资讯

压MOS系列。瑞森半导体高压MOS系列,超小内阻,结电容适中,散热性能好,高温漏电小,高温电压跌落小,广受市场好评。 ......
稳定性,这使得它们适用于高温环境下的应用,例如汽车引擎控制、航空航天、高温电源转换等。 高频操作:第三代半导体技术可以实现高频操作,这使得它们在高速通信和无线通信等领域中具有潜力。高频......
材料技术的开发及其在高功率/高压/高频/高温电力电子器件、射频通信器件、深紫外光电子器件等诸多领域的商业化发展和在国防军工领域的关键应用。 图一 奥趋光电制备的2英寸AlN单晶锭(左)和3英寸AlN单晶锭(右......
么限制了更高电池电压的使用并阻碍了系统功率密度的进一步提高?问题的很大一部分是大多数电力电子设备都使用硅半导体电源开关。硅-用于我们现在拥有的几乎所有电子设备的集成电路-在高压和高温下根本无法正常工作。而这些正是电动汽车电力电子......
的带隙和5500 c㎡/V·S的室温电子迁移率(摘要中标注的是超过5000c㎡/V·S,2023年2月第一版论文则是4000 c㎡/V·S),比硅高出3倍,比其它二维半导体高20倍。 注释:外延......
方为联邦德国奔驰集团法兰克福研究所,主要工作为汽车电子及高可靠性电子器件封装研究:包括芯片级抗电迁移研究、汽车电子高可靠性互连、高温电子器件互连;先进封装技术研究,如FC封装,无铅焊料等。2001年起......
来源:罗姆 碳化硅具有特殊的导电性能,可用于生产开关速度快、损耗低的电力电子芯片。同时,碳化硅芯片具有更强的耐热性,因此可以提高电子器件的功率密度。得益于这些特点,碳化硅电子元器件的转换损耗比传统硅(Si......
为芯冠科技的第三大股东,持股比例为19.84%。 图片来源:天眼查截图 芯冠科技成立于2016年,公司采用整合设计与制造(IDM)的商业模式,主要从事第三代半导体硅基氮化镓外延材料及电力电子器件......
材料碳化硅功率芯片制造的领军企业。2019年,泰科天润半导体科技(北京)有限公司6英寸半导体碳化硅电力电子器件生产线项目正式签约落户长沙浏阳。 浏阳日报此前报道,该项目总投资15亿元,分两......
主要应用于新能源车的电驱电控系统,相较于传统硅基 功率半导体器件,碳化硅功率器件在耐压等级、开关损耗和耐高温性方面具备许多明显的优势,有助于实现新能源车电力电子驱动系统轻量化、高 效化,它广......
设计理论基础、光电子器件及集成技术、宽禁带半导体电子器件、射频电路关键技术、多功能与高效能集成电路等。 量子材料与器件 围绕量子材料制备、物性研究和器件物理中的基础性重大科学前沿问题,重点研究高温......
设计理论基础、光电子器件及集成技术、宽禁带半导体电子器件、射频电路关键技术、多功能与高效能集成电路等。 量子材料与器件 围绕量子材料制备、物性研究和器件物理中的基础性重大科学前沿问题,重点研究高温......
相比,二维半导体存在天然的范德华间隙,金属与半导体界面的波函数杂化耦合较弱,因此实现超低接触电阻具有很大的挑战,这也是长期以来限制二维半导体高性能晶体管器件的关键瓶颈之一。 面对上述挑战,合作......
实现更高效的驾驶和更快速的充电 博世开始生产应用于电动汽车的800V技术; 800V电机和逆变器开始量产 碳化硅半导体提升功率电子器件的效率最高可达99% 全新I-pin技术使电机功率密度提升35......
实现更高效的驾驶和更快速的充电 博世开始生产应用于电动汽车的800V技术;• 800V电机和逆变器开始量产• 碳化硅半导体提升功率电子器件的效率最高可达99%• 全新I-pin技术......
上可实现两倍的充电功率。 此外,博世的逆变器采用碳化硅半导体。该类半导体通过在超纯硅晶体结构中引入碳原子,实现导电性的提高。此外,将其应用在功率电子器件中能实现50%热损耗的减少。碳化硅半导体的节能潜力不止于此,例如,它可......
核心技术,开展新一代显示用半导体LED芯片技术、半导体高光效照明及背光用LED芯片技术、GaN基电子电力器件技术等研究工作。 截至目前,该实验室取得具有自主知识产权的GaN外延生长技术与核心器件......
方为联邦德国奔驰集团法兰克福研究所,主要工作为汽车电子及高可靠性电子器件封装研究:包括芯片级抗电迁移研究、汽车电子高可靠性互连、高温电子器件互连;先进封装技术研究,如FC封装,无铅焊料等。2001年起开始微系统封装研究,包括......
苏州高新区:新声半导体高端滤波器芯片等8个项目入选省重大项目;近日,2024年江苏省重大项目清单正式发布,苏州高新区8个项目列入清单。上榜项目包括:苏州新施诺半导体用天车系统、苏州新声半导体高......
碳化硅半导体--电动汽车和光伏逆变器的下一项关键技术; 图 1:半导体对许多新兴绿色科技至关重要 毋庸置疑,从社会发展的角度,我们必须转向采用可持续的替代方案。日益......
碳化硅半导体--电动汽车和光伏逆变器的下一项关键技术; 毋庸置疑,从社会发展的角度,我们必须转向采用可持续的替代方案。日益加剧的气候异常和极地冰盖的不断缩小,清楚......
:基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布与国际著名的先进电子器件供应商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作关系,共同生产新的650 V......
中科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展;当前,能源、信息、国防、轨道交通、电动汽车等领域的快速发展,对功率半导体器件性能提出了更高的要求,高耐压、低损耗、大功率器件成为未来发展的趋势。氧化镓作为新一代功率半导体......
用可以分为两个部分:凭借GaN半导体材料在高温高频、大功率工作条件下的出色性能可取代部分硅和其它化合物半导体材料;凭借GaN半导体材料宽禁带、激发蓝光的独特性质开发新的光电应用产品。目前GaN光电器件和电子器件......
部高级总监Katrin Feurle表示:“Nexperia和KYOCERA AVX在此次合作中,将顶尖的碳化硅半导体与一流的模块封装技术相结合,将使Nexperia能够更好地满足市场对极高功率密度的电力电子......
部高级总监Katrin Feurle表示:“Nexperia和KYOCERA AVX在此次合作中,将顶尖的碳化硅半导体与一流的模块封装技术相结合,将使Nexperia能够更好地满足市场对极高功率密度的电力电子......
以内的电动车用IGBT(绝缘栅双极型晶体管),20万元以上的电动车用碳化硅功率半导体。碳化硅半导体损耗小、耐高压、耐高温,是功率半导体的重要发展方向,业内正在共同努力降低碳化硅功率半导体......
) 、氮化镓 (GaN) 等宽禁带半导体的电气性能更优异,有助于开发更小、更轻、更高效的高性能电子器件和系统,尤其特别适合那些需要高功率、高频或高温开关操作的应用领域。 该合......
材料相比,碳化硅 (SiC) 、氮化镓 (GaN) 等宽禁带半导体的电气性能更优异,有助于开发更小、更轻、更高效的高性能电子器件和系统,尤其特别适合那些需要高功率、高频或高温......
日本电产理德推出半导体高速检测装置“NATS-1000”;日本电产理德推出半导体高速检测装置“NATS-1000”  ―6in1 IGBT 全球范围内高水平的检测速度― 日本电产理德株式会社推出了全自动在线半导体......
碳化硅半导体材料项目核心设备进场 平顶山电子半导体产业园项目开工;据人民网报道,9月28日,碳化硅半导体材料核心设备正式进场。碳化硅半导体材料项目投产后,将带动周边半导体......
明确了江西省2022年对外招商引资的六个重要方向,其中,战略性新兴产业项目涉及碳化硅、传感器、封装等半导体行业多个细分领域。 以下为部分项目介绍: 6英寸半导体碳化硅电力电子器件项目,总投资20......
研结合等方式,共同推动国创中心(山西)的建设。 据介绍,在第三代半导体技术研究方面,中北大学开展了硅基GaN-HEMT、SiC基高温集成电路、SiC高温微纳器件、SiC电力电子器件与系统等方面的研究。在器件......
、高频、高功率电子器件中具有更好的性能;氮化镓的电子迁移率高达2000cm²/Vs,比GaAs和Si的电子迁移率更高,使得氮化镓在高频器件中具有更高的电子速度和更低的导通损耗。  近年来,随着......
(3.3eV),这使得GaN具有更高的击穿电压和热稳定性,使得氮化镓在高温、高频、高功率电子器件中具有更好的性能;氮化镓的电子迁移率高达2000cm²/Vs,比GaAs和Si的电子迁移率更高,使得氮化镓在高频器件中具有更高的电子......
航天为代表的射频领域和以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域。 近年来,碳化硅半导体产业市场快速发展并已迎来爆发期,碳化硅产业链已经成为资本热捧的风口,华为哈勃就是其中之一。 华为:碳化......
产品选型  瑞森半导体超高压系列优势: 1、新型的横向变掺杂技术,专有的功率MOS结构,高温特性优良。 2、超高电压,超小内阻,散热性能好,高温漏电小,高温电压跌落小。  ......
与电路在各方面性能上均达到了国际最高水平,填补了先进集成电路领域在该方向上的空白,并建立了具有自主知识产权的非晶氧化物半导体成套关键技术。在近日召开的第68届国际电子器件大会IEDM中,团队在先进逻辑器件、存储器技术、新型器件......
-08是一种具有三个PN结、四层结构的大功率半导体器件,具有体积小、结构相对简单、功能强、重量轻、效率高、控制灵活等优点,因此现已被 广泛应用于各种电子产品中。LTH16-08在温......
募资约16亿 凭借耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点,碳化硅半导体在以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域和以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域、以及民用、军用......
-FAB也于近日宣布了扩产碳化硅的计划。 其中,瑞萨电子将于2025年开始生产使用碳化硅 (SiC)来降低损耗的下一代功率半导体产品。报道指出,按照计划,瑞萨电子拟在目前生产硅基功率半导体......
名企招聘|中国第一家氮化镓电子材料与器件工厂—能讯半导体; 苏州能讯高能半导体有限公司—中国氮化镓电子材料与器件产业的先行者 ,是由获得中国第一批“千人计划”支持......
年,基于第三代半导体材料的电子器件将广泛应用于5G基站、新能源汽车、特高压、数据中心等场景。 “性价比优势”是形成市场穿透力的敲门砖。长期以来,第三代半导体受限于衬底成本过高、制备困难、应用......
前已经达到了材料极限,难以满足需求。因此,以SiC为代表的第三代半导体材料兴起。 SiC具有大禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射等特点,适合制造高温、高压、高频、大功率的器件。主要......
Vishay推出6767封装额定电流高达155 A的汽车级IHSR高温电感器;日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出Vishay首款......
的快速发展和智能设备的普及,对高频电子器件和功率器件的需求不断增加。而且氮化镓作为一种理想的材料,能够满足高频和高功率的需求,因此市场需求将持续增长。 第三、政策支持:我国一直重视半导体......
产业的主流,在集成电路、航空航天、新能源和光伏等产业中应用广泛。随着高端制造、大功率发光电子器件日益发展,对频率、效率和噪声等要求越来越高,第二代半导体砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)应运......
 也是目前研究相对更成熟的材料。 此前,硅(Si)和锗(Ge)作为半导体产业的主流,在集成电路、航空航天、新能源和光伏等产业中应用广泛。随着高端制造、大功率发光电子器件日益发展,对频率、效率......
东尼电子:拟投资建设年产12万片碳化硅半导体材料项目;4月12日,浙江东尼电子股份有限公司(以下简称“东尼电子”)发布2021年度非公开发行A股股票预案公告,拟募集资金投资建设碳化硅半导体......
日本电子巨头罗姆将量产下一代半导体:提高用电效率、增加电动车续航里程;据日本共同社日前报道, 日本电子零部件巨头罗姆(ROHM)将于今年12月量产下一代功率半导体,以碳化硅(SiC)为原......

相关企业

;深圳可控硅半导体有限公司;;我们的网址是www.szgkt.com ,有十多年的生产经验,采用进口摩洛哥环保芯片,产品的稳定性很好,价格也很有优势,品牌SZGKT
;北京新兴肯伯利技术开发有限责任公司;;北京新兴肯伯利技术开发有限责任公司是一家专业从事半导体电子器件生产材料、半导体设备及配件供应的高科技公司,是中国半导体协会会员单位。公司成立于1995年,主要代理国外知名公司的半导体
;湖南长富电子有限公司;;湖南长富电子有限公司是以生产各类半导体发光器件为主的高新技术企业。公司主要生产和经营LED数码管、点阵、平面管、符号管等。湖南长富电子
;朝阳市双塔区远征电子器件销售处;;资深半导体器件生产厂销售处。 朝阳市双塔区远征电子器件销售处是半导体器件等产品专业生产加工的公司,拥有完整、科学的质量管理体系。朝阳市双塔区远征电子器件
-2000换版认证。十三所的固定资产为7.4亿元人民币,厂房及办公室面积7万平方米。十三所研究开发的主要内容包括:微波和毫米波半导体器件、光电子器件、微机械电子系统、量子器件、真空微电子器件、场控电力电子器件
;深圳中洋田电子有限公司;;深圳市中洋田电子技术有限公司是美国ARTSCHIP半导体中国代理,是IC电路设计与销售为一体高技术专业企业,是国内最大的是胆子元器件供应商之一。 公司自1004年成
Logic IC等,2012年于深圳设立销售公司。 摩矽半导体产品广泛应用於主机板、LED、LCD显示器、电源供应器、适配器、消费类电子及网络设备等领域。 摩硅半导体自有"MORE
;浙江博星电子有限公司;;浙江博星电子有限公司是电力半导体器件专业生产企业,主要从事制造汽车用整流桥组件、整流管、晶闸管、模块及其电力半导体器件管芯。博星电子公司经过不断拼搏,现已发展为具有电力半导体器件
制器程式设计和功能光学材料的专家队伍。所设计的产品涉及半导体分立器件、混合集成电路、光电子器件、传感器信号处理、微处理器、定时器、功率半导体、电源管理芯片、光学器件封装材料等,并承接用户ODM制造。研究所拥有多项自主知识产权, 特别
;襄樊硅海电力电子有限公司;;襄樊硅海电子有限公司专业生产电力电子器件。公司主要产品有整流管、晶闸管、快速晶闸管、电力半导体模块及组件。