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中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破(2024-04-19)
地推动了β-Ga2O3薄膜的高质量异质外延的发展。同时，研究团队还通过对MBE外延生长过程中的β-Ga2O3薄膜生长机制进行详细探究，揭示了其成核、生长的差异性，并建立了相对应的外延生长机理模型图。
在β......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破(2024-04-19)
和优良的晶体质量，有力地推动了β-Ga2O3薄膜的高质量异质外延的发展。同时，研究团队还通过对MBE外延生长过程中的β-Ga2O3薄膜生长机制进行详细探究，揭示了其成核、生长的差异性，并建立了相对应的外延生长......
第四代半导体氧化镓蓄势待发！(2024-08-26)
地推动了β-Ga2O3薄膜的高质量异质外延的发展。同时，研究团队还通过对MBE外延生长过程中的β-Ga2O3薄膜生长机制进行详细探究，揭示了其成核、生长的差异性，并建立了相对应的外延生长......
SiC生长过程及各步骤造成的缺陷(2024-01-23)
是 TSD 的 10 倍。
在 SiC 外延生长过程中，TSD 从衬底延伸到外延层的扩展 TSD 可能会转变为基底平面上的其他缺陷并沿生长轴传播。
有研究表明，在 SiC 外延生长过程中，TSD 转化......
全球外延生长设备市场将在 2026 年达到 11 亿美元(2021-11-10)
全球外延生长设备市场将在 2026 年达到 11 亿美元;半导体市场趋势研究公司 Yole Développement 预测，全球外延生长设备市场规模将从2020年的6.9亿美元增长到2026年的......
GaN的里程碑：晶圆向300mm过渡(2024-09-09)
有多层无机薄膜，顶部是一个二氧化硅（SiO2）键合层，允许单晶硅层作为外延GaN生长的成核层。
这种技术使得可以在300mm晶圆上实现高质量、无翘曲和无裂纹的GaN外延生长，从而显著降低了器件成本。
信越......
Shin-Etsu Chemical进一步推进QST®基板业务，促进在GaN功率器件中的应用(2023-09-06)
司将推动这些产品的开发和上市。
由于QST®基板的设计具有与GaN相同的热膨胀系数(CTE)，因此可以抑制GaN外延层的翘曲和裂纹，从而实现大直径、高质量的厚GaN外延生长。利用这些特性，该产品有望应用于近年来快速增长的......
南京大学、东南大学在双层二维半导体外延生长核心技术取得新突破(2022-05-10)
南京大学、东南大学在双层二维半导体外延生长核心技术取得新突破;据科技日报报道，近日，南京大学王欣然教授团队与东南大学王金兰教授团队合作，实现了厘米级均匀的双层二硫化钼薄膜可控外延生长，该成......
12英寸氮化镓，新辅助？(2024-09-10)
12英寸氮化镓，新辅助？;第三代半导体材料氮化镓，传来新消息：日本半导体材料大厂信越化学为氮化镓外延生长带来了有力辅助。
2024年9月3日，信越化学宣布研制出一种用于GaN（氮化镓）外延生长的......
晶升股份8英寸碳化硅长晶设备交付重庆某客户(2024-08-09)
了批量交付进程。
2023年6月，晶盛机电宣布成功研发出8英寸单片式碳化硅外延生长设备。据介绍，该设备可兼容6/8英寸碳化硅外延生产，在6英寸外延设备原有的温度高精度闭环控制、工艺......
晶盛机电披露碳化硅进展(2024-03-08)
晶盛机电披露碳化硅进展;近日，在接受机构调研时表示，目前公司已基本实现8-12英寸大硅片设备的全覆盖并批量销售，6英寸外延设备实现批量销售且订单量快速增长，成功研发出具有国际先进水平的8英寸单片式外延生长......
GaN衬底研发获新突破！(2022-12-01)
阻率。
近年来，半绝缘SiC衬底上外延生长的GaN高迁移率晶体管(GaN-on-SiC HEMTs)已广泛应用于微波射频领域的功率放大器电路中，然而由于GaN和SiC晶体之间的晶格失配和热失配，导致......
晶盛机电披露碳化硅进展(2024-03-08)
研发出具有国际先进水平的8英寸单片式碳化硅外延生长设备，实现了成熟稳定的8英寸碳化硅外延工艺。同时公司基于产业链延伸，开发出了应用于8-12英寸晶圆及封装端的减薄设备、外延设备、LPCVD设备、ALD设备等。
晶盛......
半导体所等在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列进展(2022-10-19)
附近两个原子层面外方向原子偏移的线轮廓
图4 石墨烯辅助外延中的应力驰豫和位错演化机制。石墨烯辅助外延生长和直接外延生长的GaN薄膜的(a) XRD摇摆曲线对比，(b) 刃位错和螺位错密度对比，(c) 应力对比；GaN/石墨......
广东微纳院半导体微纳加工中试平台通线(2024-07-15)
微纳院半导体微纳加工中试平台通线，二期产业孵化区正式封顶，一批半导体项目现场签约。
资料显示 ，广东微纳院是由佛山市、南海区两级政府共同建设，中国科学院苏州纳米所支持的广东省省属事业单位，建设半导体材料外延生长......
半导体CVD设备国产化进行到哪步了？(2023-07-24)
一款碳化硅CVD的核心指标，主要从外延生长性能（厚度均匀性、掺杂均匀性、缺陷率和生长速率），设备本身温度性能（升温/降温速率、最高温度、温度均匀性），和设备性价比三个方面进行评判。
从整......
设备业繁荣期冲进世界前十，ASM的ALD和EPI有何特色？(2023-01-07)
近年另一个增长驱动力的是外延设备（EPI）。外延生长也是当今晶圆片制造过程中不可或缺的一步，所有晶圆第一层都要生长一层外延，先进制程中对于外延的要求更高。徐来告诉探索科技（ID：techsugar......
镓仁半导体氧化镓二期工厂正式启用(2024-11-20)
镓仁半导体氧化镓二期工厂正式启用;据镓仁半导体官微消息，镓仁半导体氧化镓二期工厂近日正式启用。新工厂在晶体生长、晶圆加工和外延生长等关键环节引入了先进的产业化设备，预计将显著提升产能，以满足全球市场对氧化镓晶圆衬底和外延......
东风汽车旗下基金入股长飞先进半导体，后者注册资本增至约2.92亿元(2023-10-08)
先进成立于2018年，是一个专注于碳化硅（SiC）功率半导体产品研发及制造，拥有产线设备和先进的配套系统，具备从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全流程生产能力和技术研发能力
长飞先进可年产6......
中科院微电子研究所在氮化镓—金刚石异质集成方面取得新进展(2022-03-15)
-diamond异质集成方法受到广泛关注。目前实现该异质集成结构主要有外延生长和键合两种方法，相较于外延生长存在热应力、热损伤和低界面热导层等问题，键合技术因具有高热导、低热应力的优势，作为......
上海合晶冲刺IPO，拟募资超15亿元加码半导体硅外延片(2024-01-25)
合晶是中国少数具备从晶体成长、衬底成型到外延生长全流程生产能力的半导体硅外延片一体化制造商，主要产品为半导体硅外延片。发行人致力于研发并应用行业领先工艺，为客户提供高平整度、高均匀性、低缺陷度的优质半导体硅外延......
2025年全球硅外延片市场规模将达109亿美元(2022-12-22)
片市场开展新一轮的调研与分析，发布最新研究报告《2022年中国硅外延片市场研究报告》，该报告预测，2025年全球硅外延片市场总规模将达到109亿美元。
硅外延片是指在硅单晶衬底上外延生长......
研制装备实现国产化，湖南半导体技术攻关取得突破(2023-07-27)
顺利通过综合验收。
报道称，“第三代半导体核心装备国产化关键技术攻关”项目由中国电子科技集团公司第四十八研究所承担。项目突破了6英寸SiC（碳化硅）外延生长设备和高温高能离子注入机的工艺性能、产能、稳定......
SiC和GaN的供应链考量(2024-07-24)
板的可用性、缺陷密度和外延生长技术对于持续的研发至关重要。
成本高昂是主要的采购问题，GaN和SiC的生产成本明显高于Si，主要是由其生长工艺的复杂性决定的。例如，高质量GaN和SiC所需的外延生长......
国内第四代半导体技术迎新进展(2025-01-10 13:12:42)
化镓单晶衬底常见的主流晶面中，（010）衬底在物理特性和外延方面具有出色的表现。首先，（010）衬底热导率最高，有利于提升功率器件性能；第二，（010）衬底具有较快的外延生长速率，外延匹配度好，是外延......
陕西光电子先导院先进光子器件工程创新平台在西安全面启用(2023-03-31)
化合物芯片工艺服务能力的柔性中试平台。
同时，先进光子器件工程创新平台将有效解决第三代化合物半导体芯片制造的外延生长与制程等关键问题，为光电芯片、功率器件、射频器件等芯片设计企业、高校、科研院所提供外延生长......
中电化合物与韩国Power Master公司签署战略合作协议(2023-06-20)
江省首个第三代半导体项目，总投资10.5亿元，规划建设年产7万片6吋SiC同质外延片生产线，和年产1万片GaN外延片生产线；包含SiC晶体生长、衬底加工、外延生长、材料检测工序。
官网......
晶盛机电：预计2023年上半年净利超20亿(2023-07-14)
28日，晶盛机电表示已成功研发出具有国际先进水平的8英寸单片式碳化硅外延生长设备。
晶盛机电称，8英寸单片式碳化硅外延设备可兼容6、8英寸碳化硅外延生产，在6英寸外延......
露笑科技合肥碳化硅工厂，已开始设备安装调试(2021-06-02)
、衬底制作、外延生长等的研发生产。2020年底，该产业园项目开工。
据悉，该项目总投资100亿元，占地面积88亩，主要建设第三代功率半导体（碳化硅）的设备制造、长晶生产、衬底加工、外延......
瀚天天成宣布量产8英寸碳化硅外延片(2023-07-10 15:05)
晶片的质量达到国际先进水平，厚度不均匀性小于3%，浓度不均匀性小于6%，2mm*2mm管芯良率达到98%以上。该技术的突破标志着我国已经掌握商业化的8英寸碳化硅外延生长技术，进一步推进了碳化硅外延......
成熟工艺设备获美供应许可？中芯国际回应(2021-03-03)
如此，此前中芯国际一直申请但未通过的用于14纳米晶圆外延生长的关键设备也获得了批准。
3月2日，中芯国际在上证e互动平台上回应，“公司会尽最大努力，持续携手全球产业链伙伴，保证......
总投资32.7亿元，重投天科第三代半导体项目在深圳宝安启用(2024-02-29)
底产线正式进入试运行阶段。
第三代半导体碳化硅材料生产基地总投资32.7亿元，是广东省和深圳市重点项目，深圳全球招商大会重点签约项目。其中，围绕生产衬底和外延等制造芯片的基础材料，该项目重点布局了6......
日本团队采用新技术制备氧化镓晶体(2024-08-02)
镓在大功率和高频率应用中具有优势，且导通电阻更低，损耗更小。
目前，中国、日本、韩国等国的研究机构和团队在氧化镓材料的技术研发和产业化方面都取得了一定的进展。其中，厦门大学的研究团队在氧化镓外延生长......
三安集成滤波器Q2单月出货超过10kk 近日取得富智康订单(2021-07-10)
集成是涵盖微波射频、高功率电力电子、光通讯等领域的化合物半导体制造平台；具备衬底材料、外延生长、以及芯片制造的产业整合能力，拥有大规模、先进制程能力的MOCVD外延生长制造线。
三安光电2020年年......
中国科学家在锗锡材料分子束外延方面取得重要进展(2022-07-06)
中国科学家在锗锡材料分子束外延方面取得重要进展;中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室成步文研究团队研制出工作在中红外波段的硅基锗锡探测器。这是该团队在锗锡材料外延生长取得进展后，在锗......
深圳国际半导体展直击：30+三代半厂商亮相！(2023-05-19)
半导体重点展示了4/6英寸SiC外延片产品，及其子公司南方半导体的SiC功率器件/模块产品。
天域半导体是全球SiC外延片的主要生产商之一，以先进的SiC外延生长......
8月1日生效！中国对镓、锗相关物项实施出口管制(2023-07-04)
镓（多晶、单晶、晶片、外延片等多种形态）、锗外延生长衬底等。
公告原文如下
根据《中华人民共和国出口管制法》《中华人民共和国对外贸易法》《中华人民共和国海关法》有关规定，为维护国家安全和利益，经国......
国家自然基金“十四五”规划：集成电路多个细分领域被划重点(2022-11-22)
、掺杂与异质集成等难题，研究大尺寸单晶衬底与外延生长，异质结构构筑、集成及物性调控，硅基等异质集成技术，高性能器件制备工艺、模型和可靠性评测方法等，推动核心装备研制，支撑......
全球芯片正在破局...(2024-07-15)
的发展。同时，研究团队还通过对MBE外延生长过程中的β-Ga2O3薄膜生长机制进行详细探究，揭示了其成核、生长的差异性，并建立了相对应的外延生长机理模型图。据悉，β-Ga2O3材料......
车规碳化硅功率模块 - 衬底和外延篇(2023-01-10)
体到系统之路！接下来我们将对两个碳化硅的关键的供应链衬底和外延epi进行分析和介绍，这样大家会对于安森美在碳化硅的布局和领先优势会有进一步的了解。
安森美碳化硅全垂直整合的供应链——从晶体到系统
供应链从我们位于新罕布什尔州哈德逊的工厂生长......
8英寸时代：国产碳化硅衬底如何升级？(2023-10-27)
开裂、气相原料分布等难点问题。
6月27日，晶盛机电带来了碳化硅设备方面的新消息，即成功研发出8英寸单片式碳化硅外延生长设备，可兼容6、8寸碳化硅外延生产。
目前，该公司在子公司晶瑞的8英寸......
GaN开启了“无限复制”时代！(2024-02-22)
实现了可以完全覆盖和保护二维材料的GaN远程同质外延技术，从而生长并剥离GaN半导体。
▲ 精确分析以确认远程同质外延。使用透射电子显微镜，他们在原子尺度上确认了GaN芯片、石墨烯和生长的GaN......
除了功率和射频，化合物半导体还有哪些发展契机？(2021-03-29)
，GaN-LED外延需求量达到290万片/月。
GaN-LED仍然存在一些制造技术有待攻克，主要集中在异质外延生长、芯片制造等关键环节，存在三个基本问题：大失配异质外延生长的......
基于昆明物理研究所的Au掺杂碲镉汞长波探测器探究(2023-03-17)
在Au掺杂器件工艺中，首先需控制Au掺杂材料稳定性。由于富Te液相外延生长的碲镉汞薄膜中会有大量汞空位（VHg）存在，掺杂Au原子在此条件下很容易占据汞格点实现受主掺杂，可实现较高的掺杂浓度材料的生长......
广州：鼓励发展大硅片、光刻胶等高端半导体制造材料(2023-10-31)
键合机、倒装键合机及贴片机等）、检测设备（测试机、探针台等）以及单晶生长炉、外延生长炉等设备、关键零部件及工具国产化替代。
资金扶持方面，《发展办法》指出，对当年产值首次达到2000万元、5000万元、1......
湖南三安半导体项目二期工程开工 预计今年建成投产(2022-07-21)
三安半导体项目是中国第一条、世界第三条碳化硅全产业链生产线项目。
项目分两期进行。项目负责人介绍称，一期项目于去年6月点亮试产，成为国内首条、全球第三条SiC垂直整合产线，产线覆盖衬底材料、外延生长......
再建新厂！半导体产业争口“气”(2024-06-07)
在芯片产业关键制程光刻、外延生长、沉积等环节发挥着重要作用。
在光刻过程中，则有特定需要的光刻气，该类气体可使光刻机产生深紫外激光。据悉，光刻气在腔体内受高压激发后，由于电子跃迁，产生了一定波长的光，不同的光刻气和电压可产生不同波长的......
国家自然基金“十四五”规划公布，集成电路多个细分领域被划重点(2022-11-22)
足下一代信息技术的发展需求提供有效支撑。
宽禁带半导体
围绕宽禁带半导体大失配外延、掺杂与异质集成等难题，研究大尺寸单晶衬底与外延生长，异质结构构筑、集成及物性调控，硅基等异质集成技术，高性能器件制备工艺、模型......
车规碳化硅功率模块——衬底和外延篇(2023-01-10)
体到系统之路！接下来我们将对两个碳化硅的关键的供应链衬底和外延epi进行分析和介绍，这样大家会对于安森美在碳化硅的布局和领先优势会有进一步的了解。
安森美碳化硅全垂直整合的供应链——从晶体到系统
供应链从我们位于新罕布什尔州哈德逊的工厂生长......
总投资预计超过200亿元！长飞先进与东湖高新区半导体合作项目签约(2023-08-28)
力武汉打造国内化合物半导体产业高地。
资料显示，安徽长飞先进半导体有限公司专注于碳化硅（SiC）功率半导体产品研发及制造，拥有国内一流的产线设备和先进的配套系统，具备从外延生长、器件设计、晶圆......
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;康佳集团;;基本原理
的无尘标准车间3000多平方米，配备先进的全自动生产、检测设备。主要从事LED光电领域的外延生长、芯片备制、LED封装及应用产品核心技术的研发、技术服务及产品生产、销售。
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;深圳市先进电子;;本公司成立20余年来一直秉承着：专业诚信、客户至上、互惠互利的基本原则，以服务客户为首要任务，在业界赢得了国内外广大客户的信赖与认可！
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;CETC;;基本原则