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整个产品的寿命。 IGBT的诞生 IGBT诞生了，如前面所讲，IGBT是由MOS管和三极管结合组成的，既然要结合，那么肯定要继承两者的优良基因。所以IGBT相较于三极管和MOS管的特点就是高耐压......
化前的电驱动系统安装在台架上； 　　3）母线电压为350 V，转速为1 910 rpm（转折转速），逐渐提高输出转矩，找到断开动力电池继电器时IGBT尖峰电压值小于IGBT最大耐压值的90%（585 V......
IGBT模块的门极驱动器 适合额定耐压1200V和1700V应用的通用型可扩展门极驱动器 美国加利福尼亚州圣何塞，2023年12月12日讯 – 深耕......
PI推出具有快速短路保护功能且适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器; 【导读】PI近日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化......
表示处理各功率晶体管的功率与频率范围。可以看出，Si-MOSFET在这个比较中，导通电阻与耐压略逊于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率条件下，高速工作表现更佳。 平面MOSFET与 Si......
感和电阻，以优化开关性能和减少损耗。针对这些挑战和需求，安森美即将推出下一代更小尺寸的1200V模块，内部集成最新的FS7 IGBT，解决上述挑战，实现更优化的性能，面积缩小了36%，并且还提高了绝缘耐压......
率要求越来越高，使用IGBT作为功率器件的ASPM面临一定的局限性。相同耐压规格的SiC器件本身耐压远高于IGBT，且其开关损耗远低于IGBT器件，可以适应更高转速，更高效率的要求。下一章我们会探讨SiC单管在汽车电动压缩机上的应用。 ......
Power Integrations推出具有快速短路保护功能且适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器;适合额定耐压1200V和1700V应用......
Power Integrations推出具有快速短路保护功能且适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器;适合额定耐压1200V和1700V应用......
自己的需求择优选取。 ②根据体积、结构是否易于并联、维护成本及结构设计的压力等要求决定采用那一种封装形式。 ③计算所选IGBT的电流等级、电压等级，该步骤同时也影响了吸收电路的形式选择及结构设计的特点。 关于逆变元件耐压......
MHz 之间；缺点是耐压低，在高电压、大电流应用中损耗非常大，因而限制了其应用。IGBT 的优点是导通压降小、耐压高，输出功率可到 100 kW 以上；缺点是开关频率较低，一般为 20 kHz 以下......
通过驱动电阻的合理选配达到IGBT两端电压在关断时不超过其耐压，使其处于安全工作区。 （2）在母线电压过高时，通过杂散电感叠加到IGBT两端的电压可能会达到很高水平，作为电压敏感型器件，超过Vce耐压会使其损坏。有源......
却存在开关损耗大 的问题，其结果是由此产生的发热会限制IGBT的高频驱动。 SiC材料却能够以高频器件结构的多数载流子器件（肖特基势垒二极管和MOSFET）去实现高耐压，从而同时实现 “高耐压”、“低导通电阻”、“高频......
造成功率MOSFET具有 RDS(on) 数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。 虽然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了 RDS(on) 特性，但是在高耐压的器件上，功率......
入的三相IGBT的耐压是1200伏，经常要求在800伏以内工作。考虑到如果电压上升，会有一个惯性问题，就是如果你让制动电阻马上工作，总线电压不会很快下降，所以很多VFD都是......
隔离二极管 如下图： 二极管的基本特性就是单向导通，下图中改进的模块驱动保护电路中二极管D5、D3就是起反向隔离的作用，D5和IGBT的C极相连用于VCE保护，耐压是1000V，防止......
天我们来一起看看门极正电压对器件的影响。文章将会从导通损耗，开关损耗和短路性能来分别讨论。 对导通损耗的影响 无论是MOSFET还是IGBT，都是受门极控制的器件。在相同电流的条件下，一般门极电压用得越高，导通损耗越小。因为......
=743V 　　由此可见，U远大于IGBT模块的耐压等级，产生的反电动势会烧毁IGBT模块。 　　综上，车速过高强行挂入1档存在烧毁电机控制器IGBT模块的风险，其他......
出符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101*1、1200V耐压、实现了业界超低损耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。 此次发售的产品包括4款分立封装的产品（TO-247-4L和TO-247N各......
需要串联和并联。 3. IEGT（ InjecTIon Enhanced Gate Transistor） 电子注入增强栅晶体管 IEGT 是耐压达 4 kV 以上的 IGBT 系列电力电子器件，通过......
的小型化。作为硅器件解决方案，也可以使用具有高速开关的罗姆SJ-MOSFET“R65xKN系列”以及IGBT“RGW系列”。 Vienna......
即插即用型驱动板可优化市面主流的双通道100mmx140mm IGBT模块，如Mitsubishi™ LV100和Infineon™ XHP 2，以及耐压在2300V以内的碳化硅(SiC)衍生模块。它们......
超致半导体获得华虹战略投资入股 推出全球首款超结IGBT产品;近日，超致半导体获得华虹集团和华虹半导体旗下的产业基金的战略投资入股。 此前2021年12月，超致半导体完成数千万元A轮融资，由聚......
市面上大部分IGBT都会在数据手册中标出短路能力，大部分在5~10us之间，例如英飞凌IGBT3/4的短路时间是10us，IGBT7短路时间是8us。 而 大 部 分 的 SiC 都 没 有 标 出 短 路......
-100kHz）来维持所需的纹波电流。然而，对于50kHz以上的调制频率使用绝缘栅双极晶体管（IGBT）无法满足这些需求，如果是380V系统，硅耐压又不够，这就为宽禁带器件开创了新的机会。本文......
的电压驱动式的半导体功率元件，具高输入阻抗、高耐压、低导通压降的优点。 随着新能源车兴起，对高电压需求大增，IGBT成为产业发展焦点，一辆电动车使用的IGBT数量高达上百颗，是传......
PI 推出的SCALE-iFlex LT NTC系列IGBT/SiC模块门极驱动器; 【导读】PI新推出的SCALE-iFlex LT NTC系列IGBT/SiC模块......
的新能源汽车销量有望达到200万台。 第二个趋势是采用高压碳化硅功率器件，其优势在于，第三代半导体器件具有高耐压、低导通损耗、小尺寸等优点，有助于提升效率，还可以优化电驱动重量，提升10%-15%的续航里程。 在新......
 隔离耐压。超高的CMTI、极低的传输延时、灵活的死区配置使得SLMi823x非常适合MOSFET/IGBT、SiC和GaN场效应管的隔离驱动。 兼容光耦带DESAT保护功能的IGBT/SiC......
图 所示是FSBB30CH60交流变频模块引脚排序及内部结构。该模块额定电流15A、耐压600V。其特点如下：a.上臂IGBT：驱动电路、自举电路、欠压保护;b.下臂IGBT：驱动电路、短路保护、欠压......
会造成IGBT器件因个别原胞过流损坏而损坏。 4，提高断态耐压水平，以满足应用需要。 具体到每一代的产品发展上。 第一代、第二代早期产品曾采用过“辐照”手段，但却有增加通态压降(会增加通态功耗)的反......
驱动用的“BD28C55FJ-LB”、中高耐压MOSFET驱动用的“BD28C54FJ-LB”、IGBT驱动用的“BD28C57LFJ-LB”以及SiC MOSFET驱动用的“BD28C57HFJ......
意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能;面向空调、家电和工厂自动化等工业电机驱动装置和充电站、储能系统、电源......
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET;全新栅极驱动IC支持1200V功率器件，隔离电压为3.75kVrms 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子 今日......
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET;全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM......
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC;瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET 全新栅极驱动IC支持1200V功率器件，隔离电压为3.75kVrms 2023......
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET;全新栅极驱动IC支持1200V功率器件，隔离电压为3.75kVrms 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子 今日......
门极驱动器。新款门极驱动器适配于流行的100mmx140mm IGBT半桥模块，例如Mitsubishi LV100 和 Infineon XHP 2，以及耐压在2300V以内的碳化硅(SiC)衍生......
板上会生成其他所需的隔离输出电压。 门极驱动器产品系列具有1200V的额定耐压，适用于400V和800V系统，同时支持碳化硅(SiC) MOSFET和基于硅的IGBT开关。其设计符合5500米海拔要求，并且......
则是首度明确说明投资战略。 瑞萨目前采取的生产策略是先进逻辑芯片等产品委外由晶圆代工厂生产，而易于采用自家技术的功率半导体则靠自家工厂生产。而除了SiC外，瑞萨也将对现行电动车采用的硅制IGBT等功......
Power Integrations推出适用于1.2kV至2.3kV“新型双通道” IGBT模块的单板即插即用型门极驱动器;Power Integrations推出适用于1.2kV至2.3kV......
HEMT GNE10xxTB针对工业和通信设备中的电源电路进行了优化，具有最高（8V）栅极耐压技术。罗姆将在本次展会上展示IGBT和GaN产品组合的增强功能。 此外，罗姆......
IGBT/SiC模块门极驱动器。新款门极驱动器适配于流行的100mmx140mm IGBT半桥模块，例如Mitsubishi LV100 和 Infineon XHP 2，以及耐压在2300V以内......
IGBT/SiC模块门极驱动器。新款门极驱动器适配于流行的100mmx140mm IGBT半桥模块，例如Mitsubishi LV100 和 Infineon XHP 2，以及耐压在2300V以内......
瑞萨推出栅极驱动IC，用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET; 【导读】2023 年 1 月 30日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日......
栅场截止型IGBT、SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模块IPM、功率IC的设计和研发。 展品1 展品名称：SJ MOSFET 展品类别：功率器件 展品特点：SJ  MOSFET......
即关闭被监控的功率半导体并传输故障信号。 在短路情况下，通过闸门夹紧功能还能防止栅极电压增加，以减少短路电流对功率半导体的影响。 支持2300V隔离 该模块可以支持1700伏至2300伏的绝缘耐压IGBT模块，并提......
适用于工业设备的AC-DC电源。目前已有支持各种功率晶体管的4款新产品投入量产，包括低耐压MOSFET驱动用的“BD28C55FJ-LB”、中高耐压MOSFET驱动用的“BD28C54FJ-LB......
率半导体趋势明确：  SiC基功率半导体相比Si基具备更高耐压等级和开关损耗，以Si-IGBT为例，450V下其耐压为650V，若汽车电气架构升级至800V，考虑开关电压开关过载等因素，对应功率半导体耐压......
半导体展出了包括碳化硅器件组合，Si-MOSFET, 可控硅与功率二极管，IGBT 等功率分立器件，以及各类型功率模块如双极性功率模块，碳化硅模块，IGBT模块。丰富的产品系列能覆盖光伏储能，工业......

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