Microsemi为NPT IGBT产品系列增添多款新器件
Microsemi宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through, NPT) IGBT系列增添十多款全新器件,包括25A、50A和70A额定电流型款。
美高森美的NPT IGBT产品系列设计用于需要大功率和高性能广大范围的工业应用,最新的器件非常适合电焊机、太阳能逆变器,以及不间断电源和开关电源。1200V产品系列中的所有器件均以美高森美的先进Power MOS 8™技术为基础,与竞争解决方案相比,总体开关和导通损耗显著降低20%或更多。
美高森美新的NPT IGBT解决方案与该产品系列中的所有器件相一致,可以与美高森美的FRED或碳化硅肖特基二极管组合封装,为工程师提供高集成度解决方案,以便简化产品开发工作。其它特性包括:
· 与同类器件相比,栅极电荷显著减少,具有更快的开关性能;
· 硬开关运作频率超过80KHz,实现高效的功率转换;
· 易于并联(Vcesat的正温度系数),提升大功率应用的可靠性
·额定短路耐受时间(Short Circuit Withstand Time Rated, SCWT),在需要短路能力的应用中实现可靠运作
除了器件优势之外,美高森美为NPT IGBT器件提供贴片 D3封装,可让设计人员实现更高的功率密度和更低的制造成本。
封装和供货
美高森美的1200V NPT IGBT产品系列现在包括20多款器件,额定电流有25A、40A、50A、70A和85A,IGBT产品采用D3、TO-247、T-MAX、TO-264和SOT-227封装供货。
相关文章
- Littelfuse推出高浪涌额定值SMD瞬态抑制二极管
- 全新Littelfuse高浪涌额定值SMD瞬态抑制二极管,比其他表面安装解决方案小50%
- 智能暖通空调系统的设计可靠性和效率如何实现?
- 瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET
- 瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET
- 瑞萨电子推出新型栅极驱动IC
- 瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET
- 瑞萨推出栅极驱动IC,用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET
- 如何测量功率回路中的杂散电感
- 瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET