当涉及到将变量存储在Flash中时，我们通常指的是将变量存储在STM32微控制器的闪存器件中。在STM32芯片中，闪存用于存储程序代码和只读数据，但对于一些应用情况，我们可以使用闪存来存储可读写的变量。

虽然SRAM是通常用于存储变量的内存区域，但在某些场景中，需要将变量存储在闪存中的原因有以下几点：

1. 节省SRAM空间：对于资源受限的应用，SRAM可能是有限的，因此在闪存中存储变量可以释放SRAM空间，使其可以用于其他用途。

2. 数据持久性：将变量存储在闪存中可以确保其数据持久性，即使在断电或重新启动后，变量的值也能保持不变。

3. 更新性：如果需要更新变量的值，而不需要重新烧录MCU的固件或运行其他复杂的操作，可以通过修改闪存中的数据来实现。

要将变量存储在闪存中，以下是可能的方法：

1. 使用编译器指令：某些编译器支持特殊的指令，例如__attribute__((section('.flash_var')))，可以将变量存储在特定的闪存区域。具体的指令和语法可能因编译器而异，必须查阅相关编译器的文档以了解更多信息。

2. 自定义存储函数：您可以编写自定义的函数，将变量值写入闪存的特定地址。这需要了解芯片的闪存组织和操作细节，以确保正确的写入过程，并正确处理闪存的擦除和写入操作。

3. 使用HAL库：ST提供了一个用于与STM32微控制器进行交互的标准库，称为HAL库。HAL库提供了一种使用简单的接口将变量保存到闪存中的方法。具体的函数和示例代码可以在官方提供的HAL库文档中找到。

无论您选择哪种方法，都需要较好地了解STM32的闪存器件的特性和限制。

闪存器件通常被分为多个扇区，每个扇区的大小可能不同。在将变量存储在闪存中时，需要考虑以下因素：

1. 擦除和写入操作：闪存通常需要在写入之前擦除扇区，因此存储变量时需要进行擦除和写入操作。这可能需要引入性能延迟，并且会消耗相对较长的时间。

2. 寿命和耐久性：闪存器件的擦写次数是有限的。因此，如果需要频繁地更新存储在闪存中的变量，需要注意确保不会超过芯片制造商指定的最大擦写次数。

3. 数据保护和完整性：为了确保数据的正确性和完整性，应该使用一些校验机制，例如循环冗余校验码（CRC），来验证变量在闪存中的存储和读取过程。

综上所述，将变量存储在STM32的闪存中是可行的，但这需要了解芯片的设计特征和操作细节。在使用闪存存储变量时，必须并且非常小心，以确保数据的正确性和完整性，并遵守芯片制造商的推荐和规范。