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，也曾经通过量子约束或化学功能化来改变带隙。但在这项成果发布前，都未能成功制造出可行的半导体石墨烯，要么操作难度太大， 要么太小了（比如，100meV左右），这对电子工程应用来说还是太小了。 关于石墨烯半导体带隙......
上海微系统所在Nature Electronics报道新型碳基二维半导体材料基本物性研究重大进展;以石墨烯为代表的碳基二维材料自发现以来受到了广泛关注。然而，石墨烯的零带隙半导体......
确召回曲线下面积和96.9%的最高准确率。 此外，自动表征工具显著加快了表征过程，计算200个样品的带隙仅需6分钟，检测降解仅需20分钟，而传统方法分别需要510分钟和数小时或数天。 应用 该工具在半导体......
三星电子第二季营业利润同比增53.4% 半导体带动业绩增长;新浪科技讯 北京时间7月7日上午消息，据韩联社，三星电子7日发布业绩报告，初步核实公司2021年第二季度营业利润为12.5万亿韩元（约合......
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用;碳化硅 (SiC) 是一种由硅 (Si) 和碳 (C) 组成的半导体化合物，属于宽带隙 (WBG) 材料系列。它的物理结合力非常强，使半导体......
ADR01等产品 『共模半导体』推出40V，3ppm/℃低噪声、高精度基准电压GM7400，GM7400是一款精密基准电压源，该器件兼具稳健的工作特性和极低的漂移与低噪声。利用先进的曲率补偿，该带隙......
据材质颜色随时间的变化来评估材质的稳定性。 该团队应用这两种新算法对大约70个印刷半导体样品的带隙和稳定性进行了表征。这些样品含有不同成分比例的钙钛矿。运用一种算法， 整个带隙提取过程约需6分钟。另一......
2亿美元，安世半导体德国基地扩产;6月27日，半导体制造商Nexperia（安世半导体）宣布，计划投资2亿美元（约合人民币14.5亿元）开发碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等下一代宽带隙半导体......
调了可靠性测试社区需要适应和发展以应对WBG半导体带来的挑战。通过开发新的测试方法并理解SiC和GaN器件的独特失效机制，行业可以确保这些关键组件的长期可靠性。 结语 Lieser的见......
共模半导体推出40V，3ppm／℃低噪声、高精度基准电压GM7400，可替代ADI的ADR01等产品;『共模半导体』推出40V，3ppm/℃低噪声、高精度基准电压GM7400，GM7400是一......
械臂、飞行器等多个工业领域。其应用的范围也在不断地普及和深化，是一种应用 前景非常广泛、非常具有价值的材料。 第三代半导体材料禁带宽度远大于前两代。第一代和第二代半导体都是窄带隙 半导体，而从第三代半导体......
发一种光隔离的功率集成构建模块，该构建模块将增强对电力电子转换器的控制，从而实现更高效、更可靠的电网。 （(奖励金额：306万美元） 佐治亚理工学院（佐治亚州亚特兰大）将利用宽带隙 III 族氮化物材料开发一种新型半导体......
的 WBG（宽带隙）器件已经推出，并达到了批量生产的程度。这些器件提供了更高的工作电压范围、更快的开关时间和更高的效率。 半导体的带隙......
是在高功率应用中。这些应用中的一个相关因素是半导体提供的带隙或能隙。当带隙高时，使用的电子设备可以更小、工作更快、更可靠。它还可以在比其他半导体更高的温度、电压和频率下工作。虽然硅的带隙约为 1.12eV，但......
的泄漏电流、更低的导通电阻以及更高的工作温度。结果是提高了运行效率，降低了能耗，有助于遵守法规和认证要求，以及符合当前的 JEDEC JC-70 宽带隙电力电子转换半导体标准。为了确保合规性，需要对这些先进的半导体......
的频率响应、更小的泄漏电流、更低的导通电阻以及更高的工作温度。结果是提高了运行效率，降低了能耗，有助于遵守法规和认证要求，以及符合当前的 JEDEC JC-70 宽带隙电力电子转换半导体标准。为了......
宽带隙技术发展现状 不断演变的宽带隙半导体技术; 简介 几乎所有采用电气控制、通信、电力、驱动和传感的技术系统都已实现了电气化以及电气连接。从20世纪50年代开始，硅(Si) 一直......
极性器件的优势较大（实现了开关权衡），宽带隙半导体也是一种可以尽量减少不利影响的替代性技术解决方案。图1重点介绍了宽价带的优势（粒子不能占据这个带区）。“宽带隙”材料的主要优点在于，在阻断模式下可成为较好的隔离器（更接......
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性; 电力电子新技术的发展已将工业市场引向其他资源以优化能源效率。硅和锗是当今用于生产半导体的两种主要材料。损耗和开关速度方面的有限发展已将技术引向新的宽带隙......
的频率响应、更小的泄漏电流、更低的导通电阻以及更高的工作温度。结果是提高了运行效率，降低了能耗，有助于遵守法规和认证要求，以及符合当前的 JEDEC JC-70 宽带隙电力电子转换半导体标准。为了......
的频率响应、更小的泄漏电流、更低的导通电阻以及更高的工作温度。结果是提高了运行效率，降低了能耗，有助于遵守法规和认证要求，以及符合当前的 JEDEC JC-70 宽带隙电力电子转换半导体标准。为了......
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用; 一、前言 (SiC) 是一种由硅 (Si) 和碳 (C) 组成的半导体化合物，属于宽带隙 (WBG) 材料系列。它的物理结合力非常强，使半导体......
工厂研发和生产GaN芯片。该资金是2022年综合拨款法案的一部分。 这些芯片被用于智能手机、射频无线基础设施、电动汽车、电网等领域。格芯称，电动汽车的普及、电网升级改造以及5G、6G智能手机上更快的数据传输给下一代半导体带......
都向美光示好，原本预期美光购买新厂房，是为了扩建HBM后段封装产能规模，如今看来，恐怕各国竞争仍持续进行，将争抢AI为半导体带来的巨大商机。 免责声明：本文为转载文章，转载......
功率逆变器应用采用宽带隙半导体器件时，栅极电阻选型注意事项;本文为大家介绍氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势，以及如何权衡利弊。主要......
。 据悉，石墨烯是由已知最强的键连接在一起的单片碳原子。半导体是在特定条件下导电的材料，是电子设备的基本组件。石墨烯电子学中长期存在的问题是石墨烯没有合适的带隙，并且......
科索（COSEL）推出新一代工业用超紧凑高效率电源; 【导读】COSEL株式会社今天宣布推出新一代工业用高紧凑电源TE系列。TE系列采用宽带隙氮化镓半导体、高频......
能够拓展非平衡态物理知识的前沿，还将为未来新型、高速器件的开发和应用奠定重要的科学基础。 在材料体系方面，该研究组巧妙地选取黑磷这个具有小带隙、高迁移率的经典半导体材料。通过......
都有不同程度进展。 ·碳化硅领域 2024年4月，Coherent基于CHIPS法案获得1500万美元的资金，用于加速下一代宽带隙和超宽带隙半导体（分别为碳化硅和单晶金刚石）的商业化。 9月26日......
官宣！国内又一老牌晶圆代工大厂即将“回归A股”;2022年3月21日午间，港股公司华虹半导体带来好消息，正式官宣：拟赴科创板上市。受此消息刺激，港股华虹半导体直线拉升，一度大涨接近10%，收涨......
获得了领先的应用技术知识并据此开发出让我们的客户和终端用户更加满意的全新和改进型充电与放电系统。我们期待与英飞凌一起进一步开发基于氮化镓和碳化硅（SiC）的功率解决方案，推动可再生能源和电动汽车的发展。” 由碳化硅和氮化镓制成的宽带隙半导体......
进一步提升晶圆供应链韧性，并表示熊本一厂将为日本半导体带来复兴。 刘德音则是在致词时感谢日本政府大力支持，他提到，日本的帮助对台积电与半导体产业相当重要，也特别感谢社区支持，以及SONY、DENSO等伙......
英飞凌将投资20亿欧元 提高半导体制造能力;2月17日，德国半导体制造商英飞凌宣布，将投资20亿欧元（合计约144亿元人民币）提高在宽带隙（SiC和GaN）半导体领域的制造能力。英飞凌正在加强自身在功率半导体......
应用于高频放大器、激光加工机和机器人等工业设备。它的输入电压全球适用，三相三角形或三相星形网络都适用，输入电压范围为180V到528VAC。该电源使用了最新的能量优化、数字控制拓扑和宽带隙（WBG）半导体器件，可以......
面临的技术挑战 在制造方面，充分发挥宽带隙半导体的潜力面临接二连三的挑战，其中包括提高晶圆良率，降低缺陷率和成本，以及通过严格的测试验证芯片的长期可靠性。设计人员必须仔细评估寄生参数和热特性，同时......
项重要步骤就是采用SiC开关。 崩溃场强度超出10倍碳化硅多项特性胜出 为了了解硅和碳化硅解决方案之间的差异，必须明确指出：碳化硅装置属于所谓的宽带隙半导体。硅与SiC材料......
SiC 已经为新型电力电子产品铺平了道路阶段。带隙、击穿场、热导率、电子迁移率和电子漂移速度等特性是工程师可以从使用 GaN 和 SiC 等 WBG 半导体中获得的主要优势。基于WBG 半导体......
(on))分别为75mΩ和49mΩ。据悉，SGT120R65AL和SGT65R65AL现已上市，采用PowerFLAT 5x6 HV封装。 意法半导体的G-HEMT器件将加速功率转换系统向GaN宽带隙......
高科最早将于明年利用其生产基地闲置场地部署8英寸碳化硅功率半导体制造设备，相关负责人表示，该公司看好碳化硅前景，将通过外包等手段解决相关设备的供应问题。 与传统硅基功率半导体相比，碳化硅由于宽带隙、耐高温等特性，在功率半导体......
. ）（6905: 东京）今天宣布推出新一代工业用高紧凑电源TE系列。TE系列采用宽带隙氮化镓半导体、高频平面变压器和增强型反激拓扑等先进技术，包括45W（TECS/TEPS45F）和65W（TECS......
宣布推出新一代工业用高紧凑电源TE系列。TE系列采用宽带隙氮化镓半导体、高频平面变压器和增强型反激拓扑等先进技术，包括45W（TECS/TEPS45F）和65W（TECS/TEPS65F），安装......
告还预测，2023年全球将销售1,400万辆电动汽车，销量同比增长35%。不仅电动汽车的销量在迅猛增长，而且每辆汽车所消耗的芯片数量也在激增，例如福特野马Mach-E使用了近3,000颗芯片，这说明汽车市场给全球半导体带......
event)，揭示工业运动传感的未来发展趋势。在发布会上，意法半导体带来了一场富有洞察力的主题演讲，探讨 ISM330BX 在机器人监测方面的技术创新，及其在改变动作感测应用未来方面的潜力。专场......
国纽伦堡传感器及测试测量展览会(Sensor and Test 2024 event)，揭示工业运动传感的未来发展趋势。在发布会上，意法半导体带来了一场富有洞察力的主题演讲，探讨 ISM330BX 在机......
新一代化合物半导体有望在2027年大规模生产？;2月20日，据日刊工业新闻报道，电子元器件厂商Qualtec将于2027年开始大规模生产超宽带隙半导体材料二氧化锗 (GeO2) 晶圆。 据了......
意法半导体携手微电子研究所，开发优化SiC集成组件和封装模组;近日，意法半导体宣布，与科学技术研究局（A*STAR）微电子研究所（Institute of Microelectronics，IME......
新一代化合物半导体有望在2027年大规模生产？;2月20日，据日刊工业新闻报道，电子元器件厂商Qualtec将于2027年开始大规模生产超宽带隙半导体材料二氧化锗 (GeO2) 晶圆。本文......
之一，因为它与目前用于半导体的硅同样耐电压，并且具有更广的电感应控制范围（带隙）。 近年来，在需要快速充电的电动汽车（EV）充电站等场所，能够承受高电压且功率损耗低的下一代功率半导体......
致力于开发200mm晶圆。此外，意法半导体表示，正在改变其全球制造业务，增加300mm制造能力，并重点关注宽带隙半导体，以支持其2000亿美元以上的收入目标。 据了解，意法半导体大批量STPOWER碳化......
十分高兴高意集团能够加入到英飞凌的战略供应商阵营，并与英飞凌一起发展业务。”  高意集团新风险投资和宽带隙电子技术部执行副总裁Sohail Khan表示：“英飞凌作为功率半导体......

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