2月17日，德国半导体制造商英飞凌宣布，将投资20亿欧元（合计约144亿元人民币）提高在宽带隙（SiC和GaN）半导体领域的制造能力。英飞凌正在加强自身在功率半导体领域的市场领导地位。

英飞凌表示，将在其马来西亚居林工厂建造第三个厂区。若完成，新厂区将通过碳化硅和氮化镓产品产生20亿欧元的额外年收入。

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据了解，英飞凌居林3号厂区将于今年6月开始建设。新的晶圆厂将于2024年夏季建成，第一批晶圆将于2024年下半年下线。

据媒体报道，英飞凌还表示，将在未来几年把奥地利菲拉赫的6英寸、8英寸硅基半导体生产线改造为第三代半导体生产线。

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