿环境可靠性、表面相关技术问题分析与解决等，提供高价值的分析分析、咨询、辅导及培训服务。无论您是电子行业元器件......
际上说明了在特定时期内允许有多少特定类型的设备发生故障。如今，高功率硅器件的 FIT 率主要受宇宙射线效应影响。对于 SiC，由于前面讨论的氧化物场应力，需要考虑栅极氧化物可靠性的额外影响。因此，如图 11 所示，总......
汽车以及工业领域。新材料、新器件和新特性为三代半功率器件的设计、生产和使用带来了全新的挑战。研发工程师在设计和生产这一新型器件时，需要对器件特性进行充分了解，这包括更复杂的参数测试工作，以及器件可靠性......
代半导体在技术层面值得关注的领域很多。例如碳化硅晶圆的冷切割技术，器件沟道结构优化，氮化镓门极结构优化，长期可靠性模型、成熟硅功率器件模块及封装技术的移植等等，都会对第三代半导体长期发展产生深远的影响。这几......
本。 不同混动系统对功率器件的需求也不一样 汽车网联、自动化及共享和电动汽车的创新和设计将遇到诸多挑战，如，怎样提高汽车能效，从而延长行驶里程；怎样......
的应用前景。PIC结构在多种疏水性基底都实现了钙钛矿成膜覆盖率和结晶质量的提高，对于大面积扩大化制备也很有意义。 《科学》杂志审稿人评价：“PIC结构得到了很好的展示，并首次在空穴传输界面实现……这种方法将会对未来的局部钝化技术研究产生重要影响。” ......
它们设计为在开启状态下运行，因此目标是优化该模式下的使用。 除了效率之外，功率器件还为系统或集成电路 (IC) 提供稳压电源，确保更可靠的运行。 对更高效率和可靠性的追求催生了对更大设备的需求，从而......
电子迁移率的数值相差不大。从这5个物理特性的差距来看，碳化硅可以运行更高的电压，达到更高的效率，让功率器件轻薄短小的同时，也具备更高的开关频率，从而有效降低整个研发成本。此外，对于......
的商用化和发展，栅极氧化层的可靠性也有了显著提高。 栅极氧化层和保护其免受高电场影响的方法仍然是器件开发的一个关键焦点领域。改进筛选测试以剔除随时间推移可能有参数漂移的芯片也很重要。 在加......
瑞能半导体在PCIM Europe 2023展示全新功率器件及解决方案;多样化产品矩阵亮相 引领可持续发展新变革 瑞能半导体在PCIM Europe 2023展示全新功率器件及解决方案 【2023......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺;功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延的不同，本文通过深入对比HEMT与硅基MOS管的外延，再对增强型和耗尽型的HEMT进行对比，总结......
备抗浪涌电压自抑制能力和过压保护能力，需要在实际应用中设计复杂缓冲电路、浪涌电压抑制电路和过压保护电路，更多的外部电路导致过压保护延迟加大，同时实际开关过程依然容易被击穿，引起器件可靠性问题；三是离子注入深度有限，导致很多针对性的......
以应用于车载充电器中，实现高效率、高密度、小型化的设计，提高充电效率和充电速度，降低充电成本。 　　功率控制单元：碳化硅器件可以应用于新能源汽车的功率控制单元中，实现高效率、高可靠性、低损......
端子机械强度和线束绝缘性能下降，同时引起导体氧化进一步加剧发热等问题。   高压端子压接既需要考虑压接的可靠性，又需要考虑压接处具有较低的温升。本文主要介绍冷压接对端子温升影响。 高压端子常见压接类型 压接、电阻焊、高频......
)与创新型封装技术相结合，可以满足对更高效率、更高功率密度和更低系统成本的要求。  GaN功率器件在电气化应用中不仅可以提供出色性能，还能满足市场对主流技术的可靠性、耐用性和可制造性的期望，可服......
瑞能半导体在PCIM Europe 2023展示全新功率器件及解决方案;多样化产品矩阵亮相 引领可持续发展新变革当地时间5月9日，全球领先的功率......
管理系统和辅助电源系统等领域。然而，碳化硅功率器件的应用仍面临成本、可靠性、标准化、供应链和技术门槛等挑战。随着技术的不断进步和成本的降低，碳化硅功率器件有望在汽车电子领域得到更广泛的应用。 目前，碳化硅器件......
的支持，麦田能源的产品在可靠性与效率等方面获得了显著提升，这一直是麦田能源成长的重要推动力。英飞凌的技术支持和产品质量不仅增强了我们的竞争力，还拓展了我们在市场上的影响力。我们......
电路和有源钳位电路这三大部分组成的，保护电路实现过流保护和过热保护。相对于传统的机械保险丝和机械的继电器，IPD智能半导体功率元器件无需更换，可靠性高且能实现静音。IPD智能功率......
时间内的稳定性和漏电流可指出结表面的稳定性。因此，它是器件质量和可靠性的良好指标。 对于IGBT，电压施加在集电极和发射极之间，栅极与发射极短接。ICES、V(BR)CES、IGES、VGE(th......
冬天的低温等极端的条件，会将潜在的缺陷转化为完整的系统故障。 在芯片进入汽车之前，晶圆厂需要发现潜在的缺陷并筛选出高风险芯片，随着汽车行业的电气化、智能化，芯片的质量和可靠性愈发重要。SiC等功率器件......
MOSFET以及TRENCHSTOP™ IGBT7系列功率半导体器件的优越性能和先进工艺，海鹏科技全新一代HPT Pro 3~15kW三相并网逆变器系列产品，在继续保持产品高可靠性的基础上，最大功率......
密度越来越大，对热性能测试的研究成为了行业的热门议题。因此，热阻测试对功率器件试可靠性验证及对汽车电子系统保障中起着关键性的作用。 热阻测试 热阻测试可分为电学法和双界面法： 当样......
密度的优势，尤其在大功率变流器项目上，电流处理能力在100A以上的大电流封装分立器件可以降低IGBT并联数量，替代IGBT模块方案，进一步提高系统可靠性并降低成本；另外，H7系列......

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放电电流可达数千甚至数万安培。比传统的电解电容器的积能密度高上百倍，漏电流小近千倍，正常情况下可以具有50万次以上的循环寿命，十年以上的工作寿命，在需要高可靠性的电力系统中至少也可以按8年以上的寿命考虑，该器件可靠性
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