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研发客服在嵌入式系统中，诸如变频器和伺服驱动器等工业应用，乃至CD播放器等众多消费电子产品，都需要保存最近的用户设置，在下次上电后加载使用。如果使用MCU内置Flash，一般擦写次数限制在10k次，无法满足寿命和耐久性要求，所以只能通过外置实现。
本文引用地址：新推出的系列MCU支持使用Flash，在小容量存储需求的场合能节省外部芯片，实现成本控制。系列MCU的Flash容量覆盖16KB到128KB，其中低32KB的Flash区域支持10万次擦写，而剩余区域支持1万次擦写，如下图G3507规格书所示。所以，在使用FlashEEPROM时，应尽可能选择低32KB区域。
当使用<=32KB Flash容量产品时，这时芯片的全部Flash区域都支持10万次擦写，只需要根据用户代码量以及存储需求确定EEPROM的容量大小，然后放置到Flash的尾部地址即可。
当使用>32KB Flash容量产品时，这时用户代码占用空间可能较大，如果直接选取低32KB尾部地址作为EEPROM，有可能与用户代码地址相冲突而造成误擦写，如下图所示：
这时则需要在代码中向编译器声明EEPROM的位置及长度，使其安排Code及Data时避开用户设置的EEPROM区域。
在CCS IDE with Clang中，需要做两步修改：
在.cmd文件中添加Sections的声明如下图：
其中EEPROM 为自定义的section名字，0x00001000为自定义的开始地址。
2. 在需要使用的.c文件中（如c）添加数组定义如下：
以上语句定义了一个名为EEPROM、类型为uint32，长度为4096的const数组，并且存放在上面开辟的.EEPROM Sections，其中添加__attribute((used))可以避免编译器把该数组优化掉。
完成以上修改后，编译器会避开自定义的EEPROM SECONS，代码只会存放于.text SECTIONS，这样修改后就可以保证EEPROM地址和长度都落在期望的Lower 32KB区域且不会与代码段冲突。
添加修改并编译后，查看Memory Allocation如下图，可见EEPROM段与.text代码段分开，所定义的EEPROM数组也成功初始化。
最后就可以进行Flash的Erase/Program操作，具体可参考drivelib中的flashctl_program_with_ecc等例程，这里不再赘述。
本文针对MSPM0系列MCU使用FlashEEPROM时需要在Lower 32KB开辟EEPROM专用区域的工况，提出使用SECTIONS分配的方式解决与EEPROM和Code可能重合的问题，配合SDK的Flash操作，可以很容易实现EEPROM在任意Flash区域的开辟。
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