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国芯思辰|1200V/5A碳化硅肖特基二极管B1D05120K(替代科锐C4D05120A)用于电动车充电;充电器与蓄电池有着密切的联系,充电器的好坏直接影响蓄电池性能和使用寿命。本文......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管; 【导读】日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出16款新......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管,提升开关电源设计能效和可靠性;器件采用MPS结构设计,额定电流5 A~ 40 A,低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低 美国 宾夕......
有效缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本等。 02 碳化硅肖特基在光伏逆变器中的应用优势  对比硅的快恢复,碳化硅肖特基二极管在BOOST电路中的应用具有很大的优势,由于碳化硅肖特基二极管是肖特基......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管,提升开关电源设计能效和可靠性; 器件采用MPS结构设计,额定电流5 A~ 40 A,低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低日前,威世......
基本半导体​1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC(替代科锐C4D30120D)助力车载充电机;车载充电机可实现交流输入(85VAC~265VAC)/直流输出(200VDC-750VDC......
足在高温环境中的应用。 在LED电源的电路设计过程中,保护电路的设置是必不可少的,碳化硅肖特基二极管B1D02065E的反向重复峰值电压650V,正向重复峰值电流为2A,正向不重复电流为16A,具备更强的抗浪涌能力,在大......
国芯思辰|基本半导体650V SiC肖特基二极管B1D10065F(替代IDK10G65C5)助力车载充电机;车载充电机可实现交流输入(85VAC~265VAC)/直流输出(200VDC......
确设置输入共模电平,滤波器或驱动器输入需要一个钳位和偏置电路。 采用肖特基二极管的直流恢复 对视频设备的输出进行交流耦合时,直流内容会丢失。要恢复直流偏置电平,视频源的交流耦合输出必须使用直流恢复或箝位电路......
半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管,主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准,可应......
40A/1200V碳化硅肖特基二极管B2D40120HC1用于机车空调;在动车或地铁中,机车空调需要有稳定的电力供电,保持车厢内的空气质量。当机车出现故障时,需要通过后备电池给空调供电。而机......
- 1n4007 电容器 - 0.1uF 肖特基二极管 - 3A,50V 电阻器 - 220、680 欧姆 电位器 - 2K 连接线 LM317 数据表 太阳能电池充电器电路设计 电路必须具有可调稳压器,因此......
电荷浓度的器件击穿特性比较。(c)封装器件反向恢复特性测试电路。(d)与已报道的氧化镓肖特基二极管的性能比较。 氧化镓光电探测器 光电探测器在目标跟踪、环境监测、光通信、深空......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管; 【导读】基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管......
碳化硅(SiC)肖特基二极管,主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准,可应对高电压和高电流应用带来的挑战,包括开关模式电源、AC......
自动转换开关(2023-09-07)
我们的要求是驱动两个串联的 LED 和一个肖特基二极管,因此我们选择了能产生 9V 电压的 LM7809 稳压器。由于稳压器的输入电压必须至少为 12V,因此我们确定输入电压约为 20V。 下一步是选择变压器。由于......
第一作者为我校微电子学院博士生郝伟兵,微电子学院龙世兵教授和徐光伟特任副研究员为论文共同通讯作者。 图1结终端扩展氧化镓肖特基二极管。(a)器件结构示意图。(b)具有不同JTE区域电荷浓度的器件击穿特性比较。(c)封装器件反向恢复特性测试电路......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求; 【导读】Nexperia今天宣布,其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二极管......
对标C4D40120D,1200V SiC肖特基二极管B2D40120HC1让车载充电机更高效;车载充电机是电动汽车的核心部件,其功能是按照电池管理系统的指令,动态调节充电电流和电压参数,完成......
1、二极管反极性保护电路 肖特基二极管常用于保护电路,如反极性电路,因为它的正向压降低,下图为常见的反极性电路......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求;符合汽车标准的肖特基二极管现采用R2P DPAK封装 奈梅亨,2024年6月13日:Nexperia今天......
会产生较大的压降 此处二极管的选择尽量选择低压降的肖特基二极管,以保证信号传输不会因为二极管的压降过大导致电平读取出错。 工作......
速关断将导致电压尖峰超过器件的额定电压。为了缓解这些电压尖峰,可以使用多种选项。可以在输入和接地端之间放置一个 TVS 二极管,而肖特基二极管可以作为续流二极管与负载并联放置。此外,RC 缓冲电路可与负载并联使用。如果......
在输入和接地端之间放置一个 TVS 二极管,而肖特基二极管可以作为续流二极管与负载并联放置。此外,RC 缓冲电路可与负载并联使用。如果具体应用中的预期电感超过 5 uH,则强烈建议使用外部肖特基二极管......
体 (ms) 结或肖特基势垒。这提供了低传导压降、高开关速度和低噪声。肖特基二极管用于控制电路内电流的方向,使其仅从阳极流向阴极。当肖特基二极管处于无偏置状态时,自由电子将从 n 型半......
TI推出支持业界最低功耗的智能旁路二极管SM74611;TI推出一款采用标准表面贴装封装并支持 15A 电流处理功能与业界最低功耗的智能旁路二极管。与采用 3 个传统肖特基二极管......
的极性反接保护 图 3 显示了 NRVBSS24NT3G 肖特基二极管的典型压降。在结温 TJ 为 25°C 时,如果二极管电流 (IDIODE) 从 0.5 A 提高到 1.0 A(100......
司2021年向特定对象发行股票项目,即碳化硅功率器件的研发和产业化项目、适用于新型能源供给的高端沟槽型肖特基二极管产能的提升及技术改进项目的实施主体。此次购买设备是为了保障募投项目顺利开展。 据此......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求;符合汽车标准的肖特基二极管现采用R2P  DPAK封装Nexperia今天宣布,其一流的650  V、10......
英飞凌与威迈斯加强合作,为电动汽车提供节能经济的快速充电服务;科技股份公司的新型CoolSiC™混合分立器件采用 TRENCHSTOP™ 5 快速开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管......
英飞凌推出CoolSiC 肖特基二极管2000 V,直流母线电压最高可达1500 VDC,效率更高,设计更简单;如今,许多工业应用可以通过提高直流母线电压,在力求功率损耗最低的同时,向更......
CoolSi 肖特基二极管—IDH08G65C6; 极高的效率和性价比 CoolSiC™ 肖特基二极管 650V G6是英飞凌先进的 SiC 肖特基势垒二极管技术,充分......
Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列,继续扩充宽禁带半导体产品;奈梅亨,2021年11月5日:基础半导体元器件领域的专家Nexperia,今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二极管......
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块; 【导读】近日,半导体器件领域企业SemiQ宣布,其QSiC™产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管......
开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管。中国领先的新能源汽车功率电子和电机驱动器制造商深圳威迈斯新能源股份有限公司(VMAX)将这款器件用于其下一代6.6 kW OBC/DCDC车载充电器。英飞......
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块;近日,半导体器件领域企业SemiQ宣布,其QSiC™产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管模块。这一......
电压范围:2.5至5.5V ➢精密反馈参考电压:0.6V(±2%) ➢输出电流:1A(最大)。 ➢占空比:0~100% ➢内部固定PWM频率:1.5MHz ➢低静止电流:100μA ➢没有肖特基二极管......
降低开关频率或者采用dead time更小的MOS驱动芯片,或者外部并联肖特基二极管,减小VSD。 体二极管导通压降损耗 我们来比较因体二极管的正向压降Vf引起的损耗与理想4 mohm的......
的反向恢复时间,这对于开关稳压器尤其重要(如果您有兴趣了解更多信息,这篇关于为您的电源电路选择正确的整流器的文章是一个很好的资源) 。虽然我在降压转换器中使用了标准二极管,但在升压转换器中我选择了肖特基二极管......
的脉冲率保持在平均频率,从而产生适当的输出电压。CPD 驱动器输出由 VD+ 电源供电,如图 4 所示。这可以是 +5 V 或 +3 V。图 4 中所示的二极管电荷泵适用于 +5 V 电源。肖特基二极管 D3 可确......
控制器驱动一个外部 MOSFET开关管,替代过去在输入反向保护和输出电压保持电路中常用的肖特基二极管。MOSFET上的电压降比肖特基二极管的正向电压降低,因此,正常工作期间的耗散功率也低于二极管。当电......
控制器驱动一个外部 MOSFET开关管,替代过去在输入反向保护和输出电压保持电路中常用的肖特基二极管。MOSFET上的电压降比肖特基二极管的正向电压降低,因此,正常工作期间的耗散功率也低于二极管。当电......
了现代汽车和工业应用持续增长的需求基础半导体器件领域的高性能生产专家Nexperia今天宣布推出其快速扩展的铜夹片FlatPower (CFP)封装二极管系列的最新产品,主要应用于工业和汽车领域。此最新产品含有32个平面肖特基二极管以及8个超快速恢复整流二极管,均封......
意法半导体推出热切换理想二极管控制器,适用于ASIL-D汽车安全关键应用; STPM801是率先市场推出的车规集成的,适合汽车功能性安全应用。本文引用地址:这款驱动一个外部 MOSFET开关管,替代过去在输入反向保护和输出电压保持电路中常用的肖特基二极管......
——意法半导体 STPM801是率先市场推出的车规集成热切换的理想二极管控制器,适合汽车功能性安全应用。 这款理想二极管控制器驱动一个外部 MOSFET开关管,替代过去在输入反向保护和输出电压保持电路中常用的肖特基二极管......
高的正向电压。二极管的该正向压降与交流电源串联,这会降低潜在的直流输出电压。此外,该压降与通过二极管提供的电流的乘积意味着功耗和发热量可能相当大。 肖特基二极管的较低正向电压是对标准二极管的改进。但是,肖特基二极管......
电荷浓度的器件击穿特性比较。(c)封装器件反向恢复特性测试电路。(d)与已报道的氧化镓肖特基二极管的性能比较。 氧化镓 在目标跟踪、环境监测、光通信、深空探索等诸多领域发挥着越来越重要的作用。响应......
系列的最新产品,主要应用于工业和汽车领域。此最新产品含有32个平面肖特基二极管以及8个超快速恢复整流二极管,均封装在CFP15B中。包含通用型号和符合AEC-Q101车规标准的带Q的器件。通过......
止电流:100μA ➢无肖特基二极管需要 ➢内置软启动 ➢电流模式操作 ➢过温度保护 ➢封装:MSOP-10L(EP)、DFN-10L、SOP-8L(EP) 应用案例 1、机械硬盘:用FP6165给5V降压......
Nexperia现可提供采用节省空间的CFP3-HP汽车平面肖特基二极管; 提供卓越散热性能的同时维持较小尺寸基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布,现可提供采用CFP3-HP......

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~ 36 伏特 保护用瞬态电压抑制二极管TVS400 ~ 5000瓦特5 ~ 376伏特 场效应管MOSFET0.2瓦特60伏特 小信号开关二极管0.2 ~ 0.5瓦特50 ~ 350伏特 小信号肖特基二极管
、GBU、GBJ、RBV系列;方桥KBPC、SKBPC、BR、DB系列;MB、MBS、HD、DB、DF、板凳桥、贴片桥;全系列贴片二极管;高压肖特基二极管普通肖特基二极管
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;深圳诚桩电子;;场效应管MOSFET,IGBT,电源驱动IC,快恢复二极管肖特基二极管,SMD元件!
)优势产品: 品牌 型号 封装 规格 最小包装 备注 统懋(Mospec) S10C40C TO-220 10A/40V 2000PCS 肖特基二极管 统懋(Mospec) S16C40C
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;深圳市洲盛电子有限公司;;深圳市洲盛电子有限公司专业 IR(国际整流器公司)、ON(安森美)、Fairchild(仙童)系列:场效应管MOSFET,IGBT,电源驱动IC,快恢复二极管肖特基二极管
;杭州丽日电子有限公司;;稳压管,开关管,整流二极管肖特基二极管,瞬变管,桥式整流器,贴片,二三极管
;深圳市嘉美电子有限公司;;主营:TVS瞬态抑制二极管肖特基二极管、整流二极管、快恢复二极管、稳压二极管等。欢迎前来在线咨询。