资讯
新型量子比特相干时间延长此前的千倍，有望研制低成本大运量的量子计算机(2023-10-30)
作，而传统电子电荷量子比特在相干时间内只能执行10到100次操作。
阿贡团队的量子比特以电子的运动状态（电荷）编码量子信息，因此被称为电荷量子比特。他们在真空中捕获在超清洁固体氖表面上的单个电子......
基础知识之图像传感器(2024-03-12)
；然后使用 CCD 读出这些电荷。当光线投射到 OCD表面的光敏象素 (MOS电容器 )上， 光子穿过透明电极及氧化层，进入 P型硅衬底(一般以P型 硅为衬底)．衬底中处于价带的电子......
一文详解SOC、SOH、DOD、SOE(2023-02-20)
余量总是等于额定容量减去已释放的荷电量的话，则可以用以下式子表示，
Q放电表示最近一次充满电后，电池已经放掉的电荷量。
剩余电量评估是BMS中最为重要的功能之一，系统......
MOSFET每个参数都讲透了！(2024-10-08 15:24:00)
，VGS=10V时，达到导通状态所需的电荷量
QGS......
MOSFET每个参数都讲透了(2024-09-23 17:38:21)
=10V时，达到导通状态所需的电荷量
QGS：栅极/源极间所要电荷量
QGD......
基于PIC24在血糖仪上的应用分析(2024-07-23)
糖仪的硬件框图：
具体原理：当测试条上滴入血样，血液中的葡萄糖与测试条上的酶发生反应产生电荷Q,而电荷与血糖浓度呈线性关系，所以，只需测出纸条上的电荷量就可以知道血糖的浓度。这里与大多数血糖测试方法稍有不同的是测量电荷量......
真空度测试仪的原理及参数(2023-01-05)
是不同的，并且有相当的差异。为准确测量，对每一种真空灭弧室必须有对应的从电离电荷量到真空度的推算曲线。我厂 的专家通过与国内主要真空灭弧室生产厂家的密切合作，取得了很多真空灭弧室的电离电荷......
SiC MOSFET的短沟道效应(2023-03-29)
可以提取使VGS达到阈值水平所需的电荷（QGS,th，约18nC），可以发现QGD/QGS,th之比小于1。这有助于抑制寄生导通，即在VDS快速变化的情况下，通过CGD给栅极充电的电荷量，小于......
电路小知识 | 交流电路复数的基础知识以及相位差和电抗的计算(2024-12-15 01:50:33)
（Capacitance）
电容（Capacitance）也称为“电容器（Condenser）”，具有存储电荷的能力。电容值（C）表示电压变化时存储的电荷量......
新技术让摩擦纳米发电机有望从雨滴中获取电能(2023-08-02)
程会产生并储存雨水的能量。当雨滴落在面板表面（称为 FEP 表面）时，雨滴带正电，FEP 表面带负电。"每个水滴产生的电荷量很小，FEP 表面的电荷会逐渐消散。在表面停留很长时间后，FEP 表面的电荷......
LTC4150数据手册和产品信息(2024-11-11 09:18:01)
流。一个电压至频率转换器在中断引脚上将电流检测电压转换成一连串的输出脉冲。这些脉冲与流入或流出电池的某一固定电荷量相对应。该器件还可在电池的消耗和充电过程中指示电荷的极性。
LTC4150 面向......
搞懂PID控制原理就这么简单(2023-10-24)
容可等效成一个可变电阻，放电过程中的电容可等效成一个电压源；
③电容电流反映的是单位时间内流动的电荷量，电容电压（或电场）反映的是电荷量的多少。通俗的理解就是流动的电荷才会导致电荷量......
电池管理系统（BMS）：深入了解监控与平衡功能(2024-01-15)
。然而，由于电池内阻和性能漂移的影响，其准确性可能会受到影响。
库仑计数方法：这是一种在线测量方法，通过测量进入或离开电池的电荷量来准确计算SOC。尽管这种方法准确度高，但它......
电池管理系统（BMS）：深入了解监控与平衡功能(2024-01-16 14:27)
电池内阻和性能漂移的影响，其准确性可能会受到影响。库仑计数方法：这是一种在线测量方法，通过测量进入或离开电池的电荷量来准确计算SOC。尽管这种方法准确度高，但它需要复杂的算法和电流传感器，同时还受到温度、放电......
寿命/性能或更低，消息称苹果弃TLC要用QLC(2024-07-26)
使用更少的单元储存更多的数据，而这可以降低生产成本。
此外，QLC闪存被认为不如TLC闪存可靠，写入数据的耐久性会降低，因为每个单元写入的次数更多，因为每个单元多包含一个位。
QLC NAND闪存可以存储16种不同的电荷......
ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET，有助于提高应用设备工作效率(2023-04-20)
导通后，栅极和漏极间的电容充电期间的电荷量。该值越小，开关速度越快，开关时的损耗（功率损耗）越小。
......
ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸、超低功耗的MOSFET(2022-12-01)
时的损耗（功率损耗）越少。
*4) Qgd（栅极-漏极间电荷量）
MOSFET开始导通后，栅极和漏极间的电容充电期间的电荷量。该值越小，开关速度越快，开关时的损耗（功率损耗）越小。......
ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET(2022-12-01)
电阻
MOSFET导通时漏极和源极之间的电阻值。该值越小，导通时的损耗（功率损耗）越少。
*4) Qgd（栅极-漏极间电荷量......
一文看懂3D晶体管(2016-11-01)
聚集到通道，这些被吸走电洞、电子的区域形成了空乏区，这空乏区没什么能障，原本也没什么作用，但是若是闸极通道很短就好玩了。
我们看到图中的汲极到源极之间除了通道外全部被空乏区连起来了，任何不小心落入这空乏区的电荷都会被来自汲极的电......
ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET，有助于提高应用设备工作效率(2023-04-20)
）
MOSFET开始导通后，栅极和漏极间的电容充电期间的电荷量。该值越小，开关速度越快，开关时的损耗（功率......
ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET(2022-12-01)
损耗）越少。
*4) Qgd（栅极-漏极间电荷量）
MOSFET开始导通后，栅极和漏极间的电容充电期间的电荷量。该值越小，开关速度越快，开关时的损耗（功率损耗）越小。
......
ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET(2022-12-01 15:49)
可以缩减封装的尺寸。*3) 导通电阻MOSFET导通时漏极和源极之间的电阻值。该值越小，导通时的损耗（功率损耗）越少。*4) Qgd（栅极-漏极间电荷量）MOSFET开始导通后，栅极和漏极间的电容充电期间的电荷量......
突破：中国科学家发现新磁子态，或可用于芯片和雷达(2023-03-13)
团队首次在铁磁绝缘体单晶中发现了一种全新的磁共振，命名为光诱导磁子态，此项发现为磁子电子学和量子磁学的研究打开了全新的维度。研究中揭示的新型磁子强耦合物态，能极大改变铁磁单晶的电磁特性，为光子与磁子的纠缠提供新的思路，这对......
米尔带您认识“创新性LGA封装核心板“(2024-07-22)
定可靠的信号连接，更好的抗震动，便于量产批量贴片。
屏蔽罩设计：抗信号干扰和防灰尘，同时支持客制化LOGO，提升客户品牌价值。
小巧紧凑设计：体积小，设计灵活，适合各种尺寸产品(特别是结构受限产品。
米尔电子的......
变频器的电流“采样”报接地故障？(2024-04-22)
电气设备在运行中，电流的大小总是最被关注，变频器也不例外，本篇就谈谈电流采样的问题。
电流采样自然是通过三相霍尔元件了，要了解霍尔元件，首先就得明白霍尔效应，这个在前篇当中说过，捎带再提一下，运动的电荷......
米尔带您认识“创新性LGA封装核心板“(2024-07-22)
客户品牌价值。
小巧紧凑设计：体积小，设计灵活，适合各种尺寸产品(特别是结构受限产品。
米尔电子的研发、设计和管理能力都是符合大企业严格的规范标准，可以......
米尔带您认识“创新性LGA封装核心板(2024-07-23 08:55)
量产批量贴片。• 屏蔽罩设计：抗信号干扰和防灰尘，同时支持客制化LOGO，提升客户品牌价值。• 小巧紧凑设计：体积小，设计灵活，适合各种尺寸产品(特别是结构受限产品。米尔电子的研发、设计......
米尔带您认识“创新性LGA封装核心板(2024-07-22)
量产批量贴片。
屏蔽罩设计：抗信号干扰和防灰尘，同时支持客制化LOGO，提升客户品牌价值。
小巧紧凑设计：体积小，设计灵活，适合各种尺寸产品(特别是结构受限产品。
米尔电子的研发、设计......
意法半导体与伍尔特电子合作开发高性能电动工具(2023-07-28)
开发产品参考设计。通过整合意法半导体的有源器件与伍特尔电子的无源器件，两家公司可以为客户提供现成的总包或定制解决方案。早期合作项目的广度和成功，包括在意法半导体的各种评估板上集成将伍特尔电子的元器件，体现了意法半导体与伍特尔电子......
意法半导体与伍尔特电子合作开发高性能电动工具(2023-07-27)
建立了密切的合作关系，充分利用双方各自的技术产品优势，合作开发产品参考设计。通过整合意法半导体的有源器件与伍特尔电子的无源器件，两家公司可以为客户提供现成的总包或定制解决方案。早期......
意法半导体与伍尔特电子合作开发高性能电动工具(2023-07-31 10:12)
利用双方各自的技术产品优势，合作开发产品参考设计。通过整合意法半导体的有源器件与伍特尔电子的无源器件，两家公司可以为客户提供现成的总包或定制解决方案。早期合作项目的广度和成功，包括在意法半导体的各种评估板上集成将伍特尔电子的......
万用表判断压电陶瓷好坏方法(2023-02-10)
万用表判断压电陶瓷好坏方法; 压电陶瓷是一种人工合成的压电材料。当受到外界压力时，两面会产生电荷，电荷量与压力成正比，这种现象称为压电效应。压电陶瓷具有压电效应，即在外电场作用下，会产生形变，所以......
数字万用表测量使用方法教程(2023-02-15)
数字万用表测量使用方法教程;压电陶瓷是一种人工合成的压电材料。当受到外界压力时，两面会产生电荷，电荷量与压力成正比，这种现象称为压电效应。压电陶瓷具有压电效应，即在外电场作用下，会产生形变，所以......
OCP ORV3 智能电池备用装置的电池管理系统(2024-08-19)
脚都可以单独控制或使用 PWM 连续控制。通过配置 PWMA、PWMB 和 CFGB 寄存器，在 BMS 微控制器处于睡眠模式时平衡电池也是可行的。
使用库仑计对电池进行充电
库仑计的主要用途是准确测量流入和流出电池或电路的电荷量......
微型无线电供电贴纸可测量物体间的作用力(2023-10-12)
贴纸施加外力时，聚合物会压缩，从而使两根铜条相互靠近。这样，电容器的电荷量就会增加。
ForceSticker 的另一个主要部件是 RFID（射频识别）标签，它通过手持式 RFID 阅读......
超50％废片！俄罗斯自主芯片严重受挫(2024-04-02)
起来进展并不太好，还需要继续精进。
贝加尔电子的处理器采用台积电制造工艺、Arm CPU架构，其中最新款Baikal-S使用的是16nm、A75的组合，最多48核心、24MB三级缓存，2.0......
中科院物理所科学家发现里德堡莫尔激子(2023-08-01)
WSe2/TBG 异质结构中的雷德贝格摩尔激子的想象图。资料来源：IOP
邻近 0.6° TBG 的 WSe2 中形成激子的光谱证据，以及不同掺杂水平下 TBG 中空间电荷分布的数值计算。
扭转......
如何优化SiC MOSFET的栅极驱动？这款IC方案推荐给您(2023-07-20)
范围内，VGS不是不变的，这也是由于器件低增益导致的。同样值得注意的是，QG = 0 nC(关断SiC MOSFET所需的电荷量) 不会发生在VGS = 0 V时，因此VGS必须为负 (本例......
希尔电子功率半导体新项目厂房预计下半年投用(2024-03-08)
集成模块和第三代半导体SiC、GaN等功率器件的研发步伐。在第三代半导体领域，希尔电子的SiC功率器件已逐步量产，GaN功率器件已经进入样品试制阶段。
业务方面，美的、格力、海尔等品牌均为希尔电子......
FinFET晶体管尺寸的量化一直是主要挑战，并迫使高密度6T(2022-12-22)
Memory,DRAM)
而言的。后者由于存储位元是基于电容器的电荷量进行存储，电荷量会随着时间和温度的变化而减少，因此需要定期刷新来保持原有的记忆信息。但无论是SRAM还是DRAM，都属于易失性存储器，在断......
万用表使用两则(2023-03-08)
针正向偏转，则红表笔接的是扬声器负极，黑表笔接的是扬声器正极。反之，红表笔接的是正极，黑表笔接的是负极。
2 用万用表判断压电陶瓷的好坏
压电陶瓷是一种人工合成的压电材料。当受到外界压力时，两面会产生电荷，电荷量......
一文深入了解备用电池单元中的BMS配置(2024-06-20)
制器处于休眠工作模式时平衡电池。
使用库仑计数器的电池充电
库仑计数器的主要作用是准确测量流入流出电池或电路的电荷量（以库仑为单位）。通过这种测量，可以更好地控制电池堆充电和放电，从而延长电池堆寿命，提高效率，并且......
国产核心板全面进攻－米尔瑞芯微RK3568开发板评测(2024-08-26 09:01)
天线，兼容树莓派的40pin接口扩展座，RTC的电池接口，USB选择跳帽接口，扬声器接口，音频接口、miniDP接口、HDMI接口、两个USB3.0接口、两个千兆的以太网口，米尔电子自定义的40pin......
国产核心板全面进攻-米尔瑞芯微RK3568开发板评测(2024-08-24)
瑞芯微RK3568的(MYD-LR3568J-32E4D-180-I-GK)。此款开发板是米尔电子推出的一款基于瑞芯微RK3568的工业板。笔者手上的为最高规格配置的版本，4GB LPDDR4......
国产核心板全面进攻-米尔瑞芯微RK3568开发板评测(2024-08-23)
/BT天线，兼容树莓派的40pin接口扩展座，RTC的电池接口，USB选择跳帽接口，扬声器接口，音频接口、miniDP接口、HDMI接口、两个USB3.0接口、两个千兆的以太网口，米尔电子......
运算放大器应用技巧(2023-06-25)
放大器的输出电压会有不归零的现象发生，如何解决这个问题？
对此，网友“Frank”分析道，有几种可能性会导致零漂：1)反馈电容ESR特性不好，随电荷量的变化而变化；2)反馈电容两端未并上电阻，为了......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
管的夹断：如果此时的D端电压持续升高，即当VDS>VGS- VGS th时，那么的D端反型层将彻底消失，出现了夹断区域。若此时VGS、VDS持续上升 ，那么S端的电子就会不受VGS控制，直接经过空间电荷......
2023 STM32全国巡展，米尔限量发STM32MP135开发板优惠券(2023-09-08)
程师们提供共话交流共同探索开放式平台，届时，米尔电子的技术工程师将与各位嘉宾面对面深入交流。感兴趣的客户和朋友欢迎莅临参观了解！
米尔电子的明星产品将精彩亮相
米尔MYC-YF13X 核心板及开发板
基于STM32MP1系列......
2023 STM32全国巡展，米尔限量发STM32MP135开发板优惠券(2023-09-08)
程师们提供共话交流共同探索开放式平台，届时，米尔电子的技术工程师将与各位嘉宾面对面深入交流。感兴趣的客户和朋友欢迎莅临参观了解！
米尔电子的明星产品将精彩亮相
米尔MYC-YF13X 核心板及开发板
基于STM32MP1系列MPU......
2023 STM32全国巡展，米尔限量发STM32MP135开发板优惠券(2023-09-11 09:34)
，米尔电子的技术工程师将与各位嘉宾面对面深入交流。感兴趣的客户和朋友欢迎莅临参观了解！
米尔电子的明星产品将精彩亮相米尔MYC-YF13X 核心板及开发基于STM32MP1系列MPU......
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