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能需要引入性能延迟,并且会消耗相对较长的时间。 寿命和耐久性:闪存器件的擦写次数是有限的。因此,如果需要频繁地更新存储在闪存中的变量,需要注意确保不会超过芯片制造商指定的最大擦写次数。 数据保护和完整性:为了......
flash工艺,满足6万次擦写次数和数据保存10年的高可靠性要求,应用于工规、5G通讯、车载等相关领域。FM24N/FM24LN/FM25N系列产品基于95nm先进EEPROM工艺,具备低功耗、超宽......
工艺,满足6万次擦写次数和数据保存10年的高可靠性要求,应用于工规、5G通讯、车载等相关领域。 FM24N/FM24LN/FM25N系列产品基于95nm先进EEPROM工艺,具备低功耗、超宽......
的性能无法充分展现。其次,由于NAND Flash颗粒具有需要将数据先擦除后写入的特点,而NAND Flash颗粒的可擦写次数有限,导致SSD硬盘的寿命受其限制,且随着NAND Flash颗粒......
的性能无法充分展现。其次,由于NAND Flash颗粒具有需要将数据先擦除后写入的特点,而NAND Flash颗粒的可擦写次数有限,导致SSD硬盘的寿命受其限制,且随着NAND Flash颗粒......
等非挥发存储新产品。 FM25/FM29系列产品基于28nm先进NAND flash工艺,满足6万次擦写次数和数据保存10年的高可靠性要求,应用于工规、5G......
绿芯推出更高耐久性EX系列和高性价比VX系列固态硬盘,以扩展其eMMC NAND; EnduroSLC® EX系列最高可达40万擦写次数; 高性价比 VX系列可在宽温 (-25oC 至......
当中的汉字字库,以及文件系统中读取的文件内容。 但是一般Flash的擦除次数有限制,STM32F1系列最新的文档指出,片内的FLASH擦写次数大约在1W次左右,所以一般Flash用于擦除次数不多,但是......
万、15万或40万擦写次数(P/E)的超高耐久性,工作温度-40oC至+85oC,是工作在高压力环境下、密集型写入工作负载应用的最佳选择。 搭配高可靠3D TLC NAND的eMMC......
高可靠3D TLC NAND的eMMC NANDrive VX系列专门为价格敏感但是要求高可靠的应用而准备,工作在宽温(-25oC至+85oC)环境下,支持3千擦写次数。NVMe NANDrive......
/ 227 MB/s,并且耐久性为3千擦写次数 (P/E Cycles) 。 EnduroSLC® eMMC NANDrive EX系列最高可达40万擦写次数; 高性......
绿芯推出更高耐久性EX系列和高性价比VX系列固态硬盘,以扩展其eMMC NANDrive产品组合;EnduroSLC® eMMC NANDrive EX系列最高可达40万擦写次数; 高性价比eMMC......
品用于工业控制和智能交通等高可靠应用。 eMMC和NVMe NANDrive EX系列采用绿芯EnduroSLC®技术,具有卓越的数据保持能力和7.5万、15万或40万擦写次数(P/E)的超高耐久性,工作温度-40oC至+85oC,是工......
品用于工业控制和智能交通等高可靠应用。 eMMC和NVMe NANDrive EX系列采用绿芯EnduroSLC®技术,具有卓越的数据保持能力和7.5万、15万或40万擦写次数(P/E)的超高耐久性,工作温度-40oC至+85oC,是工......
绿芯开始批量供应具有30万擦写次数超高耐久性的SATA ArmourDrive® 固态硬盘;绿芯开始批量供应具有30万擦写次数超高耐久性的SATA ArmourDrive® 固态硬盘 采用......
IAP防死机看门狗模式 至少1,000次的擦写次数 至少10年的数据保存时间 ●128字节EEPROM数据存储器 至少5万次的擦写次数 至少10年的数据保存时间 ●总计512字节SRAM(IRAM......
的NVMe NANDrive EX系列具有卓越的数据保持能力和7.5万、15万或40万擦写次数(P/E)的超高耐久性(最高可达17,800 TBW(TeraBytes Written))。该产......
益于存储器本身的特性,数据保存期限久、耐久性出色、擦写次数高。FRAM在众多存储产品中脱颖而出,越是对使用有限制、有要求的场景,就越会使用FRAM来存储系统中的重要信息,在一汽车尾门控制器中,就有......
味着EEPROM可以更灵活地管理存储器,并减少对存储单元的擦写次数。 但是,这并不意味着所有情况下EEPROM的寿命都会更长。 7.价格 Flash比EEPROM更便宜。 8.通讯接口不同 Flash很多......
内置Flash,一般擦写次数限制在10k次,无法满足寿命和耐久性要求,所以只能通过外置实现。本文引用地址:新推出的系列MCU支持使用Flash,在小容量存储需求的场合能节省外部芯片,实现成本控制。系列......
绿芯开始批量供应具有30万擦写次数超高耐久性的SATA ArmourDrive;中国,北京 和 美国,硅谷 - EQS Newswire - 2022年12月21日 - 开始......
绿芯开始批量供应具有30万擦写次数超高耐久性的SATA ArmourDrive 固态硬盘;采用EnduroSLC®技术的 mSATA和SATA M.2 2242用于......
足既要求高性能又要求高可靠的应用。"采用绿芯EnduroSLC®技术的NVMe NANDrive EX系列具有卓越的数据保持能力和7.5万、15万或40万擦写次数(P/E)的超高耐久性(最高......
万台产品进行256Kbit的初始数据写入(512次写入处理)的情况下,工厂生产线占用时间可减少约1天。 此外,普通产品保证的擦写次数为100万次,而本系列产品则高达400万次,不仅......
万台产品进行256Kbit的初始数据写入(512次写入处理)的情况下,工厂生产线占用时间可减少约1天。 此外,普通产品保证的擦写次数为100万次,而本系列产品则高达400万次,不仅......
周期,速度比普通8051快8-12倍 工作电压:5.5V - 3.3V 4K字节片内Flash程序存储器,擦写次数10万次以上 片内128字节的SRAM 有片内EEPROM功能,擦写次数10万次......
当中的汉字字库,以及文件系统中读取的文件内容。 但是一般Flash的擦除次数有限制,STM32F1系列最新的文档指出,片内的FLASH擦写次数大约在1W次左右,所以一般Flash用于擦除次数不多,但是......
文件系统中读取的文件内容。 但是一般Flash的擦除次数有限制,STM32F1系列最新的文档指出,片内的FLASH擦写次数大约在1W次左右,所以一般Flash用于擦除次数不多,但是数据量很大的场合。 这个......
ArmourDrive® EX系列固态硬盘(SSD),支持6万、12万和业界领先的30万擦写次数,具有卓越的数据保持和超高耐久性。该产品系列采用绿芯先进的自研控制器,可提供10GB、20GB、40GB、80GB......
成了存储阵列和控制器的同时,还带有内部ECC纠错算法,擦写次数可达5万次,提高可靠性的同时延长产品使用寿命。 中国北京(2020年10月15日) — 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice 今日宣布,正式......
片内Flash擦写次数有限,所以要加上特定算法来增加使用寿命。此算法ST提供了历程,我们可以移植到我们的程序里直接使用,比较方便。 二、源码移植 移植很简单,一共两个文件“eeprom.c......
编程。在编程电压方面,AT89C51的编程电压除正常工作的5V外,另Vpp需要12V,而AT89S51仅仅需要4-5V即可。 3.烧写次数更高:AT89S51标称烧写次数是1000次,实为1000......
/E cycles擦写次数,大幅提升装置效能,并较传统3D TLC闪存提升33倍使用寿命,锁定5G网通及智能城市AI视觉识别两大市场缺口。 其中以AIoT智能城市为例,不论是AI视觉识别、自动......
cycles擦写次数,大幅提升装置效能,并较传统3D TLC闪存提升33倍使用寿命,锁定5G网通及智能城市AI视觉识别两大市场缺口。其中以AIoT智能城市为例,不论是AI视觉识别、自动车牌识别(ANPR......
表计和 5G 光纤模块等新系统设计。 作为一个全新的开发成果,串行页EEPROM 整合意法半导体的e-STM 40nm非易失性存储器(NVM)单元专利技术与新的智能存储页架构,兼备高存容量、字节擦写灵活性和高耐擦写次数......
表计和 5G 光纤模块等新系统设计。 作为一个全新的开发成果,串行页EEPROM 整合意法半导体的e-STM 40nm非易失性存储器(NVM)单元专利技术与新的智能存储页架构,兼备高存容量、字节擦写灵活性和高耐擦写次数......
台的嵌入式非易失性存储器(eNVM,Embedded Non-Volatile Memory)IP具有10万至50万次擦写次数、读取速度达30ns等独特优势。同时逻辑单元库集成度高,达到400K gate......
programmable)的可反复擦写1000次的Flash只读程序存储器,器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存储技术制造,兼容标准MCS-51指令系统及80C51引脚结构,芯片内集成了通用8位中......
入式世界展会 ((Embedded World 2023), 4A号馆606展位)展示其广泛的工业级固态存储产品,其中包括具有30万擦写次数超高耐久性和超强数据保持力的EnduroSLC®固态硬盘。 随着......
)展示其广泛的工业级固态存储产品,其中包括具有30万擦写次数超高耐久性和超强数据保持力的EnduroSLC®固态硬盘。本文引用地址: 随着用户对产品的可靠性和使用寿命日益重视,再加......
℃~85℃  Flash 存储器  最大 12K 字节 FLASH 程序存储器(ROM),用于存储用户代码  支持用户配置 EEPROM 大小,512 字节单页擦除,擦写次数可达 10 万次......
), 4A号馆606展位)展示其广泛的工业级固态存储产品,其中包括具有30万擦写次数超高耐久性和超强数据保持力的EnduroSLC®固态硬盘。 随着用户对产品的可靠性和使用寿命日益重视,再加......
时候虽然存储空间减少为了一半,只有16GB,但是可以支持的擦写次数变为60000次了,此时计算出来,可以满足17.86年的循环使用寿命。 因为智能座舱有不同存储的要求,需要支持类似行车记录仪等大数据的读写存储,而且......
可以这样选择,把32GB的MLC存储空间配置为16GB SLC格式,这个时候虽然存储空间减少为了一半,只有16GB,但是可以支持的擦写次数变为60000次了,此时计算出来,可以满足17.86年的......
统嵌入式存储设备中,垃圾回收一般会引入3-4的写放大,即一个3000次擦写次数的TLC闪存,真正给到用户的擦写次数可能不到1000次。而分区存储的使用,由于不存在垃圾回收,因此写放大可以做到接近1,也就......
下,数据保持能力可长达30年,处于国际领先水平。华虹半导体致力于持续优化工艺水平,在提升数据保持能力条件下,同时提升擦写次数,更好地满足市场对超高可靠性产品的需求。   2020年7月20日,纯晶......
: Sector 大小:512B Sector 擦除时间:5ms Byte 编程时间:7.5μs 擦写次数:20,000 次 数据保存时间:100 年 @常温 定时/计数器 - 2 个 16 位通......
存储   FLASH M25P64通过SPI串行接口与MCU连接,大大简化了系统设计,减少了封装的引脚数量及总线干扰。FLASH采用优质的CMOS制造工艺,数据保存期限至少20年,每扇区擦写次数......
了产品成本,提高了公司产品的市场竞争力。 东芯股份产品在耐久性、数据保持特性等方面表现稳定,在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过10万次,同时可在-40°C到105°C的极端环境下保持数据有效性长达10......
产品拥有异常断电数据保护功能、超强的数据保持力和超高的耐久性。搭配绿芯专有的EnduroSLC®技术的固态硬盘支持高达30万擦写次数,非常适合工作在极端工作环境中的写密集型应用。 请移步绿芯半导体位于A088展位......

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、HYNIX、TI、SAMSUNG、ISSI、Maxim、MICROCHIP等品牌香港大陆的代理、分销商。 NOR FLASH 、SDRAM 、NAND-FLASH 、NAND-FLASH、MCU 、DSP等
业界最高标准,兼容双通道和四通道输出;有更高的时钟频率;支持多种擦写模式;数据保持时间20年以上;擦写次数高达10万次;工作温度范围–40°C~+85°C。 公司未来将逐步展开存储器的其他领域,并为
;深圳开普伦斯股份有限公司;;医疗电子方面的方案成熟的有 心电图机方案(ECG) (基于stm32) 指甲式脉搏血氧仪方案(基于stm32) 多参数监护仪方案(基于stm32) B超方案 (基于
;深圳隆大电子有限公司;;STM8  STM32系列单片机
;上海星逾电子科技有限公司;;上海星逾电子科技有限公司,位于上海斜土路东风大厦,在北京东路科技京城设有展销柜台,主要代理销售ST公司的最新 ARM Cortex™-M3 内核STM32系列!客户
;深圳市三金电子商行;;主营:STM8 STM32 GD32系列 NXP LPC系列 AT系列 PIC系列
;北京搏立微科电子有限公司;;本公司致力于推广stm32
;北京美芯微商贸中心;;LM3S系列 STM32系列 全系列供应商,常备现货。
;深圳优易特电子科技有限公司;;优易特电子科技主要从事电子元器件代理、推广、技术支持及嵌入式产品开发。目前主要代理销售ST公司的STM32系列产品以及各种开发板、开发平台等。优易
;深圳市优易特科技开发有限公司;;公司简介 优易特电子科技主要从事电子元器件代理、推广、技术支持及嵌入式产品开发。目前主要代理销售ST公司的STM32系列产品以及各种开发板、开发平台等。优易