资讯
碳化硅肖特基二极管在光伏逆变器的应用(2023-03-20)
碳化硅肖特基二极管在光伏逆变器的应用;在全球推进清洁与可再生能源的伟大征程中，光伏发电行业一路蓬勃发展。根据国家能源局发布的全国电力工业统计数据显示，2022年全......
基本半导体1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC(替代科锐C4D30120D)助力车载充电机;车载充电机可实现交流输入（85VAC~265VAC）/直流输出（200VDC-750VDC......
兼容C3D02065E，碳化硅肖特基二极管B1D02065E助力LED显示屏电源(2023-08-16)
兼容C3D02065E，碳化硅肖特基二极管B1D02065E助力LED显示屏电源;LED显示屏是一种迅速发展起来的新型信息显示媒体，凭借智能控制、节能环保、寿命长、光效高、安全可靠等优点，其使......
40A/1200V碳化硅肖特基二极管B2D40120HC1用于机车空调(2023-10-26)
40A/1200V碳化硅肖特基二极管B2D40120HC1用于机车空调;在动车或地铁中，机车空调需要有稳定的电力供电，保持车厢内的空气质量。当机车出现故障时，需要通过后备电池给空调供电。而机......
B1D10065F，该二极管是支持车载的SiC肖特基二极管，可降低开关损耗，可高速开关，提升车载充电机整机效率。
碳化硅肖特基二极管B1D10065F的特点如下：
1、结温最大额定值为175......
国芯思辰｜1200V/5A碳化硅肖特基二极管B1D05120K(替代科锐C4D05120A)用于电动车充电;充电器与蓄电池有着密切的联系，充电器的好坏直接影响蓄电池性能和使用寿命。本文......
三安集成完成碳化硅MOSFET量产平台打造，贯通碳化硅器件产品线(2020-12-03)
集成表示，“良性竞争有助于产业链上下游协同发展，我们会加快新产品的推出速度和产能建设，以便保持先发优势。”据悉，三安集成碳化硅肖特基二极管于2018年上市后，已完成了从650V到1700V的产......
民德电子：全资子公司拟累计5.18亿元购买江苏联芯6英寸晶圆生产线设备(2022-07-06)
前公告介绍，碳化硅功率器件的研发和产业化项目主要从事面向新型能源供给的600V-1700V碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等产品的设计研发和产业化，产品主要应用于光伏逆变、电源无功补偿、汽车......
实现国产自主控制，泰科天润碳化硅芯片量产线进入生产状态(2022-02-11)
器件研发与制造，业务包括碳化硅生产、碳化硅器件研发制造及提供相关技术服务等，产品包括碳化硅肖特基二极管、充电桩电源模块等，可应用于新能源汽车、电脑等领域。
据悉，除了在湖南浏阳拥有碳化硅......
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性(2023-02-16)
卖家使用了一种特定类型的高性能芯片贴装，但这会损害制造成本，”Allouche 说
碳化硅的高导热性允许更好的散热，提供比硅更小的外形尺寸。这允许降低成本并具有更小的包装。
碳化硅肖特基二极管......
简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用(2022-12-21)
代半导体材料氮化镓（GaN）和SiC功率器件表现出越来越优越的特性。从理论上讲，SiC器件的WBG是硅的三倍，因此可以实现约600°C的结温。
以下是对有前途的碳化硅功率器件的简要介绍。
二极管
碳化硅肖特基势垒二极管......
基本半导体宣布完成C2轮融资，资金用于推动碳化硅功率器件的研发进度等(2022-06-08)
半导体成立于2016年，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化基本半导体。该公司碳化硅肖特基二极管和MOSFET单管累计出货超过2000万只，在光伏储能、通信电源、服务器电源、充电桩电源、家用......
300+客户通过验证，长沙160亿半导体项目规划二期建设(2022-04-12)
三安半导体产业园一期项目已实现从“碳化硅晶体生长”到“器件封测”的量产线全线贯通，并于2021年11月量产下线碳化硅肖特基二极管全系列产品。
据长沙晚报今年年初报道，湖南三安碳化硅二极管实现量产出货，车规级二极管......
Bourns 推出首款650 V – 1200 V碳化硅肖特基势垒二极管(2023-07-08)
Bourns 推出首款650 V – 1200 V碳化硅肖特基势垒二极管;
【导读】美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，隆重宣布首款 650 V......
负债超5亿元，又一国家级高新技术企业破产！(2024-12-19)
金光的发展历程与企业荣誉）
据悉，“世纪金光”碳化硅6英寸单晶已量产；功率器件和模块制备已覆盖额定电压650-1700V、额定电流5-100A的碳化硅肖特基二极管（SBD），额定电压650-1200V、额定电流20......
基本半导体完成B轮融资，将加强碳化硅器件研发(2021-01-05)
器件的核心技术研发、重点市场拓展和制造基地建设，特别是车规级碳化硅功率模块的研发和量产。
基本半导体致力于碳化硅功率器件的研发与产业化，自主研发碳化硅肖特基二极管和碳化硅......
又一碳化硅芯片公司完成近亿元产投融资(2023-11-03)
建模到测试应用、量产导入全流程know-how，目前研制有碳化硅肖特基二极管JBS和MOSFET功率器件等一系列高端产品，同时掌握多项核心技术。
此前5月，中瑞宏芯半导体宣布正式发布1200V/14mΩ......
量产交付产品66款，2021年湖南三安导入SiC功率器件客户549家(2022-01-25)
镓等宽禁带材料为主的第三代半导体全产业链生产与研发基地，是全球第三条、中国首条碳化硅全产业链生产线。
2021年6月，湖南三安一期项目完成建设并顺利点亮投产，并于11月量产下线碳化硅肖特基二极管全系列产品。
据悉，“长沙造”碳化硅二极管......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管(2023-04-20)
半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准，可应......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管(2023-04-20)
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管;
【导读】基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管......
Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列，继续扩充宽禁带半导体产品(2021-11-05)
Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列，继续扩充宽禁带半导体产品;奈梅亨，2021年11月5日：基础半导体元器件领域的专家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二极管......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管(2024-07-02)
型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管(2023-04-20 11:10)
碳化硅(SiC)肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准，可应对高电压和高电流应用带来的挑战，包括开关模式电源、AC......
年产能3.6万片，浙江丽水又添碳化硅项目(2022-03-18)
从事面向新型能源供给的600V-1700V碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等产品的设计研发和产业化，产品主要应用于光伏逆变、电源无功补偿、汽车电子等领域，形成6英寸碳化硅晶圆年产能3.6万片。
对于......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求(2024-06-15)
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求;
【导读】Nexperia今天宣布，其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二极管......
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块(2024-07-04)
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块;
【导读】近日，半导体器件领域企业SemiQ宣布，其QSiC™产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2024-06-28)
法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年6月28日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管......
Bourns推出10款新型号碳化硅肖特基势垒二极管产品(2023-10-06)
Bourns推出10款新型号碳化硅肖特基势垒二极管产品;
【导读】2023年9月26日 - 美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，今日推出 10......
英飞凌推出CoolSiC 肖特基二极管2000 V，直流母线电压最高可达1500 VDC，效率更高，设计更简单(2024-10-24 15:08)
英飞凌推出CoolSiC 肖特基二极管2000 V，直流母线电压最高可达1500 VDC，效率更高，设计更简单;如今，许多工业应用可以通过提高直流母线电压，在力求功率损耗最低的同时，向更......
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争(2023-01-09)
率器件里，目前主要是肖特基二极管和场效应晶体管，其它器件结构还未开展。
（1）氧化镓基肖特基二极管
对于肖特基二极管，其精准的势垒高度调控仍然是个难题，同时其体电场仍有较大的优化空间，另外......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2024-07-01 09:46)
科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors......
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务(2024-03-04)
高速 TRENCHSTOP 5 IGBT与碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管相结合，在硬开关和软开关拓扑结构中具有完美的性价比。凭借卓越的性能、优化的功率密度和领先的质量，该功率半导体器件与的车载充电器实现了高度适配。本文......
RS瑞森半导体超结MOS在适配器上的应用(2023-08-15)
结MOS：RS65R190F/RSF65R190F*2，碳化硅肖特基二极管：RSS04065A/RSS04065B;
（备注:RSF***系列内置FRD系列）
瑞森半导体超结MOS推荐如下产品选型表：
......
Microsemi为NPT IGBT产品系列增添多款新器件(2013-04-03)
方案与该产品系列中的所有器件相一致，可以与美高森美的FRED或碳化硅肖特基二极管组合封装，为工程师提供高集成度解决方案，以便简化产品开发工作。其它特性包括：
· 与同类器件相比，栅极电荷显著减少，具有......
安森美的EliteSiC碳化硅系列方案带来领先业界的高能效(2023-01-04)
V EliteSiC MOSFET和两款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二极管。这些新的器件为能源基础设施和工业驱动应用提供可靠、高能效的性能，并突显安森美在工业碳化硅......
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块(2024-07-04 09:41)
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块;近日，半导体器件领域企业SemiQ宣布，其QSiC™产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管模块。这一......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求(2024-06-13)
宣布，其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二极管现已符合汽车标准(PSC1065H-Q)，并采用真双引脚(R2P) DPAK (TO-252-2)封装，适用......
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务(2024-03-04)
凌的元件采用 D²PAK 封装，将超高速 TRENCHSTOP 5 IGBT与碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管相结合，在硬开关和软开关拓扑结构中具有完美的性价比。凭借卓越的性能、优化......
意法半导体公布了新系列100V沟槽肖特基整流二极管以提高效率和功率密度(2024-04-02)
关频率变得更高时，用作整流器的传统平面二极管(包括硅肖特基器件)的能量损耗也会随之变大，严重限制了转换能效的改进。
ST的沟槽肖特基二极管可显著降低整流器的能量损耗，正向......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23)
）宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，正向......
安森美的EliteSiC碳化硅系列方案带来领先业界的高能效(2023-01-04)
EliteSiC肖特基二极管。这些新的器件为能源基础设施和工业驱动应用提供可靠、高能效的性能，并突显安森美在工业碳化硅......
安森美的EliteSiC碳化硅系列方案带来领先业界的高能效(2023-01-04 15:25)
V EliteSiC MOSFET和两款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二极管。这些新的器件为能源基础设施和工业驱动应用提供可靠、高能效的性能，并突显安森美在工业碳化硅......
意法半导体公布了新系列100V沟槽肖特基整流二极管以提高效率和功率密度(2024-04-02)
人员开始提高功率转换器的工作频率，不断刷新功率密度。不过，当开关频率变得更高时，用作整流器的传统平面二极管(包括硅肖特基器件)的能量损耗也会随之变大，严重限制了转换能效的改进。
ST的沟槽肖特基二极管......
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务(2024-03-04)
充电器。英飞凌的元件采用 D²PAK 封装，将超高速 TRENCHSTOP 5 IGBT与碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管相结合，在硬开关和软开关拓扑结构中具有完美的性价比。凭借卓越的性能、优化......
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务(2024-03-04 10:27)
/DCDC车载充电器。英飞凌的元件采用 D²PAK 封装，将超高速 TRENCHSTOP 5 IGBT与碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管相结合，在硬开关和软开关拓扑结构中具有完美的性价比。凭借卓越的性能、优化......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求(2024-06-13 09:58)
A碳化硅(SiC)肖特基二极管现已符合汽车标准(PSC1065H-Q)，并采用真双引脚(R2P) DPAK (TO-252-2)封装，适用于电动汽车和其他汽车中的多种应用。此外，为了进一步扩展其SiC......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23)
法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年5月23日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay......
安森美的EliteSiC碳化硅系列方案带来领先业界的高能效(2023-01-04)
周美国拉斯维加斯消费电子展览会(CES)上，将展示 系列的3款新成员：一款1700 V MOSFET和两款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二极管。这些......
大联大友尚集团推出基于ST产品的30kW Vienna PFC 整流器参考设计方案(2024-10-24)
，带512Kbyte闪存STM32G474RET3；
采用HiP247-4封装的650V、18mOhm（典型值）、119A碳化硅功率MOSFET SCT018W65G3-4AG；
1200V、40A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管......
肖特基二极管4大特性，你都知道吗？(2025-01-07 19:59:31)
肖特基二极管4大特性，你都......
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~ 36 伏特 保护用瞬态电压抑制二极管TVS400 ~ 5000瓦特5 ~ 376伏特 场效应管MOSFET0.2瓦特60伏特 小信号开关二极管0.2 ~ 0.5瓦特50 ~ 350伏特 小信号肖特基二极管
、GBU、GBJ、RBV系列；方桥KBPC、SKBPC、BR、DB系列；MB、MBS、HD、DB、DF、板凳桥、贴片桥；全系列贴片二极管；高压肖特基二极管普通肖特基二极管
;金成电子（香港）有限公司;;场效应管 肖特基二极管 快速恢复二极管 三端稳压 三极管等等...
;深圳诚桩电子;;场效应管MOSFET,IGBT,电源驱动IC,快恢复二极管，肖特基二极管，SMD元件！
）优势产品： 品牌 型号 封装 规格 最小包装 备注 统懋（Mospec） S10C40C TO-220 10A/40V 2000PCS 肖特基二极管 统懋（Mospec） S16C40C
;深圳骏鹏科技;;一级代理品牌：日本英达NIEC（整流二极管、快恢复二极管、肖特基二极管）、台湾UTC MOS管、美国桑德斯SMC二极管、韩国HTC LDO、台湾GTM等等。 NIEC产品
;深圳市洲盛电子有限公司;;深圳市洲盛电子有限公司专业 IR（国际整流器公司）、ON（安森美）、Fairchild（仙童）系列：场效应管MOSFET，IGBT，电源驱动IC，快恢复二极管，肖特基二极管
;杭州丽日电子有限公司;;稳压管，开关管，整流二极管，肖特基二极管，瞬变管，桥式整流器，贴片，二三极管
;深圳市嘉美电子有限公司;;主营：TVS瞬态抑制二极管、肖特基二极管、整流二极管、快恢复二极管、稳压二极管等。欢迎前来在线咨询。
;鸿鑫电子;;长期销售拆机电子元器件;电解电容;肖特基二极管;快恢复二极管;整流二极管;场效应管;三极管;安规电容;15089115399