资讯
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为晶体管。
MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路，由管......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管(2023-02-28)
采用了氧气氛围退火和氮（N）离子注入工艺制备了器件的电流阻挡层，并配合栅槽刻蚀工艺研制出了不需P型掺杂技术的氧化镓垂直沟槽场效应晶体管结构。
图1(a)氧化镓垂直槽栅场效应晶体管结构示意图；(b......
LG成功生产关键OLED材料 以减少对进口依赖(2023-10-09)
LG成功生产关键OLED材料 以减少对进口依赖;
【导读】LG显示（LG Display）和LG化学（LG Chem）10月9日宣布联合成功生产p型掺杂剂，这是生产有机发光二极管（OLED......
华为的“钻石芯片“专利，是什么？(2023-11-21)
芯片的金刚石需要在电子级以上。
第二，金刚石芯片掺杂存在瓶颈。纯净的金刚石本身是一种绝缘体，只有掺杂才能变成半导体。目前，金刚石芯片p型掺杂较为成熟，主要以硼（B）掺杂为主，而n型掺杂则是产业化的难题，n型掺杂......
机构：LG化学将超越美国杜邦，位居OLED材料市场第二名(2024-08-02)
Display（LG显示）经过十年的联合研究，成功开发出p型掺杂剂（p Dopant），取得了里程碑式的进展。在此之前，p型掺杂剂完全依赖进口。这种关键材料的引入有望推动LG化学在OLED市场......
中科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展(2022-05-27)
上述难点问题，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组分别进行了研究，并在氧化镓功率电子器件领域取得了重要进展。
01高耐压氧化镓二极管
目前，由于氧化镓P型掺杂仍然存在挑战，氧化......
最新议程！| 2021碳基半导体材料与器件产业发展论坛(2021-04-13)
：金刚石半导体与器件
参考话题：（不局限于如下话题）
1、金刚石半导体对大单晶材料的要求
2、P型掺杂与N型掺杂
3、超宽禁带半导体金刚石器件研究
4、碳基芯片、散热器件、3D封装
5、微纳......
高压SiC MOSFET研究现状与展望(2023-02-06)
区的流动范围以降低导通电阻，是 JFET 区掺杂结构设计的核心目标。JFET 区掺杂主要存在 2 种实现方式：1）JFET 区注入，即在 P-well 区颈部进行大于外延层浓度的 N 型掺杂......
中科院在半导体所硅基外延量子点激光器研究取得进展(2023-06-26)
上研制高性能硅基外延激光器需要解决一系列关键的科学与技术难点。
近期，中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室杨涛与杨晓光研究团队，在硅基外延量子点激光器及其掺杂调控方面取得重要进展。该团队采用分子束外延技术，在缓冲层总厚度2700nm条件下，将硅基GaAs......
TechInsights对于“碳化硅JFETs原子探针层析成像”的探讨(2022-12-07)
TechInsights对于“碳化硅JFETs原子探针层析成像”的探讨;去年，通过一系列博客展示了电气特性的力量，对于揭示碳化硅器件规格书远远不能提供的碳化硅器件特性。本文引用地址：分析半导体掺杂......
TechInsights对于“碳化硅JFETs原子探针层析成像”的探讨(2022-12-07)
揭示器件规格书远远不能提供的器件特性。
分析半导体掺杂的技术多种多样，例如：
· 扫描式电容显微镜(SCM )，我们经常将它包含在我们的功耗报告中，这为我们提供了大面积的相对掺杂物分析。
· 扫描式电阻测定(SRP......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
PN结说起
PN结是半导体的基础，掺杂是半导体的灵魂，先明确几点：
1、P型和N型半导体：本征半导体掺杂三价元素，根据......
TechInsights对于“碳化硅JFETs原子探针层析成像”的探讨(2022-12-07)
1400℃退火时电激活率小于10%，需要1600℃退火才能接近100%激活。
与p-type掺杂比例相关的挑战和相关问题，例如来自注入的寿命致命缺陷和来自高温退火的晶格畸变，这就是我们至今仍未见到商业上可用的双极型功率半导体......
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争(2023-01-09)
由于功率集成的重要性日益突出，横向肖特基二极管也应受到关注。
对于p型掺杂，氧化物半导体通常很难同时实现实用的P型和N型，例如氧化镍通常是P型的，而氧化镓里P型则很难实现。因此可以考虑发展异质PN结来......
灵感源于大自然的光合作用，掺杂空气可让有机半导体更导电(2024-05-20)
可用于数字显示器、太阳能电池、LED、传感器、植入物和能量存储等领域。为了提高导电性和改善半导体性能，人们通常会引入掺杂剂。这些掺杂剂可促进半导体材料内电荷移动，并且可以定制以诱导正电荷（p掺杂）或负电荷（n......
中国科学家在半导体领域获突破(2024-06-11)
科学院大学教授周武课题组与山西大学教授韩拯课题组、辽宁材料实验室副研究员王汉文课题组、中山大学教授侯仰龙课题组、中国科学院金属研究所研究员李秀艳课题组等合作，提出了一种全新的基于界面耦合的p型掺杂二维半导体方法。
该方......
刷新行业记录：润阳N型组件功率624.9W 组件效率24.2%(2024-09-25 14:08)
组件封装材料的光学性质，优化电池绒面结构和减反膜层，进一步提升光学吸收；经过高效电池实验室测试分析，制备出新型掺杂的背面超薄poly层，提升长波段光学响应。通过模拟、表征复合损失，设计出低表面掺杂浓度的硼扩散工艺、匹配......
基于昆明物理研究所的Au掺杂碲镉汞长波探测器探究(2023-03-17)
理后碲镉汞外延材料载流子浓度基本可控制在1.0×10¹⁶~4.0×10¹⁶cm⁻³之间，实现了稳定性较好的Au掺杂碲镉汞长波材料的制备。
Au掺杂n-on-p型碲镉汞长波探测器的暗电流
器件暗电流是反映探测器本质的特征参数，暗电......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-25 09:55)
来源：东京都立大学
在使用从二硒化钨生长出来的二硫化钼证明了他们技术的稳健性之后，他们把注意力转向了铌掺杂的二硫化钼，一种p型半导体。通过生长出未掺杂的二硫化钼（一种n型半导体）的多层结构，研究......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-23)
。资料来源：东京都立大学
在使用从二硒化钨生长出来的二硫化钼证明了他们技术的稳健性之后，他们把注意力转向了铌掺杂的二硫化钼，一种p型半导体。通过生长出未掺杂的二硫化钼（一种n型半导体）的多......
宽带隙技术发展现状 不断演变的宽带隙半导体技术(2023-10-10)
)
表 1：WBG技术的主要规范（来源：作者）
BN是一种出色的WBG半导体材料，主要用于光电子和发光应用研究。BN具有间接带隙，允许p型和n型掺杂，并具......
半导体器件击穿机理分析及设计注意事项(2023-09-25)
需要更强的电场。
b）隧道效应
隧道效应又称为齐纳击穿、隧道穿通，（一般发生在击穿电压VB<4V时，）其原理如下：
图[9] P+N+结电压反偏示意图
将两块重掺杂的P+、N+半导体材料结合在一起，由于......
最高涨幅6.67%！硅片价格全线上涨(2023-08-25 14:43)
体硅片供应量维持原有预期58-60GW。值得关注的是，近期由于N型电池产能集中释放，拉晶企业提升N型硅片出货比例。简单来说，P型和N型工艺上的区别体现在拉晶环节掺杂元素不同，因此在短期产能切换过程中，容易造成P......
国产5nm碳纳米管研究新突破，摩尔定律有救了(2017-01-21)
节点实现突破
近年来，该课题组通过优化器件结构和制备工艺，首次实现了栅长为10纳米的碳纳米管顶栅CMOS场效应晶体管（对应于5纳米技术节点），p型和n型器件的亚阈值摆幅（subthreshold swing......
IBM展示了首个针对液氮冷却进行优化的先进CMOS晶体管(2023-12-22)
体管对组成，分别掺杂有电子供体和电子受体。研究人员通过在每个晶体管上添加不同的金属杂质，使其在n型和p型晶体管的界面处形成偶极子。这种添加降低了在带边缘移动电子所需的能量，使晶体管更加高效。......
IBM展示了首个针对液氮冷却进行优化的先进CMOS晶体管(2023-12-22 15:59)
由n型和p型晶体管对组成，分别掺杂有电子供体和电子受体。研究人员通过在每个晶体管上添加不同的金属杂质，使其在n型和p型晶体管的界面处形成偶极子。这种添加降低了在带边缘移动电子所需的能量，使晶体管更加高效。......
干货 | 图解二极管单向导通的原因(2024-10-28 19:03:53)
意图
在 P 型和 N 型半导体的交界面附近，由于 N 区的自由电子浓度大，于是带负电荷的自由电子会由 N 区向电子浓度低的 P 区扩散；扩散的结果使 PN 结中靠 P 区一侧带负电，靠 N......
氧化镓半导体器件，中国再获重要进展(2022-12-14)
氧化镓半导体器件，中国再获重要进展;高功率氧化镓肖特基二极管
如何开发出有效的边缘终端结构，缓解肖特基电极边缘电场是目前氧化镓肖特基二极管研究的热点。由于氧化镓P型掺杂目前尚未解决，PN结相......
刷新行业记录：润阳N型组件功率624.9W 组件效率24.2%(2024-09-25)
电池绒面结构和减反膜层，进一步提升光学吸收；经过高效电池实验室测试分析，制备出新型掺杂的背面超薄poly层，提升长波段光学响应。通过模拟、表征复合损失，设计出低表面掺杂浓度的硼扩散工艺、匹配......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
上生成一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极（漏极D、源极S）；在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G；P型半导体称为衬底，用符号B表示。由于......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-01-31)
们怀疑超结结构原理能在栅极沟槽下方的区域起作用。毕竟挤压在两个P柱之间的狭窄的n掺杂区会显著增加器件的JFET电阻。但我们怀疑该区域中的n型掺杂区将高于漂移区，利用超结结构的电荷平衡原理（下次讲解）在不破坏电场阻断能力的情况下增加掺杂......
碳化硅功率器件的基本原理及优势(2024-04-30)
MOSFET中，碳化硅材料分为N型和P型两种，通过掺杂可以得到不同的电导率类型。MOSFET中的栅极是用金属制成的，而源极和漏极是用N型或P型碳化硅材料制成的。当在栅极上加上正电压时，MOSFET中形......
基础知识之IGBT(2024-03-22)
（半导体氧化物）- Semiconductor（半导体）的三层结构的Field-Effect Transistor（场效应晶体管）。
BIPOLAR 是指使用了双极性元件，将称为p型和n型的两种半导体......
中国科大在氧化镓半导体器件领域取得重要进展(2022-12-13)
表论文。
1.高功率氧化镓肖特基二极管
如何开发出有效的边缘终端结构，缓解肖特基电极边缘电场是目前氧化镓肖特基二极管研究的热点。由于氧化镓P型掺杂目前尚未解决，PN结相......
中国科大在氧化镓半导体器件领域取得重要进展(2022-12-13)
是中国科大首次以第一作者单位在 IEEE IEDM 上发表论文。本文引用地址：高功率氧化镓
如何开发出有效的边缘终端结构，缓解肖特基电极边缘电场是目前氧化镓研究的热点。由于氧化镓 P 型掺杂目前尚未解决，PN 结相......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-01-31)
提出了一种1700 V碳化硅超结器件。
罗姆的器件不是超结结构器件，它们的p型内衬沟槽只占我们提出的器件的一小部分，但我们怀疑超结结构原理能在栅极沟槽下方的区域起作用。毕竟挤压在两个P柱之间的狭窄的n掺杂......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-02-01)
的器件不是超结结构器件，它们的p型内衬沟槽只占我们提出的器件的一小部分，但我们怀疑超结结构原理能在栅极沟槽下方的区域起作用。毕竟挤压在两个P柱之间的狭窄的n掺杂区会显著增加器件的JFET电阻。但我们怀疑该区域中的n......
第四代半导体氧化镓蓄势待发！(2024-08-26)
应用领域的高压耐受性能。
本次研究利用磷离子布植和快速热退火技术实现了第四代半导体P型氧化镓的制造，并在其上重新生长N型和 N+型Ga2O3，形成了PN Ga2O3 二极体，结果展示出优异的电性表现，这一......
讲透三极管(2024-06-13)
暗电流)，此时相当于光敏二极管截止；
当有光照射时，PN结附近受光子的轰击，半导体内被束缚的价电子吸收光子能量而被击发产生电子—空穴对，这些载流子的数目，对于多数载流子影响不大，但对P区和N区的......
半导体制造工艺——挑战与机遇(2024-01-12)
技术的进步是得益于新的介质材料的出现。传统上，硼和磷是最常用的掺质材料，因为它们可以分别产生p型和n型半导体。然而，近年来，锗、砷和锑等新材料已被开发出来，可用于制造更复杂的电子元件。掺质......
晶圆代工/DRAM厂商营收排名；国内再添2个百亿级项目(2024-06-17)
科学院大学教授周武课题组与山西大学教授韩拯课题组、辽宁材料实验室副研究员王汉文课题组、中山大学教授侯仰龙课题组、中国科学院金属研究所研究员李秀艳课题组等合作，提出了一种全新的基于界面耦合的p型掺杂二维半导体方法。
该方......
汽车级大功率IGBT现状及未来趋势研究 (2024-07-14)
晶体管不会导通。这种设计可以通过局部提升 P 区的掺杂浓度或者选用更窄的 N + 区来改进，前者可以通过降低欧姆电阻阻值来降低晶体管基极和发射极的电压。
闭锁可以发生在静态开通状态（IGBT 已导通）和动......
自动驾驶激光雷达(2024-04-14)
，所以要介绍清楚，不得不从半导体最基础的PN结说起。P型半导体是通过在纯净半导体（不含杂质且无晶格缺陷的半导体）中掺杂特定杂质，让空穴（相当于带正电的粒子）数量增多。N型半导体......
新能源汽车解析丨什么是IGBT？结构与拆解(2023-10-08)
芯片图如果在200um的芯片上做一个垂直切割，可以得到如图8所示的内部结构，它是由不同掺杂的P型或N型半导体组合而成。图 8 是众所周知的 IGBT 等效电路，通常将其理解为 MOS 控制的 PNP......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
为了让电场分布更加均匀，他们都使用了场板的设计。不同之处在于氮化镓是化合物半导体外延，通过异质结形成高电子迁移率的二维电子气沟道（2DEG）。而硅LDMOS是在硅外延层上进行掺杂形成P-N结。
2、氮化......
HV SJ MOSFET工作在第三象限时电流路径探究(2023-03-06)
的工程师朋友们肯定想知道：在微观世界下，是什么之间的相互作用，导致了上述的结果呢？我们在这里抛砖引玉，尝试性的扒开微观世界的面纱，一瞥其神秘风采：
1.当Vgs=0时， P、N、N+ 掺杂层形成PIN二极管的结构，在外......
7nm后，这个技术将接替FinFET延续摩尔定律(2016-12-12)
CMOS集成电路，其关键技术在于双功率金属闸极，使得n型和p型装置的临界电压得以相等，且针对7纳米以下技术候选人，IMEC看好环绕式闸极纳米线电晶体(GAA NWFET)会雀屏中选。
比利时微电子研究中心与全球许多半导体......
延续摩尔定律，新型半导体研发实现新突破(2022-06-07)
-level pinning）现象下，传统二维半导体器件很难实现互补逻辑电路的难题（仅表现N型或P型器件的特性）。利用这种新的电极材料，单个器件可以同时实现N型和P型器件的功能，从而形成一种高性能、低功......
强强联手！碳化硅又一大合作(2021-11-10)
研究所合作，共同创建了碳化硅研究所。可提供 n-型 和 p-型 掺杂外延材料、制作肖特基二极管、JFETs、BJTs、MOSFETs，GTOs 和 IGBTs等产品。
2021年12月7日（星期......
具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的介绍(2022-12-09)
具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的介绍;
随着半导体行业的最新进展，对具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) 的研究正在兴起。在 SB MOSFET
中，源极......
相关企业
;晶科北方科技有限公司;;深圳市晶科北方科技有限公司是一家专业销售半导体元器件的贸易公司。主营台湾华瑞cet的MOS管(单管；双管；P、N沟道)及台湾富晶的保护ic.低廉的价格＋上乘的品质＋热情
;深圳市雅森电子有限公司;;深圳森觅得半导体公司主要代理销售MOS管，代理台湾南海半导体股份有限公司的产品。 1.主要有锂电池保护板用的封SSM9926（SOP-8装2N）///SSG5N20V
;夏圣按;;本公司是依托学校的研究性企业，出售微米级任何粒径和性能要求的尼龙(系列)粉，可按厂家要求改性。 出售可用于电子产品只有立方晶型和四方晶型的钇掺杂的纳米氧化锆.
器等电子系列产品上。 MOS管系列包含： （CES2301,CES2312,CES2321,CEM9926,CEM9435,CEM4953 ,CEM8958,单N沟道，单P沟道，双N沟道，N+P沟道）等。
;深圳市�P��伟业��子展�N��;;
-4000电动起子、CLT-50电源、马牌剪钳MN-A05斜口钳PL-725、PL-726水口钳T-316S、T-346S尖咀钳N-205S、N-206S斜咀钳P-106、P-107、P-108平咀钳
-4000电动起子、CLT-50电源、马牌剪钳MN-A05斜口钳PL-725、PL-726水口钳T-316S、T-346S尖咀钳N-205S、N-206S斜咀钳P-106、P-107、P-108平咀钳
;江白电子有限公司;;我公司成立于2002年，主要经营半导体单晶硅的开发、研制、加工、研磨、抛光、扩散等业务。产品质量有保证。现公司有大量半导体单晶硅扩散片，电阻率15---60之间，厚度在260
传感器:FSN04-N,FSND04-N,FSD04-N,SN04-N,SN04-P,SN04-N2,FSN05-N,FSKO5-N,FSN10-N,FSN20-N,FSC0802-N,FSC0801
;深圳南亿微电子;;深圳市南亿半导体有限公司是一家代理、分销国内外世界各大品牌电子元器件专业销售公司。销售的产品有Power MOSFET（MOS管）、高频管、二三极管、LDO、DC-DC等。销售