关于STM32F103C8T6内部Flash划分的详细说明
因为STM32的内部FLASH大小不一，不同的大小划分是不一样的，但是大同小异这里是以STM32F103C8T6为例进行说明。
基础知识补充：
1 字节 = 8 位（bit）
1 千字节（KB）= 1024 字节
1 兆字节（MB）= 1024 千字节（KB）
1 吉字节（GB）= 1024 兆字节（MB）
1 太字节（TB）= 1024 吉字节（GB）
下面是关于STM32F103C8T6内部Flash划分的详细说明：
容量：
STM32F103C8T6的内部Flash容量为64KB，即64 * 1024字节,属于小容量产品。
以下是针对STM32F1系列芯片的常见型号，按照容量范围划分的示例：
扇区划分：
内部Flash存储器被划分为多个扇区，每个扇区的大小为2KB或4KB，具体划分取决于具体的芯片型号。
Flash大小为 64KB， 地址范围：0x08000000-0x08010000-1，单个扇区大小：1KB=0x400，最后一个扇区地址：0x0800FC00
Flash大小为 128KB，地址范围：0x08000000-0x08020000-1，单个扇区大小：1KB=0x400，最后一个扇区地址：0x0801FC00
Flash大小为 256KB，地址范围：0x08000000-0x08040000-1，单个扇区大小：2KB=0x800，最后一个扇区地址：0x0803F800
Flash大小为 512KB，地址范围：0x08000000-0x08080000-1，单个扇区大小：2KB=0x800，最后一个扇区地址：0x0807F800
STM32的内部FLASH是干什么用的？
STM32的内部Flash主要用于存储程序代码（固件）和只读数据。
程序代码（固件）：内部Flash是存储微控制器的程序代码的主要地方。它包含了应用程序的指令集，包括启动代码、中断处理程序、函数和其他执行代码。这些代码定义了系统的功能和行为。通常是编译生成的HEX文件或者BIN文件。
只读数据：内部Flash还可以用于存储只读数据，如常量、配置信息和校准数据等。这些数据在程序执行期间是只读的，不会被修改。
Bootloader：一些STM32芯片内置了Bootloader，它是一个特殊的程序，用于在启动时加载和更新应用程序的固件。Bootloader通常存储在内部Flash的特定区域，并负责固件的升级和管理。
STM32的内部FLASH该如何读写数据呢？
读写内部FLASH的一般步骤
在STM32微控制器中，内部Flash的读写操作通常通过以下步骤进行：
启用Flash访问：在进行Flash读写之前，需要先启用对Flash的访问权限。这可以通过设置Flash控制寄存器（FLASH_CR）中的特定位来实现。例如，将FLASH_CR的PG位设置为1，表示启用对Flash的编程访问。
解锁Flash：在进行Flash编程之前，需要解锁Flash以允许对其进行写操作。通过向FLASH_KEYR寄存器写入特定值来解锁Flash。要解锁Flash，首先写入0x45670123，然后立即写入0xCDEF89AB到FLASH_KEYR寄存器。
检查Flash状态：在进行Flash编程之前，需要检查Flash是否处于忙碌状态。可以通过读取FLASH_SR寄存器中的BSY位来判断Flash是否处于忙碌状态。如果BSY位为1，表示Flash正在执行操作，需要等待。
执行Flash编程：Flash编程可以通过直接写入特定地址处的数据来实现。要编程Flash，将要写入的数据写入Flash目标地址。请注意，写入操作是按字进行的，即每次写入4个字节。可以使用特定的函数或指针访问要编程的Flash地址。
等待Flash操作完成：在执行Flash编程后，需要等待编程操作完成。可以通过轮询FLASH_SR寄存器中的BSY位来检查Flash是否仍处于忙碌状态。当BSY位为0时，表示Flash操作已完成。
锁定Flash：完成Flash编程后，应该锁定Flash以防止意外修改。通过将FLASH_CR寄存器中的LOCK位设置为1，可以锁定Flash。
请注意，进行Flash编程时需要小心，因为不正确的操作可能会导致Flash数据的损坏。建议在编程Flash之前仔细阅读相关的芯片参考手册，并按照手册中提供的准确步骤和注意事项进行操作。需要注意的是可以使用官方提供的库和API函数来简化Flash读写的操作。
库函数接口操作内部FLASH接口解析
解锁Flash代码解析
/**
* @brief Unlocks the FLASH Bank1 Program Erase Controller.
* @note This function can be used for all STM32F10x devices.
* - For STM32F10X_XL devices this function unlocks Bank1.
* - For all other devices it unlocks Bank1 and it is
* equivalent to FLASH_Unlock function.
* @param None
* @retval None
*/
void FLASH_UnlockBank1(void)
{
/* Authorize the FPEC of Bank1 Access */
FLASH- >KEYR = FLASH_KEY1;
FLASH- >KEYR = FLASH_KEY2;
}
这段代码是用于解锁STM32的Bank1程序擦除控制器（Program Erase Controller）。以下是该代码的解释：
该函数用于解锁STM32的Bank1程序擦除控制器，适用于所有STM32F10x系列的设备。对于STM32F10X_XL系列的设备，该函数解锁Bank1。对于其他设备，它解锁Bank1并等效于FLASH_Unlock函数。
该函数没有参数。
函数的返回值为None。
函数内部的操作是通过向FLASH- >KEYR寄存器写入特定值来实现解锁。具体来说，两次写入FLASH_KEY1（宏定义的值）到FLASH- >KEYR寄存器，以解锁Bank1的访问权限。
/**
* @brief Unlocks the FLASH Bank2 Program Erase Controller.
* @note This function can be used only for STM32F10X_XL density devices.
* @param None
* @retval None
*/
void FLASH_UnlockBank2(void)
{
/* Authorize the FPEC of Bank2 Access */
FLASH- >KEYR2 = FLASH_KEY1;
FLASH- >KEYR2 = FLASH_KEY2;
}
/**
* @brief Unlocks the FLASH Program Erase Controller.
* @note This function can be used for all STM32F10x devices.
* - For STM32F10X_XL devices this function unlocks Bank1 and Bank2.
* - For all other devices it unlocks Bank1 and it is equivalent
* to FLASH_UnlockBank1 function..
* @param None
* @retval None
*/
void FLASH_Unlock(void)
{
/* Authorize the FPEC of Bank1 Access */
FLASH- >KEYR = FLASH_KEY1;
FLASH- >KEYR = FLASH_KEY2;
#ifdef STM32F10X_XL
/* Authorize the FPEC of Bank2 Access */
FLASH- >KEYR2 = FLASH_KEY1;
FLASH- >KEYR2 = FLASH_KEY2;
#endif /* STM32F10X_XL */
}
总结：FLASH_Unlock包括 FLASH_UnlockBank1和 FLASH_UnlockBank2取决于芯片类型
/* FLASH Keys */
#define RDP_Key ((uint16_t)0x00A5)
#define FLASH_KEY1 ((uint32_t)0x45670123)
#define FLASH_KEY2 ((uint32_t)0xCDEF89AB)
1. RDP_Key：
这是用于设置读保护(RDP)级别的密钥。读保护是一种保护机制，用于防止未授权的读取对Flash的访问。通过将RDP_Key写入特定的Flash寄存器，可以设置读保护级别。0x00A5是预定义的RDP_Key值。
2. FLASH_KEY1和FLASH_KEY2：
这两个密钥是用于解锁Flash的访问权限的。当需要对Flash进行编程、擦除等操作时，需要先解锁Flash。FLASH_KEY1和FLASH_KEY2是两个32位的特定值，通过连续写入这两个值到FLASH- >KEYR寄存器，可以解锁Flash的访问权限。FLASH_KEY1的值为0x45670123，FLASH_KEY2的值为0xCDEF89AB。
上锁Flash代码解析
/**
* @brief Locks the FLASH Bank1 Program Erase Controller.
* @note this function can be used for all STM32F10x devices.
* - For STM32F10X_XL devices this function Locks Bank1.
* - For all other devices it Locks Bank1 and it is equivalent
* to FLASH_Lock function.
* @param None
* @retval None
*/
void FLASH_LockBank1(void)
{
/* Set the Lock Bit to lock the FPEC and the CR of Bank1 */
FLASH- >CR |= CR_LOCK_Set;
}
这段代码是用于锁定STM32的Bank1程序擦除控制器（Program Erase Controller）。以下是该代码的解释：
该函数用于锁定STM32的Bank1程序擦除控制器，适用于所有STM32F10x系列的设备。对于STM32F10X_XL系列的设备，该函数锁定Bank1。对于其他设备，它锁定Bank1并等效于FLASH_Lock函数。
该函数没有参数。
函数的返回值为None。
函数内部的操作是通过将CR_LOCK_Set（宏定义的值）设置到FLASH- >CR寄存器的LOCK位，从而锁定Bank1的访问权限。具体来说，使用按位或操作符将CR_LOCK_Set设置到FLASH- >CR寄存器的LOCK位，以锁定Flash的访问权限。
/**
* @brief Locks the FLASH Bank2 Program Erase Controller.
* @note This function can be used only for STM32F10X_XL density devices.
* @param None
* @retval None
*/
void FLASH_LockBank2(void)
{
/* Set the Lock Bit to lock the FPEC and the CR of Bank2 */
FLASH- >CR2 |= CR_LOCK_Set;
}
/**
* @brief Locks the FLASH Program Erase Controller.
* @note This function can be used for all STM32F10x devices.
* - For STM32F10X_XL devices this function Locks Bank1 and Bank2.
* - For all other devices it Locks Bank1 and it is equivalent
* to FLASH_LockBank1 function.
* @param None
* @retval None
*/
void FLASH_Lock(void)
{
/* Set the Lock Bit to lock the FPEC and the CR of Bank1 */
FLASH- >CR |= CR_LOCK_Set;
#ifdef STM32F10X_XL
/* Set the Lock Bit to lock the FPEC and the CR of Bank2 */
FLASH- >CR2 |= CR_LOCK_Set;
#endif /* STM32F10X_XL */
}
总结：FLASH_Lock包括 FLASH_LockBank1和 FLASH_LockBank2取决于芯片类型
/* Flash Control Register bits */
#define CR_PG_Set ((uint32_t)0x00000001)
#define CR_PG_Reset ((uint32_t)0x00001FFE)
#define CR_PER_Set ((uint32_t)0x00000002)
#define CR_PER_Reset ((uint32_t)0x00001FFD)
#define CR_MER_Set ((uint32_t)0x00000004)
#define CR_MER_Reset ((uint32_t)0x00001FFB)
#define CR_OPTPG_Set ((uint32_t)0x00000010)
#define CR_OPTPG_Reset ((uint32_t)0x00001FEF)
#define CR_OPTER_Set ((uint32_t)0x00000020)
#define CR_OPTER_Reset ((uint32_t)0x00001FDF)
#define CR_STRT_Set ((uint32_t)0x00000040)
#define CR_LOCK_Set ((uint32_t)0x00000080)
这段代码定义了一些与Flash控制寄存器（Control Register）相关的位掩码（bits）。以下是这些位掩码的解释：
1. CR_PG_Set和CR_PG_Reset：
用于编程Flash的位掩码。CR_PG_Set将FLASH- >CR寄存器的PG位设置为1，表示启用Flash编程访问。CR_PG_Reset将FLASH- >CR寄存器的PG位复位为0，表示禁用Flash编程访问。
2. CR_PER_Set和CR_PER_Reset：
用于擦除Flash扇区的位掩码。CR_PER_Set将FLASH- >CR寄存器的PER位设置为1，表示启用Flash扇区擦除。CR_PER_Reset将FLASH- >CR寄存器的PER位复位为0，表示禁用Flash扇区擦除。
3. CR_MER_Set和CR_MER_Reset：
用于擦除整个Flash存储器的位掩码。CR_MER_Set将FLASH- >CR寄存器的MER位设置为1，表示启用Flash全片擦除。CR_MER_Reset将FLASH- >CR寄存器的MER位复位为0，表示禁用Flash全片擦除。
4. CR_OPTPG_Set和CR_OPTPG_Reset：
用于编程Flash选项字节的位掩码。CR_OPTPG_Set将FLASH- >CR寄存器的OPTPG位设置为1，表示启用Flash选项字节编程。CR_OPTPG_Reset将FLASH- >CR寄存器的OPTPG位复位为0，表示禁用Flash选项字节编程。
5. CR_OPTER_Set和CR_OPTER_Reset：
用于擦除Flash选项字节的位掩码。CR_OPTER_Set将FLASH- >CR寄存器的OPTER位设置为1，表示启用Flash选项字节擦除。CR_OPTER_Reset将FLASH- >CR寄存器的OPTER位复位为0，表示禁用Flash选项字节擦除。
6. CR_STRT_Set：
用于启动Flash操作的位掩码。CR_STRT_Set将FLASH- >CR寄存器的STRT位设置为1，表示启动Flash编程或擦除操作。
7. CR_LOCK_Set：
用于锁定Flash的位掩码。CR_LOCK_Set将FLASH- >CR寄存器的LOCK位设置为1，表示锁定Flash的访问权限。
这些位掩码用于在进行Flash编程、擦除和操作期间设置或复位Flash控制寄存器中的特定位。在实际应用中，可以根据需要使用这些位掩码来配置和控制Flash的操作。
STM32库函数中FLASH擦除操作相关函数解析
FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);
FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void);
FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);
这是三个函数用于擦除STM32的Flash存储器中的页面和选项字节。以下是这些函数的解释：
1.FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address)：
该函数用于擦除指定地址的Flash存储器页面。Page_Address参数表示要擦除的页面的起始地址。函数返回一个FLASH_Status类型的值，表示擦除操作的状态。可能的返回值包括：
- FLASH_COMPLETE：擦除操作成功完成。
- FLASH_BUSY：擦除操作正在进行中。
- FLASH_ERROR_WRP：擦除操作失败，由于写保护设置导致的错误。
- FLASH_ERROR_PG：擦除操作失败，由于编程错误导致的错误。
2. FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void)：
该函数用于擦除Flash存储器中的所有页面。函数返回一个FLASH_Status类型的值，表示擦除操作的状态。
3. FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void)：
该函数用于擦除Flash存储器中的选项字节。选项字节是一些用于配置Flash存储器和设备行为的特殊字节。函数返回一个FLASH_Status类型的值，表示擦除操作的状态。
这些函数用于在运行时对Flash存储器进行擦除操作。在调用这些函数之前，请确保已经解锁Flash的访问权限（通过调用FLASH_Unlock函数）