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东芝推出400 V耐压小型开关二极管HN1D05FE(2024-10-12)
东芝推出400 V耐压小型开关二极管HN1D05FE;
【导读】东芝深耕于电子元器件领域多年，其耐压小型开关二极管产品一直备受市场关注。近期推出的400 V耐压开关二极管......
东芝推出400 V耐压小型开关二极管HN1D05FE(2024-10-14)
东芝推出400 V耐压小型开关二极管HN1D05FE;
电子技术的飞速进步伴随着集成电路和微型化技术的日新月异，小型开关二极管作为电子元件中的关键一环，尤其在高压、恶劣环境下，其性......
东芝推出适用于高压电路的400 V耐压小型开关二极管(2023-12-22)
东芝推出适用于高压电路的400 V耐压小型开关二极管;
【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近期发布了400 V耐压开关二极管新产品“HN1D05FE”。 “HN1D05FE......
设备可靠性标杆！時科1N4148W二极管满足的性能需求(2024-09-03 09:53)
先进的技术和严格的品质控制，推出了多款高性能的开关二极管，其中1N4148W更是众多工程师首选的明星产品之一。• 高频率响应：時科1N4148W的反向恢复时间仅为4ns，能够在高频应用中提供出色的性能。这一......
Diodes推出业界首款同级产品中极小DSN1406 2A 封装的肖特基整流器(2024-03-27)
积更小且更有效率的便携式、移动和可穿戴设备克服了设计难题。此系列创新的高电流沟槽肖特基整流器采用仅占 0.84mm² 电路板空间的芯片级封装 (CSP)，适用于各种用途，可作为阻流或反极性保护二极管、升压二极管和开关二极管......
基础知识之二极管(2024-03-20)
极 (+) 加电流时，二极管基本上无电流流过，这时的特性叫做逆方向特性，例VR，IR等逆方向特性。
二、概略
1. 按频率分类
最基本的分类方法。二极管根据其特性分为整流二极管、开关二极管、肖特基势垒二极管......
知名半导体芯片制造企业——扬州晶新微电子参展CITE2023(2023-03-21)
晶体管、晶闸管、开关二极管、稳压二极管、肖特基二极管、镀银点二极管、瞬态电压抑制二极管、光电二极管、FRD和双极型集成电路（IC）、电力电子器件及模块等。公司的功率器件芯片、高频......
Diodes公司推出业界首款同级产品中极小DSN1406 2A封装的肖特基整流器(2024-03-21)
列创新的高电流沟槽肖特基整流器采用仅占 0.84mm² 电路板空间的芯片级封装 (CSP)，适用于各种用途，可作为阻流或反极性保护二极管、升压二极管和开关二极管使用。本文引用地址：这三款产品是首次设计使用X3......
Diodes 公司推出业界首款同级产品中极小DSN1406 2A 封装的肖特基整流器(2024-03-21)
积更小且更有效率的便携式、移动和可穿戴设备克服了设计难题。此系列创新的高电流沟槽肖特基整流器采用仅占 0.84mm² 电路板空间的芯片级封装 (CSP)，适用于各种用途，可作为阻流或反极性保护二极管、升压二极管和开关二极管......
又一家半导体企业启动上市辅导(2021-03-05)
微电子开发和生产了包括高反压双极晶体管、小信号外延双极晶体管、中功率外延晶体管、平面肖特基二极管、快恢复及开关二极管、稳压二极管、TVS（瞬态电压抑制）二极管等门类，拥有600多种......
Nexperia继续扩充采用小型DFN封装、配有侧边可湿焊盘的分立器件产品(2022-04-27)
DFN1006BD-2封装的BAT32LS-Q和BAT42LS-Q通用肖特基二极管。
采用DFN1006BD-2封装的BAS21LS-Q高速开关二极管。
采用DFN1110D-3封装的PDTA143/114/124......
Diodes推出业界首款同级产品中极小DSN1406 2A 封装的肖特基整流器(2024-03-25 15:04)
和可穿戴设备克服了设计难题。此系列创新的高电流沟槽肖特基整流器采用仅占 0.84mm² 电路板空间的芯片级封装 (CSP)，适用于各种用途，可作为阻流或反极性保护二极管、升压二极管和开关二极管......
Diodes 公司推出业界首款同级产品中极小DSN1406 2A 封装的肖特基整流器(2024-03-21 14:25)
积更小且更有效率的便携式、移动和可穿戴设备克服了设计难题。此系列创新的高电流沟槽肖特基整流器采用仅占 0.84mm² 电路板空间的芯片级封装 (CSP)，适用于各种用途，可作为阻流或反极性保护二极管、升压二极管和开关二极管......
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PCB布局对电路实现稳定工作非常重要，以下建议供参考：
1)开关电流路径尽量短，输入电容、高边MOSFET和外部开关二极管形成的环路区域尽量小。
2)旁路陶瓷电容靠IN端就近放置，SW输出......
Microsemi推出新封装形式的耐辐射型“航空飞行”FPGA 器件(2012-02-14)
的标准化和定制化航空航天解决方案包括转换器、可定制化系统单芯片(cSoC)解决方案、MOSFETS、整流器、开关二极管、晶体管、DC-DC转换器和齐纳二极管等。
产品供应情况
采用CQ256封装形式的RT ProASIC3......
大联大品佳集团推出基于Infineon产品的BLDC变频控制方案(2023-11-02)
MOSFET和一个用于PFC级的快速开关二极管，支持高达150KHz的PFC开关频率。IM564-X6D将单升压PFC级和逆变器级集成在一个DIP 3×36D封装中的设计，能够显著减小电感器尺寸，实现......
大联大品佳集团推出基于Infineon产品的BLDC变频控制方案(2023-11-02)
个用于PFC级的快速开关二极管，支持高达150KHz的PFC开关频率。IM564-X6D将单升压PFC级和逆变器级集成在一个DIP 3×36D封装中的设计，能够显著减小电感器尺寸，实现......
大联大品佳推出基于Infineon产品的BLDC变频控制方案(2023-11-02)
新iMotion MCE引擎技术。模块内置一个CoolMOS™功率MOSFET和一个用于PFC级的快速开关二极管，支持高达150KHz的PFC开关频率。IM564-X6D将单升压PFC级和逆变器级集成在一个DIP......
ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”(2024-01-24)
（Reverse Recovery Time）
开关二极管从导通状态到完全关断状态所需的时间。该值越低，开关时的损耗越小。
*2) 正向电压：VF（Forward......
基础回顾：电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管(2024-06-03)
截流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。
二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管......
ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”(2024-01-23 15:34)
品在其他电商平台也以开始逐步发售。
＜术语解说＞*1) 反向恢复时间：trr（Reverse Recovery Time）开关二极管从导通状态到完全关断状态所需的时间。该值越低，开关时的损耗越小。*2) 正向......
低电感ANPC拓扑结构集成新型950V IGBT和二极管技术，满足光伏应用的需求(2022-12-23)
斜率造成叠加影响。特别是对于快速开关二极管，较大di/dt在恢复峰值之后出现，并导致额外的电压增加。这反过来又加大了陡度，从而二极管处出现更高的dv/dtmax。应该注意的是，这个结论只适用于二极管。对于......
功率半导体，涨价函纷飞！(2024-01-15)
晶新前身可追溯到60年代成立的国营“扬州晶体管厂”，公司拥有4英寸、5英寸、6英寸三条生产线，主要芯片产品包括小信号晶体管、功率晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、数字晶体管、晶闸管、开关二极管、稳压二极管......
19种电压转换的电路设计方法(2024-04-25)
的额定功率，也不超过 PICmicro MCU的最大 VDD。
技巧三：采用3个整流二极管的更低成本供电系统
图 3-1 详细说明了一个采用 3 个整流二极管的更低成本稳压器方案。
我们也可以把几个常规开关二极管......
19个常用的5V转3.3V技巧(2024-10-22 16:05:36)
的更低成本稳压器方案。
我们也可以把几个常规开关二极管......
驱动电机控制器IGBT驱动电源设计与验证(2024-07-17)
设计需求。根据开关二极管电流等同于输入电流原则，根据电路参数计算输出电压：当线圈处于 CCM 时：
图4 Tansformer原边和副变结构及输出电流波
3 仿真
从 Pspice 仿真......
蜂鸣器驱动电路(2024-10-14 12:31:55)
，并干扰整个电路系统的其它部分。而如果电路中工作电压较大，要使用耐压值较大的二极管，而如果电路工作频率高，则要选 用高速的二极管。这里选择的是 IN4148 的开关二极管。NPN 无源......
大联大品佳集团推出基于Infineon产品的BLDC变频控制方案(2023-11-02)
个用于PFC级的快速开关二极管，支持高达150KHz的PFC开关频率。IM564-X6D将单升压PFC级和逆变器级集成在一个DIP 3×36D封装中的设计，能够显著减小电感器尺寸，实现......
单片机阻容复位电路的构成、特点和改进方法(2023-01-31)
选用3.3V稳压管)和开关二极管D2(实际选用1N4148，导通压降为0.6V左右)决定了复位信号的电平阈值，大致就是3.3V+0.6V=3.9V左右(朋友们也可以更替D1的稳压参数构成更多复位阈值)。
电路中的三极管......
常见三相PFC结构的优缺点分析，一文get√(2023-12-28)
器时，建议确定是哪一种“Vienna”。
关于“Vienna”整流器的特性，它是一种三相连接升压，如图7所示。单相升压由电感、开关器件和整流二极管组成。在三电平结构中，每个半波或每个母线电压（不包......
了解升压转换器的操作(2024-03-29)
状态）。让我们从接通状态开始。
当开关导通时，来自输入电源的电流被分流至接地。它流过电感器，流过开关，然后流入接地节点，如图3所示。不通过二极管或到达电容器。在此期间，电感器的电流上升，电感器“充电......
针对车载充电机的二次侧整流部分推荐基本半导体的1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC（替代科锐C4D30120D），该二极管是以AEC-Q101为标准、支持车载的碳化硅肖特基二极管，可降低开关损耗，可高速开关......
二极管导通AB两端的控制条件藏在A中，而三极管却是藏在C中。(2024-01-15)
二极管导通AB两端的控制条件藏在A中，而三极管却是藏在C中。;1.单向开关本文引用地址：，连接AB两端的管子。像一个开关，闭合导通，断开分离。中的PN结充当开关的阀门。AB两端的压差超过0.7V时......
MAX4938数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:30)
MAX4938数据手册和产品信息;MAX4936–MAX4939为八通道、高压发送器/接收器(T/R)开关。T/R开关基于二极管桥拓扑，二极管桥的总电流可通过SPI™接口设置。所有......
高压栅极驱动IC自举电路的设计与应用指南(2022-12-23)
VS降低到IC电源电压VDD或下拉至地时(下桥开关导通，上桥开关关断)，电源VDD通过自举电阻，RBOOT，和自举二极管，DBOOT，对自举电容CBOOT，进行充电，如图2所示。当 VS被上桥开关......
的元器件过多，就无法实现高效率、小体积设计。
通常传统的SiC器件由于其反向恢复和开关频率的限制，已经不能满足车载充电机对效率的需求，文本针对车载充电机的PFC升压部分讲到基本半导体650V的SiC肖特基二极管......
图腾柱无桥PFC与SiC相结合，共同提高电源密度和效率(2023-10-16)
使用图腾柱无桥拓扑结构来移除桥式整流器，并用快速开关 MOSFET 代替升压二极管。要理解如何做到这一点，最好先将这种拓扑结构视为两个独立的升压电路的功能组合，每个......
全面升级！安森美第二代1200V SiC MOSFET关键特性解析(2024-04-09)
工作栅极电压
推荐的工作栅极驱动电压，是通过考虑性能（如 RDS（ON）、开关损耗（EON、EOFF）、体二极管的正向压降（VF）及其反向恢复损耗（EREC））和可靠性，特别是栅极氧化层质量来确定的。
如表2所示......
解析LLC谐振半桥变换器的失效模式(2024-04-26)
了启动时功率MOSFET前五个开关波形。在变换器启动开始前，谐振电容和输出电容刚好完全放电。与正常工作状况相比，在启动过程中，这些空电容会使低端开关Q2的体二极管深度导通。因此流经开关Q2体二极管......
封装的半导体器件与铜基板绝缘，便于搭建通用散热器和小型总成。30A / 600 V器件采用单相桥式配置，60 A - 300 A / 600 V - 1200 V 器件采用双二极管配置。整流器有X型......
AT89S51单片机多路开关控制发光二极管显示的设计(2023-10-10)
AT89S51单片机多路开关控制发光二极管显示的设计;1. 如图4.3.1所示，AT89S51单片机的P1.0-P1.3接四个发光二极管L1-L4，P1.4-P1.7接了四个开关K1-K4，编程将开关的状态反映到发光二极管......
卡口攻击及几种卡口防攻击电路的比较(2024-07-24)
口防攻击电路。
1.第一种IC卡卡口防攻击电路
第一种IC卡卡口防攻击电路(我公司最早的防攻击电路)，主要采用IC卡卡口防攻击专用模块，再加上双开关二极管等器件组成。
如图1所示：
①图1中的IC......
40A/1200V碳化硅肖特基二极管B2D40120HC1用于机车空调(2023-10-26)
电压经过电容滤波后，送入H桥逆变电路逆变为高频方波，然后经过高频变压器，次级侧高频整流后供给空调变频器使用。为提高开关频率、减小整机体积，功率器件的开关频率通常达到100kHz以上。这就要求次级侧整流二极管......
全新4.5 kV XHP™ 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化(2023-12-25)
将模块并排放置简化了并联操作，这也使得模块在并联时只需要一条直流母线即可实现。
4.5 kV XHP系列还使得开发人员在设计过程中能够减少元器件的使用数量。传统的IGBT解决3电平方案有多个单IGBT开关和一个半桥二极管......
全新4.5 kV XHP™ 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化(2023-12-25)
使得模块在并联时只需要一条直流母线即可实现。
4.5 kV XHP系列还使得开发人员在设计过程中能够减少元器件的使用数量。传统的IGBT解决3电平方案有多个单IGBT开关和一个半桥二极管，而使用新器件的设计只需要两个半桥开关和一个更小的半桥二极管......
升压型DC-DC转换器中高频噪声的产生原因(2024-03-07)
电感电流会被用来对COSS充电。由于流经漏极和源极间电阻分量的电流导致的导通损耗，以及充入COSS的电荷量，使部分能量损失，与此同时漏极电压继续上升。
当开关节点的电压VSW变得高于输出电压时，高边开关整流二极管......
干货 | 如何更好的理解PFC（功率因数校正）(2023-08-22)
进行功率因素校正：
功率因素校正（PFC）我们目前用的电视机由于采用了高效的开关电源，而开关电源内部电源输入部分，无一例外的采用了二极管全波整流及滤波电路，如图6A，其电压和电流波形如图6B
图6......
如何通过优化模块布局解决芯片缩小带来的电气性能挑战(2023-03-13)
V2的IGBT 7开启过程，开关速度相同
当电流开始上升时，CE电压下降。两种不同布局之间的一个明显区别是，电压（Vce）在V1中显示出一个驼峰曲线，这是由二极管的恢复过程造成的。二极管......
纳芯微全新发布1200V系列SiC二极管，布局SiC生态系统(2023-07-11)
温的影响。
2.提高开关频率
SiC二极管具备优异的反向恢复特性，可与高频开关......
AT89S51单片机发光二极管多功能闪烁的设计(2023-10-10)
AT89S51单片机发光二极管多功能闪烁的设计;1．实验任务
如图4.9.1所示，开关SP1接在P3.7/RD管脚上，在AT89S51单片机的P1端口接有四个发光二极管，上电的时候，L1接在P1.0......
相关企业
;深圳深和讯科技有限公司;;捷佳半导体贸易（深圳）有限公司 主要销售开关二极管 我司为日本罗姆二极管芯片代理,利用自身优势,国内OEM代工厂代工,生产出目前市面封装成本最低的厚膜片式开关二极管和稳压二极管
;上海市科洋微电子经营部;;科洋电子是一家专业销售世界各种知名品牌的SMD贴片电子元件的供用商，产品主要：二极管（开关二极管。稳压二极管 、变容二极管、肖特二极管、TVS二极管 、整流二极管、发光二极管
;东莞电子贸易有限公司;;供应类型： PIN 二极管 功率三极管 开关二极管 低电压二极管 达林顿管 整流二极管 稳压二极管 微波三极管 肖特基二极管 高频三极管 桥式整流桥 快恢复二极管 射频三极管
;深圳市安裕达电子;;二极管、三极管、开关二极管、肖特基三极管、瞬变二极管、PIN结二极管、大/中/小功率三极管、高频管、带阴三极管、复合管、整流二极管、快恢复二极管、稳压二极管、整流桥、射频
无铅产品):a):1206;0805;0603;0402;0201系列...二):ROHM系列产品(环保无铅产品):a:ROHM二极管系列(整流二极管;稳压二极管;开关二极管...)b:ROHM三极管系列(小信号MOSFET,半功率MOSFET,功率
无铅产品):a):1206;0805;0603;0402;0201系列...二):ROHM系列产品(环保无铅产品):a:ROHM二极管系列(整流二极管;稳压二极管;开关二极管...)b:ROHM三极管系列(小信号MOSFET,半功率MOSFET,功率
;常州新区佳讯电子器材有限公司;;本公司主要产品有:各类整流二极管、开关二极管、高效二极管、触发二极管、肖特基二极管、整流桥、贴片二极管、节能灯专用二极管，及其它半导体器件年产量五十亿只以上。本公
;深圳市永而佳实业有限公司;;公司成立于1996年，主要从事半导体器件的开发、生产、经营。目前生产经营有直插式和贴片式：整流二极管，快恢复二极管，超快恢复二极管，肖特基二极管，开关二极管，双向触发二极管
;深圳从发电子科技有限公司;;公司经营的主要项目有：l整流二极管（直插、贴片）l开关二极管（直插、贴片）l稳压二极管（直插、贴片）l三极管（直插、贴片）l发光二极管（贴片、直插）lIC集成电（直插
;北京南鑫玮业科技有限公司;;本公司成立于1998年，主要经营产品：各种贴片元件、集成电路（SMD、DIP）、光电耦合器（HCPL系列、MOC系列、安捷伦系列等）、二极管（稳压二极管、开关二极管