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谈谈几种常用的MOSFET驱动电路(2024-04-22)
显得尤其重要了。
二、MOS管驱动要求
一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求:
(1)开关管开通瞬时,驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值,保证开关管......
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纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K(2023-02-05)
器和两颗650V耐压的GaN开关管。
NSD2621产品特性: 01. SW引脚耐压±700V 02. 峰值驱动电流2A/-4A 03. 驱动输出集成内部稳压器,驱动电压5V/5.5V......
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纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K(2023-02-03)
产品,内部集成了高压半桥驱动器和两颗650V耐压的GaN开关管。
NSD2621产品特性:
01. SW引脚耐压±700V
02. 峰值驱动电流2A/-4A
03. 驱动输出集成内部稳压器,驱动电......
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纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K(2023-02-06 09:46)
产品,内部集成了高压半桥驱动器和两颗650V耐压的GaN开关管。
NSD2621产品特性:01. SW引脚耐压±700V02. 峰值驱动电流2A/-4A03. 驱动输出集成内部稳压器,驱动电......
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纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K(2023-01-29)
不同,E-mode GaN器件的栅源电压要求极为严格,一般耐压最大值不超过7V。在开关电源中由于系统噪声的影响,驱动芯片VDD或者BST引脚容易引入高频干扰,会引起栅极驱动电压的过冲,从而导致GaN开关管......
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MOS管驱动电路有几种,看完就明白了(2024-11-01 12:17:03)
MOS管一般都是慢开快关。在关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放,保证开关管......
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MOS管驱动电路设计(2023-09-30)
MOS管驱动电路设计;因为其导通内阻低,开关速度快,因此被广泛应用在开关电源上。而用好一个,其的就很关键。下面分享几种常用的。本文引用地址:电源IC直接
电源IC直接驱动是最简单的驱动方式,应该......
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纳芯微新品,专门用于驱动E−mode(增强型)GaN 开关管的半桥芯片NSD26(2023-02-15)
纳芯微新品,专门用于驱动E−mode(增强型)GaN 开关管的半桥芯片NSD26;前言
现阶段的大多数 电源系统都是由多个芯片组成。 器件在电路板上组装前采用分立式的元件组装会产生寄生电感,从而......
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电动汽车用非车载充电桩后级DC模块设计与实现(2024-07-15)
的ADC 口。
图3 Boost过流保护图
3.3 驱动电路及通信电路设计
由于数字控制芯片DSP 输出的PWM 信号达不到驱动MOSFET 所需的功率大小,所以对DC 模块来说功率开关管驱动电路......
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电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
进行功率放大,以驱动功率开关器件的开断。优良的驱动电路能够提高数字电源的可靠性,减少器件的开关损耗,提高能量转换效率并降低EMI/EMC。
2、驱动电路的分类
驱动电路按照功率器的件接地类型分为直接接地驱动和浮动接地驱动......
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电动汽车dcdc转换器的功能 dcdc变换器电路(2023-08-04)
以后,再经由Cf和Rl滤波处理,得到直流电,提供给输出端。
驱动模块
对于控制芯片输出的四路 PWM 驱动信号来说,并不能直接驱动四个功率开关管。所以,一般来说,开关电源是需要配套一个驱动电路来驱动功率开关管......
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不同的电平信号的MCU怎么通信?(2024-10-22 16:01:50)
图中的2、3引脚)截止,2N7002里面的二极管3-->2方向不通。那么MCU2 RX被VCC2上拉
为3.3V。相关推荐:
MOS管驱动电路......
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单端、推挽、桥式拓扑结构变压器对比(2024-11-09 18:37:14)
基极均为低电平,驱动电路简单。
主要缺点
:变压器绕组利用率低、对开关管的耐压要求比较高(至少......
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变频器的辅助电源设计(2023-08-25)
电源输出路数较多,且输出功率不大,电路选取完全能量传递方式单端反激式电路结构,如下图:
开关管驱动控制芯片选电流控制型PWM芯片UC2844(这类芯片也是蛮多的,系列延伸也多,大家可以去了解一下),输出......
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4种开关电源开关管(MOS管)驱动电路分析(2024-11-17 11:29:59)
4种开关电源开关管(MOS管)驱动电路分析;
开关电源开关管(MOS管),有几种驱动电路?你都知道哪一种?
......
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基于MP4021的LED照明驱动电源设计(2024-07-22)
反馈芯片方案进行对比可知,MP4021控制的LED驱动电源具有高功率因数和低成本优势,并设计出一种基于MP4021的高功率因数LED驱动电源电路。详细介绍了芯片内部的功率因数校正(PFC)电路原理和主要的参数设计,并经过实验验证该电源电路......
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七种MOS管栅极驱动电路(2024-10-30 00:55:57)
七种MOS管栅极驱动电路;
在使用mos管驱动电路设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑mos的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有......
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必易微 BMS 新品重磅推出(2022-08-19)
后面常有较大的电容,导致开关管打开时产生较大的浪涌电流,该电流会对应用电路产生冲击,由于过高的 di/dt 而产生电压尖峰应力。
KP62030 除了增强的充放电管驱动外,额外增加了预充预放驱动输出。系统......
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关于PWM型D类音频功率放大器的设计(2024-09-10)
对截止。
2.5 驱动电路
驱动电路结构如图8 所示,该电路能有效调节死区时间(N 型、P 型功率开关管同时关断),防止单臂“shoot- through”现象,并有保护关断功能。输入......
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产生尖峰电流的主要原因(2023-09-12)
产生尖峰电流的主要原因;在实际电路连线中,由于工艺的关系,电路的输入回路至开关管V的集电极和发射极之间的导线上存在一定的杂散电感,等效于LS。在V导通时,输入电流iI经过LS,产生一个感应电流ULS......
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几种常用的驱动电路!(2024-12-20 15:49:48)
般都是慢开快关。在关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放,保证开关管能快速关断。
为使栅源极间电容电压的快速泄放,常在驱动电......
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电路设计篇:开关电源设计实例(二)(2024-03-08)
电源的组合)
推挽式开关电源的优点是两个开关管容易驱动,电路的输出功率较大,一般在100~500W的范围,并且输出电流瞬态响应速度很高,电压输出特性很好,但是缺点是两个开关管......
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支持Qi和 AirFuel的双标准无线充电天线和有源整流系统(2024-05-16)
上的压降以及电流方向,比较器输出还需要采用一个类似于文献[7]提出的滤波电路来处理,最后获得功率开关的控制信号CTRLi。滤波电路的用处是消除比较器输出中的毛刺和杂散换向信号。比较器可以限值高边开关管和低边开关管驱动电......
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详解继电器原理特性与继电驱动电路设计技巧(2024-11-12 21:27:25)
达到吸合状态。
3、 晶体管驱动驱动电路
当晶体管用来驱动继电器时,推荐用NPN三极管。具体电路如下:
当输......
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摊牌了,MOS管的真面目!(2025-01-01 18:07:51)
半导通状态时间也越长,在半导通状态内阻较大,发热也会增大,极易损坏MOS,所以高频时栅极串的电阻不但要小,一般是需要加前置驱动电路......
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BLDC无位置传感器控制的关键技术讨论(2024-08-12)
未能得到充分利用,其运行时转矩波动较大;对于要求较高的场合,一般采用三相全桥电路,如上图一(b)所示。
无论电机绕组采用何种联结方式,三相全桥驱动电路都有两两导通和三三导通两种通电方式。两两通电方式是指每一瞬间有两只开关管......
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峰值电流模式控制BUCK电路功率级电路计算及仿真(2023-01-10)
电流模式控制BUCK开环仿真波形1
在上面图16中,到的时域仿真波形自上到下分别为斜坡补偿后的电流采样电压V_CS,电压环给定V_COMP,开关节点电压SW,开关管下管驱动波形PWM1L。
图17 峰值......
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经典继电器驱动电路方案:单片机IO端口、三极管、达林顿管及嵌套连接(2024-10-14 11:35:52)
一的继电器特性要求
3.1.2 方案一可能会损坏I/O口
3.2 继电器驱动电路方案二:三极管驱动(校招......
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详解上拉电阻的定义,作用与选值(2022-12-12)
的抑制反射波干扰;
8、在数字电路中不用的输入脚都要接固定电平,通过1k电阻接高电平或接地。
上拉阻值选择原则
1、从节约功耗及芯片的灌电流能力考虑应当足够大;电阻大,电流小。
2、从确保足够的驱动电......
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意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能(2024-11-13 13:02)
系列为开发者提供不同的产品型号选择 ,其中包括驱动电流 10A 和 6A的产品,两种产品都具有不同的欠压锁定 (UVLO) 和去饱和干预阈值,帮助设计人员选择与其所选的SiC MOSFET 或 IGBT 功率开关管性能最匹配的驱动器。去饱和保护功能实现了对外部功率开关管......
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双脉冲测试平台的架构及搭建方案(2023-03-29)
供电,所需电压一般在20V以内,所需功率一般在20W以内。同时,对于上下管都是开关管的测试板,可以选择双通道输出的辅助电源为上下管的驱动电压分别供电;对于三电平电路......
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基于51单片机实现继电器控制照明设备(2023-02-01)
;
DelayMS(20);
}
}
}
问题解答:
Q
为什么继电器要连接晶体管?
A
由于继电器通电的电流很大,不能用单片机直接控制,需要晶体管驱动,用晶体管做开关电路,用单......
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P通道功率MOSFET及其应用(2024-04-21)
的同步降压转换器使用PMOSFET器件作为HS开关管,该设计简化电路,并节省空间,取消了外部栅极驱动电路,同时减少材料列表(BOM),提高了效率。相同地,在同步升压转换器中,P通道MOSFET器件......
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一种电动汽车空调系统PTC加热器控制器设计(2024-07-19)
开通瞬间会有很大的冲击电流。除了通过调节驱动电路控制开关速度外,两路开关管不同时开通,可以减小开通瞬态电流。
驱动芯片选用UCC27524A1-Q1,具有两个独立的栅极驱动通道,ENA 和......
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MOS管驱动电流估算(2024-04-02)
,就可以得到最快105ns的开关速度。
当然这也只能估算出驱动电流的数值,还需进一步测试的过冲波形。在设计驱动电路的时候,一般在前面串一个10Ω左右的电阻(根据测试波形调整参数)。
这里......
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半桥不对称 PWM 控制变换器(2024-11-15 11:28:50)
七种MOS管栅极驱动电路
1.工作原理
不对称脉宽调制半桥 DC/DCZVS变换器的电路如图 4-19所示。当开关 S1和......
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Diodes公司推出具有功率因数校正的交流-直流LED驱动器AP1684(2013-11-11)
,有助于大幅降低电路物料清单成本。AP1684以外部双极型晶体管驱动,只需少量外部元件,加上采用了SO8封装,让灯具设计师能够减小印刷电路板面积,以及提升功率密度及整体产品的可靠性。
这个驱动器可维持低启动电......
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豪威集团发布紧凑型5V/2A降压转换器WD10721(2022-04-12)
WD10721是一款经过优化的同步降压DC-DC转换器。在COT模式,2.1MHz典型开关频率下,可提供高达2A输出电流。在shut down状态下,电流消耗小于2μA。通过优化上下开关管及驱动电路......
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P沟道功率MOSFETs及其应用(2024-04-09)
中的电流,并联齐纳二极管来钳位栅极电压。
DC-DC转换器
低功率DC-DC转换器中,图5a)所示的同步降压转换器使用PMOSFET器件作为HS开关管,该设计简化了电路,节省了空间,取消了外部栅极驱动电路......
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电机控制器中的MOS驱动(2024-10-18 15:10:10)
:
MOS管驱动电路设计细节
。在设计汽车风机
、水泵、油泵等电机驱动
控制器时,使用车规MCU+车规预驱+车规N......
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什么是H桥?介绍H桥电机驱动电路(2023-10-30)
什么是H桥?介绍H桥电机驱动电路;什么是H桥 因为电路长得像字母H而得名,通常它会包含四个独立控制的开关元器件,例如下图有四个MOSFET开关元器件Q1、Q2、Q3、Q4。 它们通常用于驱动电......
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介绍H桥电机驱动电路(2024-11-05 11:58:11)
介绍H桥电机驱动电路;
什么是H桥
因为电路长得像字母H而得名,通常它会包含四个独立控制的开关元器件,例如......
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系列为开发者提供不同的产品型号选择 ,其中包括驱动电流 10A 和 6A的产品,两种产品都具有不同的欠压锁定 (UVLO) 和去饱和干预阈值,帮助设计人员选择与其所选的SiC MOSFET 或 IGBT 功率开关管性能最匹配的驱动......
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意法半导体车规直流电机预驱动器简化EMI优化设计,节能降耗(2024-07-09)
个外部引脚上有电荷泵输出,可以用于控制电池装反保护电路的MOSFET开关管。
可以通过 SPI 端口设置栅极驱动电流,控制压摆率,最大限度地减少电磁辐射和耗散功率。在设置传统驱动器的压摆率时,通常......
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电动汽车车载充电器过流保护电路分析(2024-04-29)
车载充电器包括AC/DC变换器和DC/DC变换器,所述AC/DC变换器和DC/DC变换器均采用光耦驱动的SiC开关管,所述过流保护电路包括:电流检测单元,所述电流检测单元通过检测所述DC/DC变换......
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意法半导体车规直流电机预驱动器 简化 EMI 优化设计,节能降耗(2024-05-07 13:45)
压低至5.41V时,电荷泵仍能正常输出。在一个外部引脚上有电荷泵输出,可以用于控制电池装反保护电路的MOSFET开关管。可以通过 SPI 端口设置栅极驱动电流,控制压摆率,最大......
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直流电机:运行阶段、故障检测和保护以及直流电机驱动器应用(2023-09-27)
电流和电压的变化可能随所使用的制动方法而变化。如果采用常用的短路制动法,则会产生较大的短时制动电流,将导致电机内部绕组和电机驱动电路产生大量功耗。
3. 反转:当电机电压反加时,电机被迫向相反方向旋转。此阶......
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意法半导体发布隔离式栅极驱动器,可安全控制碳化硅MOSFET(2021-03-22)
电源电压高达1200V。
STGAP2SiCS能够产生高达26V的栅极驱动电压,将欠压锁定(UVLO)阈压提高到15.5V,满足SiC MOSFET开关管正常导通要求。如果电源电压低引起驱动电压太低,UVLO保护......
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意法半导体发布隔离式栅极驱动器,可安全控制碳化硅MOSFET(2021-03-22)
电源电压高达1200V。
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不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
速度和输入的容性特性的有很大关系,由于输入容性特性的存在,使开关的速度变慢,但是在作为开关运用时,可降低驱动电路内阻,加快开关速度(输入采用了后述的“灌流电路”驱动,加快了容性的充放电的时间)。MOSFET只靠多子导电,不存......
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