2月17日,德国半导体制造商英飞凌宣布,将投资20亿欧元(合计约144亿元人民币)提高在宽带隙(SiC和GaN)半导体领域的制造能力。英飞凌正在加强自身在功率半导体领域的市场领导地位。
英飞凌表示,将在其马来西亚居林工厂建造第三个厂区。若完成,新厂区将通过碳化硅和氮化镓产品产生20亿欧元的额外年收入。
图片来源:英飞凌官网截图
据了解,英飞凌居林3号厂区将于今年6月开始建设。新的晶圆厂将于2024年夏季建成,第一批晶圆将于2024年下半年下线。
据媒体报道,英飞凌还表示,将在未来几年把奥地利菲拉赫的6英寸、8英寸硅基半导体生产线改造为第三代半导体生产线。
封面图片来源:拍信网
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