6月27日，半导体制造商Nexperia（安世半导体）宣布，计划投资2亿美元（约合人民币14.5亿元）开发碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等下一代宽带隙半导体（WBG），并在德国汉堡工厂建立生产基础设施。

从2024年6月开始，安世半导体三种工艺（SiC、GaN和Si）器件都将在德国开发和生产，以满足对高效功率半导体日益增长的长期需求。

安世半导体表示，这笔投资还将有助于德国汉堡工厂现有基础设施的进一步自动化，并通过系统地转换到8英寸晶圆来扩大硅生产能力。公司在扩大无尘室面积后，还将新建研发实验室，以继续确保未来从研究到生产的无缝过渡。

安世半导体德国首席运营官兼董事总经理Achim Kempe称，未来，公司汉堡晶圆厂将覆盖宽带隙半导体的全系列，同时其仍然是最大的小型信号二极管和晶体管工厂。

此外，同月，安世半导体首批高压GaN d-mode晶体管和SiC二极管生产线投产。该公司称，下一个里程碑将是建设SiC MOSFET和低压GaN HEMT 8英寸现代化高性价比生产线，这些产线预计在未来两年内在汉堡工厂建成。

封面图片来源：拍信网