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制造微波功率器件和电力电子功率器。 2021年12月,晶湛半导体总部大楼建设项目奠基仪式举行,建成后将成为全球领先的氮化镓外延研发生产基地。 近年来,在国家“十四五”规划、“碳达峰碳中和”等重磅利好政策的指导下,在移......
,6-8英寸化合物外延片12.6万片/年的生产能力,支撑开展大尺寸硅外延和化合物外延研发以及产业化,扩大在高端功率器件、集成电路等应用领域的竞争优势。 资料显示,中电......
宏光半导体氮化镓功率器件外延片产品正式投产;实现GaN业务产能落地 锐意创造全新盈利增长点宏光半导体有限公司(「宏光半导体」,连同其附属公司统称「集团」;股份代号:6908.HK)欣然宣布,集团......
子公司。普兴电子的主要产品为各种规格型号的硅基外延片、氮化镓(GaN)和SiC外延片,可广泛应用于清洁能源、新能源汽车、航空航天、汽车、计算机、平板电脑、智能手机、家电等领域。 近年来,电科材料下属普兴电子积极布局第三代半导体外延......
器件和电子器件在光学存储、激光打印、高亮度LED以及无线基站等应用领域具有明显的竞争优势,其中高亮度LED、蓝光激光器和功率晶体管是当前器件制造领域最为感兴趣和关注的。 国外在氮化镓体单晶材料研究方面起步较早,现在......
片、氮化镓和碳化硅外延片。可广泛应用于清洁能源、新能源汽车、航空航天、汽车、计算机、平板电脑、智能手机、家电等领域。 封面图片来源:拍信网......
钽涂层,与实验晶锭。 聚能创芯&聚能晶源 本次展会上,聚能创芯&聚能晶源联合展示了8英寸硅基氮化镓外延片、GaN功率器件及相应的GaN应用方案,为目前需求旺盛的GaN快充......
子公司。普兴电子的主要产品为各种规格型号的硅基外延片、氮化镓(GaN)和SiC外延片,可广泛应用于清洁能源、新能源汽车、航空航天、汽车、计算机、平板电脑、智能手机、家电等领域。 近年来,电科材料下属普兴电子积极布局第三代半导体外延......
光学公告 而普兴电子成立于2000年11月,注册资本1.445亿元,致力于高性能半导体材料的外延研发和生产,主要产品为各种规格型号的硅基外延片、氮化镓和碳化硅外延片,可广泛应用于新能源汽车、航空......
年产能24万片,苏州一氮化镓外延片材料项目开工在即;近日,苏州工业园区管理委员会公示了苏州晶湛半导体有限公司新建氮化镓外延片生产扩建项目环境影响报告书。 △Source:苏州......
涵盖了200V, 650V, 1200V甚至更高压的应用场景,并能提供耗尽型(D-mode)与增强型(E-mode)两种外延结构。 资料显示,氮化镓因具备宽禁带、高频率、低损耗、抗辐射强等优势,可以......
多个氮化镓企业受资本热捧!晶湛半导体获歌尔微电子加持;3月3日,氮化镓(GaN)外延材料供应商苏州晶湛半导体有限公司(以下简称“晶湛半导体”)宣布,公司于近日完成B+轮数亿元战略融资。 本轮......
上述难点问题,中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组分别进行了研究,并在氧化镓功率电子器件领域取得了重要进展。 01高耐压氧化镓二极管 目前,由于氧化镓P型掺杂仍然存在挑战,氧化镓......
片。 根据招股书,上海合晶拟公开发行A股普通股股票募集15.64亿元,所募集资金扣除发行费用后将投资于:低阻单晶成长及优质外延研发项目、优质外延片研发及产业化项目、补充......
晶圆代工龙头联电布局第三代半导体领域;12月29日,据台媒报道,联电已通过投资联颖,切入第三代半导体领域。联电计划从6英寸氮化镓产品入手,之后将展开布局碳化硅,并向8英寸晶圆发展。公司透露,第三......
相应波长的紫外线,这是一个有趣也有用的属性。”闫建昌表示。 在制备技术方面,氮化铝镓已经具备了一定的积累。 “氮化镓和氮化铝外延制备的主流方法是MOCVD(金属有机物化学气相沉积),在工艺、设备......
,百川街西,南荡田巷北,总建筑面积23443.27平方米。项目聚焦第三代半导体材料——氮化镓外延片的研发生产,预期项目建成后,将成为国内规模最大的氮化镓电力电子材料和微显示材料生产基地。 据苏......
中科重仪自研功率型硅基氮化镓生产线投产;近日,苏州中科重仪半导体材料有限公司(以下简称“中科重仪”)自主研发的应用于电力电子领域的大尺寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延......
电力电子材料、射频材料和微显示材料的生产基地。 消息显示,晶湛半导体致力于为高端光电、电力电子、微波射频等领域提供高品质氮化镓外延材料解决方案,是园区自主培育的第三代半导体氮化镓外延......
中科院微电子研究所在氮化镓—金刚石异质集成方面取得新进展;近日,微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与日本东京大学盐见淳一郎团队合作,在氮化镓(GaN)—金刚石晶圆键合技术领域取得了新进展。该项研究......
百斯特达氮化镓半导体芯片项目建成,将增加10条氮化镓外延生产线;据盘锦日报报道,5月9日,盘锦高新技术产业开发区的氮化镓半导体芯片项目现场,工程施工人员正在接通水电气,辽宁......
(极化率十倍于氮化镓,适合于高电子迁移率晶体管)方面的研究也逐渐增加。 所以从材料属性来说,氧化镓是一种很有希望的超宽禁带材料。氧化镓的优势不仅是材料性能高,更重要的是成本较低。2019年有研究......
福州新区两个GaN项目签约;近日,福州新区集中签约38个重点项目,总投资超220亿元,其中2个项目涉及氮化镓,包括芯睿半导体氮化镓晶圆厂项目和福州镓谷氮化镓外延片项目。 资料显示,芯睿半导体氮化镓......
Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势;常闭耗尽型 (D-Mode) 与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管本质优势对比之简短指南 氮化镓......
重点发展氮化镓,英诺赛科(苏州)全球研发中心正式启用;据吴江工信消息,11月20日,英诺赛科(苏州)全球研发中心正式启用,将打造成为新型宽禁带半导体材料与器件研发基地,同时开展大规模量产化工程问题研究......
Transphorm获得National Security Technology Accelerator价值1500万美元的合同;ECLIPSE项目旨在建立先进氮化镓外延片材料的生产和供应机制;标志......
筑面积51302.28平方米,其中包括2栋氮化镓外延片及芯片生产车间、1栋芯片封装及应用产品生产制造车间、1栋成品库房、1栋制氢站、1栋研发中心及综合管理用房等建设内容。 2022年12月中旬,氮化镓......
年产新增1万片氮化镓外延片,晶湛半导体项目获新进展;7月29日,苏州独墅湖科教创新区发布了晶湛半导体氮化镓外延片年产新增10000片项目环境影响评价第一次公示。 根据公示,晶湛......
年产能将高达4万片4/6英寸外延片。 据韩国媒体《BusinessKorea 》7月报导,三星电子即将进军氮化镓 (GaN)市场,目的是为了满足汽车领域对功率半导体的需求。报导......
用,尤其是到了2030年。 据市场研究机构TrendForce集邦咨询显示,到2026年,全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到13.3亿美金,复合增长率高达65%。 氮化镓......
商也在准备更广泛的产业合作。 在过去十年,中国厂商在氮化镓领域的努力非常显著,有许多项目涌现,如雨后春笋,尤其在衬底和氮化镓外延等领域,中国企业的表现日益强劲。低压领域也有许多参与者,但高......
中科半导体氮化镓外延片及单晶衬底材料研发生产项目落户赣州经开区;近日,据赣州经济技术开发区招商引资消息,8月17日上午,赣州经开区举行2021年第9批招商引资项目线上集中签约仪式,此次签约共有6个项......
光子晶体透明显示芯片、深圳氮化镓外延片等项目。其中,北京中科芯电分子束外延片项目,团队由中国科学院半导体研究所博导曾一平领衔,成员多为国内半导体材料行业尖端人才。项目总投资5亿元,其中设备投资约4.8亿元,将建设砷化镓分子束外延......
平台及测试分析平台。 根据此前资料,广州第三代半导体创新中心建设项目于2020年底签约落地广州黄埔,将聚焦大尺寸氮化镓材料外延生长、氮化镓微波毫米波器件与集成电路、氮化镓......
来源:温州网 报道显示,本次青科基金所投资的项目中,芯生代和星耀激光均属于科技成果转化。其中,芯生代首席科学家钟蓉博士团队掌握了第三代半导体氮化镓外延片及功率芯片制造的技术,目前......
市场规模节节攀升,第三代半导体成收购的热门赛道;以碳化硅与氮化镓为代表的第三代半导体市场正如火如荼地发展着,而“围墙”之外的企业亦对此赛道十分看重。近日,中瓷电子资产重组重新恢复审核,其对......
报道,韩国LED厂商Lumens已成为氮化镓材料商Soft-Epi的最大股东。据悉,Soft-Epi在2022年5月成功开发了红色GaN外延片,同年6月又宣布Micro LED用红色GaN外延......
,如氮化铝、氮化镓、石墨烯等先进材料生长设备及工艺。双方的合作将进一步提高研发效率,缩短研发周期,推动先进材料领域的技术创新。 封面图片来源:拍信网......
源汽车市场大有可为 资料显示,百识电子成立于2019年8月,专门生产碳化硅及氮化镓相关外延片,包含GaN on Silicon、GaN on SiC以及SiC on SiC,针对高压、高功率以及射频微波等应用市场提供碳化硅及氮化镓外延......
司也同时在准备低压E-modeGaNHEMT的开发工作,以满足未来低压应用的需求。 竞争优势方面,芯导科技指出,公司的氮化镓产品将逐步向市场推广,由于目前氮化镓器件的成本中,外延......
发布指出,英诺赛科一期项目正式开启大规模量产,预计2021年实现产能可达6000片/月。项目全部达产后预计将实现年产能78万片8英寸硅基氮化镓晶圆。建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片......
电源管理芯片项目等。 百思特达半导体GaN外延片项目试生产 近日,据盘锦日报消息,辽宁百思特达半导体旗下氮化镓项目获得新进展——2英寸&4英寸外延片处于试生产和产品认证阶段,正式投产后,可实......
除了着重于工艺和设备的合作外,联合实验室还将对其他半导体先进材料进行研究,如氮化铝、氮化镓、石墨烯等先进材料生长设备及工艺。 10月中旬,格芯......
性质各有千秋。目前研究比较多的是β相(热稳定性最佳,禁带宽度~4.8eV),而α相(高禁带宽度~5.3eV)和ε相(极化率十倍于氮化镓,适合于高电子迁移率晶体管)方面的研究也逐渐增加。所以从材料属性来说,氧化镓......
电科射频集成电路产业化项目、东科半导体超高频氮化镓电源管理芯片项目等。 百思特达半导体GaN外延片项目试生产 近日,据盘锦日报消息,辽宁百思特达半导体旗下氮化镓项目获得新进展——2英寸&4英寸外延......
在实验室中取得越来越多研发进展,其量产、商业化脚步也在不断推进。日本分析机构矢野研究所发布宽禁带半导体全球市场研究结果,氧化镓比碳化硅器件具有更高的成本和性能潜力,参与者的数量正在增加。或许不久之后,氧化镓就会加入与碳化硅和氮化镓......
功率器件,收购第三代半导体厂商芯冠科技(已更名为润新微电子)的34.56%股份,成为润新微电子第一大股东。润新微电子采用IDM模式,开展以氮化镓为代表的第三代半导体外延......
目位于苏州纳米城,总用地面积14000平方米,总建筑面积约34000平方米,将建设氮化镓(GaN)单晶衬底研发基地与高端产品生产基地,预计年产氮化镓单晶衬底及外延片5万片。 图片来源:苏州......
半导体副总裁查莹杰先生,将第500万颗GaNFast氮化镓功率IC芯片,交到了OPPO副总裁、OPPO研究院院长刘畅先生的手中,表明了OPPO对纳微半导体GaNFast技术的肯定,以及新材料对电源领域二次......
将VisIC Technologies的创新型功率电子器件(Power Electronics)解决方案与IQE的外延技术相结合,双方合作旨在加快电动汽车中硅上氮化镓技术(GaN-on-Silicon......

相关企业

照明等 , 华磊光电之Green LEDs ,已符合各种应用之需求。此外华磊光电将Green LEDs相关产品与应用端接轨,与应用厂商协力开发更多的 LED 应用产品。 3.华磊光电积极以产学合作模式开发高质量氮化镓外延
片生产及芯片封装,装配外延片生产线(MOCVD)20条,芯片生产线12条,芯片封装生产线14条,共投资7亿元;第三期是在第一期和第二期的基础上,根据企业发展的需要,生产半导体照明材料,装配砷化镓氮化镓
manufacturing in Taiwan. ; EPC设计,开发,市场,销售基于氮化镓的电源管理设备,采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换,利用优越的半导体材料,EPC是率先推出增强型氮化镓
;中电上海蓝光科技有限公司;;上海蓝光科技有限公司是彩虹集团公司控股的二级子公司。成立于2000年4月,是国内首家从事氮化镓基LED外延片、芯片研发和产业化生产的企业,是国家“863”计划
度四元晶粒(C系列)、金属基板倒装晶粒(MS)、氮化镓晶粒(AllnGaN)、覆晶晶粒(Flip chip); K*on:红外芯片(940nm)、高速红外芯片(850nm,875nm,880nm) 用过
;东莞中和光电有限公司;;本产品采用树脂封装,材料采用氮化镓(GaN),结构为电解出型,封装形式为直插型,型号有3mm,5mm,8mm,10mm及其他特殊型号,形状有圆头,椭圆,草帽,钢盔,方形
(GaAs)、氮化镓 (GaN)、声表面波 (SAW) 和体声波 (BAW)技术设计、开发和生产先进的高性能射频解决方案,满足全球客户需求。我们是市场领导者,专门为移动设备,3G和4G蜂窝基站,WLAN
能光滑表面缺陷分析仪;        5、微型光纤光谱仪、中红外光谱仪、积分球及系统、光谱仪附件; 6、半导体材料,氮化镓外延片、裸片,二维半导体材料等;
公司先后在上海嘉定工业园区及苏州高新区设立分厂,专业承接: 一、特殊要求金属零部件渗氮工艺研发及样件试验 二、碳钢、合金结构钢、工模具钢、不锈钢、铸铁等金属零部件的离子氮化(硬氮化及软氮化)。 谷邦公司与等离子体研究
公司先后在上海嘉定工业园区及苏州高新区设立分厂,专业承接: 一、特殊要求金属零部件渗氮工艺研发及样件试验 二、碳钢、合金结构钢、工模具钢、不锈钢、铸铁等金属零部件的离子氮化(硬氮化及软氮化)。 谷邦公司与等离子体研究