资讯
MCS-51单片机指令系统(4)(2022-12-12)
脚上反映真实的输入信号,必须要 设法先让该引脚内部的场效应管截止才行,否则当场效应管导通时,P1口引 脚上将永远为低电平,无法正确反映外设的输入信号。让场效应管截止,就是用指令给P1口的相应位送一个“1”电平,这就......
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
MOS管符号
图1-5-B P沟道MOS管电压极性及衬底连接
5、MOS管和晶体三极管相比的重要特性
1. 场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c,它们......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
了电平转换的效果。
到此,该电路就分析完了,这是一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势:
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c,它们的作用相似,图一所示是N沟道MOS管和......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
、场效应管的噪声系数很小,在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。
7、场效应管和......
不同的电平信号的MCU怎么通信?(2024-10-22 16:01:50)
沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚,图二所示是P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。
2、场效应管是电压控制电流器件,由VGS控制ID......
重庆万国造出自研自产 IGBT 元件,预计今年内实现量产(2022-08-12)
Transistor,BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(Metal Oxide Semiconductor,MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(Metal-Oxide......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
较麻烦,需采用隔离电压设计。
NMOS PMOS CMOS
CMOS门电路由PMOS场效应管和NMOS场效应管以对称互补的形式组成,先介绍MOS管,然后再介绍由CMOS组成的门电路。
MOS......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
通双极型晶体管相比,具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势,在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。
▉ 场效应管分类
场效应管......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管,可兼容替代尼克森PKC26BB。
PKC26BB替代料SVG032R4NL5特点
■ 100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ......
吉利科技旗下晶能微电子自研首款车规级 IGBT 产品成功流片(2023-03-16)
(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(Metal......
IGBT在新能源汽车上的应用(2024-10-22 08:01:16)
就要寻求新的突破
点
。
02
MOS管如何呢?
MOS管,又称为绝缘栅场效应管......
使用电机驱动器IC实施的PCB设计(2024-08-30)
他任何开路输出的比较器代替运放,因为开路输出的高电平状态输出阻抗在1千欧以上,压降较大,后面一级的三极管将无法截止2. 栅极驱动部分:后面三极管和电阻,稳压管组成的电路进一步放大信号,驱动场效应管的栅极并利用场效应管......
什么是SMT分立器件?有哪些类型?内部结构是怎样的?(2024-10-28 11:57:14)
几种尺寸结构,产品有小功率管、大功率管、场效应管和高频管几个系列;其中SOT-23是通用的SMT晶体管,SOT-23有3条翼形引脚,外形与内部结构如图4所示......
简述8051单片机结构与原理(2024-01-15)
态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管(FET)。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出:“控制”信号为1,硬件自动使转接开关MUX打向上面,接通......
8051单片机的结构与原理(2024-01-15)
态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管(FET)。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出:“控制”信号为1,硬件自动使转接开关MUX打向上面,接通......
关于8051单片机基础结构解析与工作原理及电路结构(2024-02-03)
据输出锁存器。
2个三态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管(FET)。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出:“控制”信号为1,硬件......
详解:8051单片机的结构与原理(2023-03-28)
。
2个场效应管(FET)。多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线输出:“控制”信号为1,硬件自动使转接开关MUX打向上面,接通反相器的输出,同时使“与门”开启......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-16)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用,包括汽车、绿色能源、工业控制、电源和充电家用电器
中国上海,2023年11月16日......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
了常见的直流I-V测试和用于进行测量的仪器,并解释了测量注意事项以达到理想测量结果。
一、生物场效应管/BioFET感器
生物晶体管传感器包含一个晶体管和一个生物敏感层,用于检测类似于生物分子等生物成分。图2......
双面散热汽车IGBT器件热测试评估方式创新(2023-03-06)
Transistor,BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(Metal Oxide Semiconductor,MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(Metal-Oxide......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
用指针万用表检测场效应管的方法;用指针式万用表检测场效应管的一些方法,判断电极、检查好坏、无标志场效应管的检测以及放大能力的检测
1、用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
介绍用指针万用表检测场效应管的方法; 用指针式万用表检测场效应管的一些方法,判断电极、检查好坏、无标志场效应管的检测以及放大能力的检测
1、用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管......
驱动氮化镓(GaN)场效应管和逻辑电平 MOSFET。器件可应用于激光雷达、飞行时间、面部识别和使用低侧驱动器的电源转换器等领域。SGM48521 提供 7A 拉电流和 6A 灌电流输出能力。分路输出配置允许依据场效应管......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
指针式万用表对场效应管进行判别方法;(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17 15:24)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用,包括汽车、绿色能源、工业控制、电源......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求;
中国上海,2023年11月16日—安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟宣布新增250多种东芝(Toshiba)产品......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用,包括汽车、绿色能源、工业控制、电源和充电家用电器
安富......
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
本不高。
缺点:一旦接反需要更换保险丝,操作比较麻烦。
3、正接反接都可正常工作的电路
优点:输入端无论怎样接,电路都可以正常工作。
缺点:存在两个二极管的压降,适用于小电流电路。
4、N沟道增强型场效应管......
防反接常用单元电路,收藏了(2024-10-26 11:31:16)
于小电流电路。
04
N沟道增强型场效应管......
软启动和变频启动的区别(2023-09-05)
主电路是又6个场效应管组成的电路,在控制电路精准的控制之下,使六个场效应管轮流导通,在单位时间内,管子导通的次数越多,那么输出的电压和频率就越高,因此......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
硅面的正面制作元胞并用钝化层保护好,在硅片减薄之后,首先在硅片的背面注入磷,形成N+截止层,最后注入硼,形成P+collector。
三极管,MOSFET,IGBT的区别?为什么说IGBT是由......
伺服系统构成及其工作原理(2024-06-03)
%以上。IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点,用于......
亦商亦儒 躬身入局半导体江湖——专访深圳市萨科微半导体有限公司总经理宋仕强(2022-05-14)
强说起当初入局半导体江湖,激情犹在,目光依然坚定。
发展:扎实基础,维护拓展市场
萨科微的碳化硅场效应管刚销售的时候,产品型号只有8个,包括4个型号碳化硅MOS管和4个型号的碳化硅二极管,应用......
【51单片机】I/O口(2024-07-26)
~ P3:内置上拉电阻的双向I/O口,各端口缓冲器可接收、输出4个TTL门电路。
P0 ~ P3做输入端时必须将P0 ~ P3口先置1。使内部场效应管截止,从而不影响输入电平。
P0 ~ P3均可......
STM32供电方案一览(2024-01-31)
件内部的工作电压。
VSS:S=series 表示公共连接的意思,通常指电路公共接地端电压。
GND:在电路里常被定为电压参考基点。
VEE:负电压供电;场效应管的源极(S)
VPP:编程/擦除电压。
V*与V......
8051单片机基本操作(2024-01-15)
总线送来的信号无法通过与门;另一方面控制电子开关,让电子开关与锁存器的 端接通,此时若给写锁存器端CP送入写脉冲信号,内部总线送来的数据就可以通过D端进入锁存器,并从Q和非Q端输出,如果D端输入1,则非Q端输出0,该0使场效应管......
揭秘十大常用电子元器件背后的那些门道!(2024-10-20 21:14:56)
三极管主要用于放大电路中起放大作用,在常见电路中有三种接法。
八、场效应管......
无刷直流马达控制电路(2023-04-25)
机驱动部分使用6个功率场效应管控制输出电压,四轴飞行器中的直流无刷电机驱动电路电源电压为12 V.驱动电路中,Q1~Q3采用IR公司的IRFR5305(P沟道),Q4~Q6为IRFR1205(N 沟道......
车规级IGBT有多重要?(2024-03-11)
为绝缘栅双极型晶体管,它由绝缘栅型场效应管和双极型三极管两个部分组成,其兼具MOSFET输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度快和BJT通态电流大、导通压降低、损耗小等优点,是功......
美浦森宣布完成近亿元A轮融资,资金将用于SiC器件产品线、IGBT等新产品研发(2022-03-17)
,是一家专业功率半导体元器件设计公司,是国内最早开始硅/碳化硅产品系列研发及销售的公司。美浦森产品包括高中低压功率场效应管全系列产品(Trench MOSFET/SGT MOSFET/ Super......
储能系统的关键零部件——IGBT介绍(2024-10-08 17:04:04)
源变换与传输的核心器件
IGBT可以通俗的理解为是带阀门控制的能控制电子双向(多向)流动的晶体管。IGBT是由BJT双极型三极管和绝缘栅型场效应管MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有 MOSFET金氧半场效......
科普丨十大最常用电子元器件介绍(2024-10-22 09:33:32)
10分贝)中(约15~20分贝)频率特性高频差好好续表应用多级放大器中间级,低频放大输入级、输出级或作阻抗匹配用高频或宽频带电路及恒流源电路。
八、场效应管......
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路(2023-10-08)
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路;摘要: 在场效应管关断后让LED的负极电压升高,使得LED关闭。当场效应管导通时,LED的负极电压被拉低,使得LED发光。PWM调节......
8051单片机的GPIO(2024-07-25)
3.1 构成
1个输出锁存器、1个转换开关MUX、2个三态输入缓冲器、输出驱动电路、1个反相器。
3.2 做输入端口
此时同样需要先通过内部总线向锁存器写1,让Q=1,场效应管截止,P2口输......
STM32控制的电子负载(2022-12-08)
结构图
电子负载采用3.7V锂电池供电,在使用时就不需要单独准备辅助电源或从被测电源取电,这将大大方便用户使用。
系统结构框图
硬件设计
负载晶体管与电流检测
该模块采用两根IRFP250场效应管......
为什么单片机的I/O口需要驱动(2023-02-01)
/O口使用,不需要多路转换电路MUX。其输出级电路内部有上拉电阻,与场效应管共同组成输出驱动电路。因此,P1口作为输出时,不需要再外接上拉电阻,而当P1口作为输入口使用时,仍然需要先向锁存器写“1......
H桥电机正反转换控制电路图(2024-11-01 11:31:00)
H桥电机正反转换控制电路图;
电机控制电路
所谓的H桥电路就是控制电机正反转的。下图①就是一种简单的H桥电路,它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3......
一文读懂功率半导体(2022-12-14)
式光伏1,944万千瓦,同比增长3.7倍。
风力发电的逆变设备,可以将蓄电池中的DC12V直流电转换为和市电相同AC220V交流电。逆变器主要是由MOS场效应管与电源变压器为核心,通过......
纯直流场效应管功放电路(2023-06-20)
纯直流场效应管功放电路;【电路原理】这款场效应管功放,适合那些倾心于电子管音色,因而各种原因无法自制出靓声的胆后级发烧友。此款双极型场效应管功放与电子管的输出特性极为相似,频率特性好,音色......
必看!IGBT基础知识汇总!(2024-01-03)
必看!IGBT基础知识汇总!;
01 是什么?本文引用地址:
,绝缘栅双极型,是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(MOSFET......
相关企业
;闪亮科技香港发展有限公司;;我们公司主要经营英飞凌IKW IGBT 场效应管和microchip PIC 单片机,提供现货供应和订货服务
;嵘威科技有限公司;;万代AOS的场效应管mosfet,IGBT,东芝Toshiba的场效应管mosfet,光耦TLP系列。
;杭州友善电子科技;;分销ST、IR、FSC、PHI、TI、HIT、NS、KEC、台湾威森 等知名品牌二极管、三极管、可控硅、场效应管、集成电路等,尤其在三极管、场效应管和可控硅
;深圳世玮科技有限公司;;公司主营产品:二三极管,SOP-8,DIP-8,高频管,模块等。 三极管封装:<> 场效应管,稳压管,IGBT系列,高压管。 场效应管:如IRF540,IRF640
;深圳诚桩电子;;场效应管MOSFET,IGBT,电源驱动IC,快恢复二极管,肖特基二极管,SMD元件!
;深圳市洲盛电子有限公司;;深圳市洲盛电子有限公司专业 IR(国际整流器公司)、ON(安森美)、Fairchild(仙童)系列:场效应管MOSFET,IGBT,电源驱动IC,快恢复二极管,肖特
;杭州中岛电子元器件商店;;三极管、场效应管、固态继电器、仪用风机、可编程控制器、变频器、DC-DC电源模块、可控硅、整流桥、场效应模块、GTR、IGBT、IPM等功率模块、变频器配件、维修各种变频器
;深圳诚桩电子有限公司;;场效应管MOSFET,IGBT,电源驱动IC,快恢复二极管,肖特基二极管,SMD元件!
;深圳市金科洋电子经营部;;我公司专业销售:(IR.APT.IXYS.HAR.ON.ST.FUJ.TOS.GI.NEC.FSC.HIT.KEC 等厂家)场效应管、IGBT、快恢复、二极管,各种三极管
;深圳星科电子商行;;IC集成、电解电容、和各种二三极管、场效应管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列。