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电机碳化硅技术指标是什么 碳化硅国家技术标准介绍(2023-02-02)
硅质制品可按碳化硅含量、结合剂种类和加入量来分类，材料的性能很大程序上取决于材料中碳化硅颗粒间的结合状况，因此，通常按结合相种类对碳化硅制品进行分类。根据结合相的不同，碳化硅制品可分为以下几类：
1.氧化物......
安森美碳化硅专家点评平面和沟槽之争，以及碳化硅的成功之道(2024-09-14)
也给出了详细解释，首先对于MOSFET结构而言，平面的最大优点是栅极氧化层的可靠性高，栅极氧化层是MOSFET里面最薄弱的一环，当时针对这一技术的研发就超过了40年，截至目前实际应用超过了15年，也充......
碳化硅SIC将会发力电动汽车？(2024-03-07)
方法并不可行。CZ 生长在二氧化硅坩埚中将硅在约 1500°C 的温度下熔化，但碳化硅的熔点高于 2700°C。
SiC 晶体通常通过Lely 方法生长。SiC 粉末在氩气气氛中加热到 2500°C 以上，并升......
SK on成功研发新款固态电解质 提升车用电池性能(2023-09-03)
液态电解质的锂离子电池（LiB），其最大工作电压最高可达4.3 V，而使用氧化物固态电解质的锂离子电池的最大工作电压高达5.5V。SK on公司表示：“若将该新款氧化物固态电解质运用于电池生产中，理论......
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性(2024-01-18)
极与源极或漏极重叠的区域，栅极氧化物（SiO2）作为它们之间的电介质形成电容器。这种重叠的长度称为Ldiff。
由氧化物电容（Cox）形成的栅极到源极（或漏极）电容的值可以计算为：
方程式1
其中......
英特尔IEDM 2024技术突破：超快速芯片间封装、业界首创晶体管、减成法钌互连(2024-12-25)
管技术进步一直是英特尔的主业之一。
在最先进的全环绕栅极（GAA）晶体管方面，英特尔代工展示了硅基RibbionFET CMOS （互补金属氧化物半导体）技术，以及用于微缩的2D场效......
北京大学研究团队在氧化物半导体器件方向取得系列重要进展(2023-02-21)
院士团队在过去五年中面向单片三维集成中的半导体材料、界面、输运、器件、电路与关键集成技术开展了系统研究。经过数年攻关，突破了非晶氧化物半导体在尺寸微缩时面临的材料、工艺与器件瓶颈。团队实现的器件与电路在各方面性能上均达到了国际最高......
iDEAL推出SuperQ技术，开创硅功率器件性能新时代(2023-05-17 09:57)
术最初针对高达850伏(V)的电压，为系统工程师提供改进的功率半导体器件，例如二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)和集成电路(IC)。 例如，基于SuperQ的......
iDEAL推出SuperQ™技术，开创硅功率器件性能新时代(2023-05-17)
原子水平的科学和工程实现，SuperQ提供了创纪录的单位面积电阻(RSP)。 该技术最初针对高达850伏(V)的电压，为系统工程师提供改进的功率半导体器件，例如二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、绝缘......
克服碳化硅制造挑战，助力未来电力电子应用(2024-10-24)
宙射线的抗扰性
● 栅极氧化物的固有寿命建模
● 碳化硅/二氧化硅界面特征描述和寿命建模
● 外来物质(筛选)
● 外延和衬底缺陷
● 体二......
奏响“盐光曲”，国晟科技助力莱州土山600MW盐光互补项目首批300MW并网发电(2024-11-05 14:04)
光伏发电设备不受卤水和空气盐雾影响。
项目全容量并网发电后，每年可为电网提供清洁电能10.04亿千瓦时，等效减少标煤消耗约31.59万吨、减排二氧化碳约56.61万吨、减排二氧化硫约160.57吨、减排氮氧化物......
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
技术。另外，晶体管也从MOSFET演变为FD-SOI、Bulk FinFET和SOI FinFET。
MOS诞生之初，栅极材料采用金属导体材料铝，因为铝具有非常低的电阻，它不会与氧化物......
Microsemi扩展高频率垂直扩散金属氧化物半导体MOSFET产品系列(2013-09-16)
Microsemi扩展高频率垂直扩散金属氧化物半导体MOSFET产品系列;Microsemi宣布扩展高频率垂直扩散金属氧化物半导体(VDMOS) MOSFET产品系列，两款更大功率、更高电压(V......
值得收藏的固态电池及其四大主材解析(2024-10-04 08:23:04)
引入高价态的过渡金属元素M阳离子，调节Li+及空位浓度进而形成类似Lia-M-Xb类化合物。相较于氧化物及硫化物，一价卤素阴离子与Li+的相互作用比S2−或O2−更弱且半径较更大，极大......
双运放电流源的基本操作(2024-01-03)
SiC 侧的电场必须受到限制 [3,4]。上述界面缺陷导致沟道迁移率非常低。因此，它们导致沟道对总导通电阻的贡献很大。因此，SiC 相对于硅的漂移区电阻非常低的优势由于高沟道贡献而被削弱。克服这一困境的一种观察到的方法是增加在导通状态下施加在氧化物......
多技术路线并行发展，固态电池量产“急不得”(2024-09-06)
速度快等多种性能兼得。
目前行业内有多个固态电解质的研发方向，主流路线主要有三条——聚合物、氧化物和硫化物，不同的固态电解质各有优劣。
以丰田汽车、宁德时代和比亚迪等选择的硫化物固态电解质为例，这类......
集成高 k 钙钛矿氧化物和二维半导体的新型晶体管(2023-01-04)
dec-1 的最小亚阈值摆幅下表现出 10 8的开/关电流比。
“我们成功地规避了高 κ 钙钛矿氧化物和二维半导体集成的限制，我们的方法可以实现几乎无限的材料组合，”Renshaw Wang......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
构和参数进行模拟仿真。
2、外延片制造流程
氮化镓外延片可在硅衬底、碳化硅衬底或蓝宝石衬底上进行生长，从成本和大批量生产考虑，外延的每一层的沉积一般采用MOCVD（金属氧化物化学气相沉积）。
图 5 氮化......
2024年度复旦大学“十大科技进展”揭榜，半导体领域成果亮眼(2025-01-08 14:03:24)
出全球首款特大规模集成度聚合物半导体芯片，是目前聚合物半导体芯片的最高集成度。该芯片应用于柔性仿生视网膜，具有与人眼视网膜相当的光响应度、像素密度和功耗以及比商用CMOS芯片更高的图像识别准确率。相关......
全固态电池，“鸿沟”难跨(2023-06-20)
和空气中的水、氧气反应产生硫化氢剧毒气体，这也导致体制备工艺复杂。此外，硫化物与正极材料兼容度差，对锂金属稳定性差，会发生反应，导致离子电导率的损失。
还有一点，硫化物电解质的成本很昂贵。根据相关数据，氧化物的电解质成本最高......
意法半导体为MCU开启FD-SOI时代(2024-03-29)
更多的集成和模拟、功率应用
附录
FDSOI技术简介
FD-SOI是一种平面工艺技术，依赖于两项主要创新。首先，在基底硅的顶部放置一层超薄绝缘体，称为掩埋式氧化物。接着，通过超薄的硅膜实现晶体管沟道。由于......
瑞士团队开发新型工艺，双面太阳能电池效率破纪录(2022-12-19)
的高温沉积工艺生产。然而，在这些温度下，(CIGS层的)镓与透明导电氧化物后触点的氧之间会发生化学反应。由此产生的氧化镓界面层会阻挡阳光产生的电流，从而降低电池的能量转换效率。到目前为止，单个电池的最高......
富士通推出业界最高密度4 Mbit ReRAM量产产品(2016-11-08)
倒置）
数据保留：10年（最高摄氏85度）
封装：209mil 8-pin SOP
词汇与备注
1.可变电阻式内存（ReRAM）：
为非易失性内存，藉由电压脉冲于金属氧化物薄膜，产生......
5.14亿美元，全球半导体材料领域新添并购案(2021-09-18)
2007年成立以来，Inpria一直致力于金属EUV光刻胶的研发，实现了全球最高的EUV曝光性能边际分辨率，已成为极紫外光刻(EUV) 的高分辨率金属氧化物光阻剂先驱，在金属氧化物光阻剂的设计、开发......
苹果供应商TDK宣布新进展！固态电池能量密度实现100倍突破(2024-06-18)
发出的新电池将由全陶瓷材料制成，还包含了氧化物系固态电解质和锂合金负极。这种电池具有高储电能力，将能实现更小的尺寸和更长的工作时间，其中的氧化物材料则提供了高度的稳定性和安全性。这种......
SMT OSP PCB 板超过 6 个月应该怎么办？如何处理以保证产品焊接质量？(2024-12-16 19:41:38)
设计的高效清洁剂，对 PCB 板的表面进行仔细清洁。这些清洁剂能够有效去除可能存在的轻微氧化物和污染物，确保 PCB 板表面的洁净度。
2. 优化......
494GWh！当硫化物全固态电池率先爆发(2024-05-20)
494GWh！当硫化物全固态电池率先爆发;在三大固态电池技术路线中，电导率最高的硫化物全固态电池量产进程正在加速。
“目前来看，固态解决方案进展比较快的是硫化物路线。”据宁......
车企全力冲刺 固态电池迎“新拐点”？(2023-12-19)
固体电解质具有较高的室温离子电导率，而热稳定性差；氧化物固体电解质的化学稳定性好，循环寿命长，但电导率相对较低，某些高价阳离子会与金属锂发生反应。
另外一个，是聚合物固体电解质，其在......
加拿大克尔维特锂矿取得新发现(2024-04-02 10:00)
岩群沿走向新发现一个名为CV14的锂辉石伟晶岩脉。
CV14露头长33米，宽9米，抓样分析显示锂氧化物品位0.94%-0.84%。
“新发现显示了沿CV锂矿带锂辉石矿化的延伸特征，穿过了整个矿权地，大部......
SiC主驱逆变器让电动汽车延长5%里程的秘诀(2024-07-12)
是担心充一次电后行驶里程不够长，则是影响电动汽车普及的主要障碍之一。克服这一问题的关键是在不显著增加成本的情况下延长车辆行驶里程。本文阐述了如何在主驱逆变器中使用碳化硅 (SiC) 金属氧化物......
简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用(2022-12-21)
探索任务、深层石油开采系统、飞机系统等领域的进步。
电力电子电路不断发展以实现更高的效率，绝缘栅双极晶体管（IGBT）和金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）等电力电子设备为令人兴奋的创新打开了大门。硅......
半固态电池，新能源行业的新赛点(2024-08-13)
轻松超过三元电池的三倍。它被认为发展潜力最大。硫化物由氧化物固体电解质衍生而来，硫元素替换了氧元素。同样，它也分为晶态和非晶态两种。硫化物固态电解质电导率最高，但其热稳定性较差，还容易和空气中的水、氧气......
8寸晶圆的产能在2022增长5%，2023年增长3%，2024年增长2%(2022-12-30)
导体市场持续下行影响，近期晶圆代工成熟制程再掀降价潮。有设计业者透露，明年首季晶圆代工成熟制程价格降幅最高超10%，是此轮晶圆代工报价修正以来的最大幅度，不仅愿意降价的厂商增加，更一改先前仅特殊节点价格松动态势，有朝......
首款基于色散分光并支持5μm波段测量的台式光谱分析仪发布(2020-01-16)
pm是可用于测量5μm光的最高波长分辨率。
* 7一种利用折射率周期性变化来反射光纤中特定波长光信号的器件
发展背景
近来，激光吸收光谱法* 3已广泛应用于环境测量领域碳氧化物（COx）、氮氧化物......
SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革(2022-11-08)
是实现工艺尺寸微缩以提高性能。
栅极由绝缘膜(栅氧化层, gate oxide)和电极(栅电极, gate electrode)组成，在晶体管开关功能中发挥主要作用。栅氧化层由SiON氧化物......
下一代半导体：一路向宽，一路向窄(2021-09-28)
下一代半导体：一路向宽，一路向窄;随着以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体步入产业化阶段，对新一代半导体材料的探讨已经进入大众视野。走向产业化的锑化物，以及国内外高度关注的氧化镓、金刚石、氮化......
TrendForce集邦咨询：全固态电池车有望于2030年进入量产，续航力将追平燃油车(2023-07-11)
性较高的材料若搭配，其传统液态电解质在充放电过程中可能有较高的热失控风险。相较之下，固态电解质在结构上较稳定，可有效防止电池短路，为兼顾安全与能量密度的最佳电池解决方案。
固态电解质依材料分为硫化物......
三菱电机入局最强半导体，氧化镓将在10年后打败第三代半导体(2023-08-07)
镓。
氧化镓的禁带宽公开报道是4.9eV，砷化镓的禁带宽为1.6eV，氮化镓是3.36eV。另据报道，硅的禁带宽为1.1eV，如果干瘪的数字不好比较，那我们就打一个比方：假如4.9eV与3.36eV......
质子介导法为下一代内存设备和神经形态计算芯片提供动力(2023-07-21)
可逆地产生了几种具有不同质子化程度的铁电相，而质子化对于实现具有巨大存储容量的多级存储设备至关重要。
正电压越高，质子化程度越高；负电压越高，质子化程度越低。质子化水平的变化还取决于薄膜层与二氧化硅的距离。在与二氧化硅接触的底层，质子化水平达到最高......
Intel制程和封装4大突破：封装吞吐量提升100倍(2024-12-09)
在CFET(互补场效应晶体管)之外进一步加速GAA技术创新，Intel代工展示了在2D GAA NMOS(N 型金属氧化物半导体)和PMOS(P
型金属氧化物半导体)晶体......
SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗？(2022-12-28)
引用地址：
关于IGBT使用沟槽栅的原因及特点，可以参考下面两篇文章：
● 英飞凌芯片简史
● 平面型与沟槽型IGBT结构浅析
MOSFET全称金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide......
SiC主驱逆变器让电动汽车延长5%里程的秘诀(2023-10-19)
是担心充一次电后行驶里程不够长，则是影响电动汽车普及的主要障碍之一。克服这一问题的关键是在不显著增加成本的情况下延长车辆行驶里程。本文阐述了如何在主驱中使用碳化硅 () 金属氧化物半导体场效应晶体管 () 将电......
X-FAB率先向市场推出110纳米BCD-on-SOI代工解决方案(2023-06-02)
半年启动。
缩略语：
BCD Bipolar-CMOS-DMOS
CMOS 互补金属氧化物半导体
DTI 深槽隔离
EDA 电子设计自动化
SOI......
X－FAB率先向市场推出110纳米BCD－on－SOI代工解决方案(2023-06-02 16:25)
语：BCD Bipolar-CMOS-DMOSCMOS 互补金属氧化物半导体DTI 深槽隔离EDA 电子设计自动化SOI 绝缘体上硅SONOS 硅-氧化物-氮化物......
国际最新研究将3D NAND深孔蚀刻速度提升一倍(2025-02-07)
矽交替层时，蚀刻速率可从每分钟310纳米提升至640纳米，提升超过一倍，蚀刻品质也同步提升。
同时，研究人员还研究了三氟化磷的影响。他们发现，添加三氟化磷使二氧化硅的刻蚀速率增加了四倍，尽管它只略微提高了氮化硅的......
室温打印金属氧化物薄膜实现，可制造坚韧透明的柔性电路(2024-08-16)
室温打印金属氧化物薄膜实现，可制造坚韧透明的柔性电路;据15日《科学》杂志报道，包括美国北卡罗来纳州立大学和韩国浦项科技大学在内的国际研究团队，展示了一种在室温下打印金属氧化物薄膜的技术，并利......
重庆抛光硅片项目产品下线，打破技术壁垒(2016-10-29)
遍采用的是化学机械抛光。化学机械抛光是化学腐蚀和机械磨削同时进行，分为铜离子抛光、铬离子抛光和普遍采用的二氧化硅胶体抛光。二氧化硅胶体抛光是由极细的二氧化硅粉、氢氧化钠（或有机碱）和水配制成胶体抛光液。抛光后的硅片还要在做一次清洗以去除硅片表面的有机物杂质和氧化物......
搞懂电阻，最全的一篇干货(2023-09-07)
在镀膜上加工出螺旋沟槽来精确控制电阻。
金属膜电阻可以说是性能好精度高，可以做E192系列，然后温度特性也好，噪声低，更加稳定。
06 金属氧化物膜电阻
与金属膜电阻结构类似，金属氧化物膜主要是在陶瓷棒形成一层锡氧化物......
全类型电阻介绍(2024-11-05 20:55:19)
膜电阻可以说是性能比较好的电阻，精度高，可以做E192系列，然后温度特性好，噪声低，更加稳定。
Metal film resistor Â
金属氧化物......
X-FAB率先向市场推出110纳米BCD-on-SOI代工解决方案(2023-06-02)
-Essonnes）工厂制造。量产将于2023年下半年启动。
缩略语：
BCDBipolar-CMOS-DMOS
CMOS互补金属氧化物半导体
DTI深槽隔离
EDA电子设计自动化
SOI绝缘......
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