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因就在于英飞凌的沟槽栅技术可以通过更厚的氧化层和更高的筛选电压，来最大限度地降低门极氧化层的缺陷密度，从而更好地保障可靠性。 二是，碳化硅性能的评价原则。有人说，碳化硅性能主要看单位面积导通电阻RSP，电阻越小，产品越好。还有人说，英飞......
为典型代表的第三代半导体材料引领了航空航天及国防等领域电子系统和电源系统的革命。 与前两代半导体材料相比，碳化硅性能超群。它制成的器件拥有良好的耐热性、耐压......
GeneSiC MOSFETs为碳化硅性能标定了高效、可低温运行的新基准。G3F碳化硅MOSFETs的开关频率高达600 kHz，硬开关品质因数比竞争对手高出40%。纳微正在不断拓展碳化硅的性能......
反馈回商用输电系统，或是供离网的电网使用。随着功率等级的不断提高，以及整机体积的增加，光伏对功率器件的规格和散热要求也越来越高。相比于传统硅材料，碳化硅性能更为优越，因此碳化硅功率器件在光伏的使用越来越广泛。其中......
： “凭借着可靠性和高功率高压系统下的鲁棒性，G3F GeneSiC MOSFETs为碳化硅性能标定了高效、可低温运行的新基准。G3F碳化硅MOSFETs......
CoolSiC MOSFET G2，英飞凌将碳化硅性能提升到了一个新的水平。新一代SiC技术能够加速设计成本更加优化、紧凑、可靠且高效的系统，从而节省能源并减少现场安装的每瓦特的CO2排放量。” 英飞......
MOSFET G2，英飞凌将碳化硅性能提升到了一个新的水平。新一代SiC技术能够加速设计成本更加优化、紧凑、可靠且高效的系统，从而节省能源并减少现场安装的每瓦特的CO2排放量。”英飞凌领先的CoolSiC......
拉采用双面水冷的封装技术可能性比较大，该技术能够提升碳化硅性能，并且已经有小批量生产能力了，国内封装厂已有样件。 在看到特斯拉通过技术升级有望实现减少碳化硅用量后，国内车企感受到了山雨欲来之势。这意......
的争议依旧连绵不绝，最大的争议点还是贵。 有人认为，碳化硅性能对比硅基还是非常强悍，只要成本能够降下来，成为主流是时间问题。不过到底是用得多了成本就能降下来还是先降下来之后才会用的更多，那就见仁见智了。 那对......
 Molded)半桥块平台是为了满足严苛的汽车牵引逆变器而开发的。从硅基的DCM1000到经过优化而充分释放最新碳化硅性能的DCM1000X，以及最新的DCM500，采用了较为先进的封装技术，如DBB......
照功率半导体器件的优良半导体材料，也是目前综合性能最好、商品化程度最高、技术最成熟的第三代半导体材料 碳化硅主要性能指标 SiC是共价键很强的化合物，主要性能指标见表1.1。 碳化硅质制品可按碳化硅......
功率器件的能耗效率比传统的硅功率器件高，可以达到90%以上。碳化硅功率器件的高能耗效率可以减少电能的损耗，提高电动汽车的续航里程和性能。 3、高开关速度 碳化硅功率器件的开关速度比传统的硅功率器件快，可以达到100倍以......
其独特的优势正愈发引起人们的瞩目。伴随着这位传统芯片巨头的重磅投资，人们开始纷纷关注，是否即将主宰市场？本文引用地址：更高的温度耐受性 碳化硅芯片，作为一种新兴的半导体材料，因其出色的性能......
推动实现绿色出行的能源供应、低碳、智能、可持续发展，抢占未来高科技产业发展的制高点。碳化硅器件对电动车充电模块性能的提升主要体现在提高频率、降低损耗、缩小体积、提升效率等方面。 　　电机控制器：碳化硅......
足新能源汽车内部不同电气设备的电源需求。 然而，硅基IGBT也存在一些局限性，如导通电阻较大、开关损耗较高等。这些问题在一定程度上限制了新能源汽车的性能提升和能效改善。 二、碳化硅（SiC）功率器件在新能源汽车中的应用 碳化硅......
的关键技术。 这也是我国在这一领域的首次突破，打破了平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。 沟槽型碳化硅MOSFET芯片因其卓越的性能，如更低的导通损耗、更好的开关性能......
MOSFET 芯片制造关键技术，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，实现我国在该领域的首次突破。 项目背景 碳化硅是第三代半导体材料的主要代表之一，具有宽禁带、高临......
性能强大的1200V NovuSiC® EJBS™ 第三代宽禁带碳化硅半导体材料、具有高击穿场强、高热传导率和高电子饱和速率等优异的物理性能，在高温、高压、高频、大功率、抗辐......
碳化硅MOSFET在新能源行业有怎样的应用和发展;1、碳化硅场效应管SiC-MOSFET 在碳化硅电力电子器件的研究中，SiC-MOSFET是最受关注的器件。在Si材料接近理论性能极限的今天，SiC......
中国电科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET成功通过技术鉴定;近日，中国电科55所牵头研发的“高性能高可靠碳化硅MOSFET技术及应用”成功通过技术鉴定。鉴定委员会认为，该项目技术难度大，创新......
Power 在内的客户群充分认可 Wolfspeed 碳化硅带来的巨大优势。”   EPC Power 公司总裁兼首席产品官 Devin Dilley 表示：“碳化硅器件开启了逆变器性能......
总裁兼首席产品官 Devin Dilley 表示：“碳化硅器件开启了逆变器性能和可靠性跨越式发展的大门。我们致力于在新型 ‘M’ 逆变器中实现极高的可靠性、性能和安全性，同时......
的可扩展性和模块化，以及更高的能效、峰值功率和降低成本，是电动汽车技术成功的关键。我们的碳化硅技术有助于实现这些优势。我们很自豪能与先进的汽车电动化供应商采埃孚合作，帮助他们实现差异化并优化逆变器的性能。” 意法半导体将在意大利和新加坡晶圆厂生产碳化硅......
东原子创投追投，资金将主要用于新产品研发和量产准备。 资料显示，忱芯科技成立于2020年，聚焦于碳化硅核心功率部件的突破，产品线涵盖高性能碳化硅模块、碳化硅其他核心功率部件、首台套全谱系碳化硅......
第三代半导体功率器件在汽车行业的应用;碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，它突破硅基半导体材料物理限制，成为第三代半导体核心材料。碳化硅材料性能优势引领功率器件新变革。 功率......
很自豪能与先进的汽车电动化供应商采埃孚合作，帮助他们实现差异化并优化逆变器的性能。” 意法半导体将在意大利和新加坡晶圆厂生产碳化硅芯片，采用意法半导体的先进STPAK封装，在摩......
导率(Si的3.3倍)、高的临界击穿电场(Si的10倍)、高饱和电子迁移率(Si的2.5倍)以及高健合能等优点，这就使得碳化硅材料可以很好地适用于高性能(高频、高温、高功率、抗辐射)电子器件。高的......
用逆变器中能够提升转换效率，能够承受高压，通过转换电压的高低，更好地调节电流的强度，以具备更好的调节电机性能，其次高频的特性能够使线圈减小，电机尺寸将会减小，减少噪音强度，更好规划汽车的整体配置。虽然碳化硅......
很自豪能与先进的汽车电动化供应商采埃孚合作，帮助他们实现差异化并优化逆变器的性能。” 意法半导体将在意大利和新加坡晶圆厂生产碳化硅芯片，采用意法半导体的先进STPAK封装，在摩......
他们实现电气化和脱碳目标。电动汽车技术成功的关键是提高可扩展性、改善模块化性能、效率、峰值功率并减少购车成本。我们的碳化硅技术能够实现这些优势，我们很自豪能与领先的汽车电气化供应商采埃孚合作，帮助其优化逆变器的性能......
旗下全新品牌乐道首款车型乐道L60近期上市，芯联集成为乐道L60供应碳化硅模块。 据介绍，乐道L60是同级别车型中唯一采用全域900V高压平台架构的车型，其主电驱系统搭载的蔚来自研1200V 碳化硅功率模块，融合了芯联集成提供的高性能碳化硅......
和更多的应用。第三代半导体技术相对于传统半导体技术（通常是基于硅材料的技术）具有多方面的优势，这些优势使它们在各种应用中具有重要的价值，以下是第三代半导体技术的一些主要优点： 高性能：第三代半导体材料（如碳化硅......
立式氧化炉通过氧化退火处理，能够对碳化硅表面的氧化层结构进行优化，形成均匀、高质量的SiO?栅氧化层。这不仅有助于提升器件的击穿电压，还能有效降低漏电流和噪声，从而显著提高器件的性能和可靠性。 同时......
化的未来离不开先进的功率半导体，作为第三代功率半导体材料碳化硅技术的发展前景怎样？碳化硅（SiC）作为一种先进的第三代功率半导体材料，凭借其卓越的性能如高击穿电场强度、优秀的热导率和高饱和电子漂移速度，在电......
漏电流和噪声，从而提高器件的性能和可靠性。通过氧化退火，可以填补晶格缺陷，降低残余应力，提高氧化物和晶体的结合质量，改善电学性能‌，这对于提高碳化硅功率器件的整体性能和稳定性具有重要意义。 在高温下，碳化硅......
为代表的第三代半导体是支撑新能源汽车发展的关键技术之一。其中碳化硅功率模块是新能源汽车电机驱动系统的关键部件，具备耐高压、耐高温、高开关频率、低开关损耗等特点，对整车的主要技术指标和整体性能......
产能已达1.2万片/月，湖南三安二期工程将在今年贯通，达产后配套年产能将达到36万片。 从出货来看，湖南三安的碳化硅二极管累计出货量超1亿颗领跑行业，已推出第四代高性能产品，且七......
（SiC）晶圆抛光和回收的先进技术公司。该公司开发了创新的碳化硅抛光工艺，可提高器件性能，具有无划痕、低粗糙度、超洁净的外延表面和无损坏层。 Soitec表示，将通过独特的碳化硅......
发热损耗，以提高汽车的续航里程。中国科学院半导体所教授级高级工程师钮应喜介绍，750V以下的应用场景中，硅基IGBT和碳化硅功率器件性能差距不大，二者存在的竞争主要来自成本。但由于IGBT在高压场景中性能......
饱和漂移速率约是硅基材料的2倍。碳化硅材料的耐高压、耐高温、高频特性相较于硅基器件能应用于更严苛的工况，可显著提高效率和功率密度，降低应用端的成本、体积和重量。 图1 各类半导体材料性能对比 根据......
展性是我们客户最为关注的。包括 EPC Power 在内的客户群充分认可 Wolfspeed 碳化硅带来的巨大优势。”EPC Power 公司总裁兼首席产品官 Devin Dilley 表示：“碳化硅器件开启了逆变器性能......
三安集成完成碳化硅MOSFET量产平台打造，贯通碳化硅器件产品线;中国化合物半导体全产业链制造平台——三安集成于日前宣布，已经完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造。首发1200V 80mΩ产品已完成研发并通过一系列产品性能......
产品特点 碳化硅(SiC)具有宽禁带(Si的3倍)、高热导率(Si的3.3倍)、高的临界击穿电场(Si的10倍)、高饱和电子迁移率(Si的2.5倍)以及高健合能等优点，这就使得碳化硅材料可以很好地适用于高性能......
拥有非常悠久和成功的历史，提供世界级的性能与豪华汽车。我们很高兴能够为梅赛德斯-奔驰提供支持，助力其推出具备高效动力系统的新一代电动汽车。与此同时，我们将继续投资制造产能，以满足市场对于碳化硅器件急剧增长的需求。碳化硅器件不仅能够提升电动汽车性能......
创新中心也将为该合作提供专业支持，为研究成果的工业化生产护航。 广告 Soitec 首席技术官 Christophe Maleville 表示：“集双方在材料、半导体领域之所长，我们一同为行业带来性能卓越的多晶碳化硅......
衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶薄膜的碳化硅片，是用于制造高性能半导体器件的关键材料。电科材料持续布局第三代半导体外延材料研发生产，实现一系列技术突破，在碳化硅外延领域，完成6英寸3300V碳化硅......
为我们的电气化转型确保这一核心半导体元件的优先长期供应、技术与品质。”作为豪华汽车的领军企业，梅赛德斯-奔驰充分了解对于卓越性能的需求。通过采用 Wolfspeed 的专精技术与碳化硅......
轨道列车与电动汽车抢碳化硅“分配权”，碳化硅引领电源驱动行业大变革; 【导读】碳化硅在轨道交通领域越来越”抢手“。2个月前，西安一SiC地铁线路将开展装车和试验；近日，又有2列SiC列车......
安森美新一代混合功率模块探秘：平衡性能与成本的创新;日前，安森美宣布推出了新一代采用 F5BP 封装的硅和碳化硅混合功率集成模块 (PIM)，非常......
第六届国际碳材料大会暨产业展览会 ——“碳化硅半导体论坛”会议通知; 一、论坛背景 随着新能源汽车、光伏、智能电网等新兴产业的快速发展，激发了碳化硅等宽禁带半导体巨大的市场潜力，同时也对其提出了更严苛的质量与性能......

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