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Bourns 推出首款650 V – 1200 V碳化硅肖特基势垒二极管(2023-07-08)
Bourns 推出首款650 V – 1200 V碳化硅肖特基势垒二极管;
【导读】美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，隆重宣布首款 650 V......
东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员，其将助力工业电源设备实现高效率(2024-09-25)
东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员，其将助力工业电源设备实现高效率;中国上海，2024年9月25日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新推出第3代碳......
特瑞仕开始提供使用了SiC的850V/10A肖特基势垒二极管的样品(2023-05-13)
特瑞仕开始提供使用了SiC的850V/10A肖特基势垒二极管的样品;
【导读】特瑞仕半导体株式会社（日本东京都中央区 董事总经理：芝宫 孝司 以下简称“特瑞仕”） 已经开始提供使用了SiC......
东芝推出第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员(2024-09-27)
东芝推出第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员;
【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）产品......
东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员，其将助力工业电源设备实现高效率(2024-09-25 11:18)
东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员，其将助力工业电源设备实现高效率;
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管......
基础知识之二极管(2024-03-20)
极 (+) 加电流时，二极管基本上无电流流过，这时的特性叫做逆方向特性，例VR，IR等逆方向特性。
二、概略
1. 按频率分类
最基本的分类方法。二极管根据其特性分为整流二极管、开关二极管、肖特基势垒二极管......
Bourns推出10款新型号碳化硅肖特基势垒二极管产品(2023-10-06)
Bourns推出10款新型号碳化硅肖特基势垒二极管产品;
【导读】2023年9月26日 - 美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，今日推出 10......
CoolSi 肖特基二极管—IDH08G65C6(2023-10-12 15:12)
CoolSi 肖特基二极管—IDH08G65C6;
极高的效率和性价比
CoolSiC™ 肖特基二极管 650V G6是英飞凌先进的 SiC 肖特基势垒二极管技术，充分......
基础知识之SiC功率器件(2024-03-21)
却存在开关损耗大 的问题，其结果是由此产生的发热会限制IGBT的高频驱动。 SiC材料却能够以高频器件结构的多数载流子器件（肖特基势垒二极管和MOSFET）去实现高耐压，从而同时实现 “高耐压”、“低导通电阻”、“高频......
）和SBD（肖特基势垒二极管）等，本文提到的基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D30120HC基本没有开关损耗，而且VF具有正向温度系数，有利于提高车载充电机实际的效率。
......
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET(2022-12-13)
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET;
【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices &......
Diodes 公司发表首款碳化硅萧特基势垒二极管 (SBD)(2023-02-08)
Diodes 公司发表首款碳化硅萧特基势垒二极管 (SBD);Diodes 公司发表首款碳化硅萧特基势垒二极管 (SBD)
【2023 年 02 月 08 日美国德州普拉诺讯】Diodes......
又一起收购，涉及MOSFET(2024-01-05)
。
X-FAB可生产多种SiC产品，其中包括SiC SBD（肖特基势垒二极管）、合并PiN肖特基 (MPS) 二极管、JBS（结势垒肖特基）二极管、MOSFET和JFET。而公司生产的8英寸GaN......
具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的介绍(2022-12-09)
电极的边缘场调制两个电极之间未覆盖的硅沟道(p 型，10 15 cm
-3)的电荷载流子浓度栅电极，因此允许设备的正常运行。单击此处访问原始文章。
模拟分析肖特基势垒二极管的次线性行为
为研究 SB FET 的次......
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务(2024-03-04)
高速 TRENCHSTOP 5 IGBT与碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管相结合，在硬开关和软开关拓扑结构中具有完美的性价比。凭借卓越的性能、优化的功率密度和领先的质量，该功率半导体器件与的车载充电器实现了高度适配。本文......
简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用(2022-12-21)
代半导体材料氮化镓（GaN）和SiC功率器件表现出越来越优越的特性。从理论上讲，SiC器件的WBG是硅的三倍，因此可以实现约600°C的结温。
以下是对有前途的碳化硅功率器件的简要介绍。
二极管
碳化硅肖特基势垒二极管......
2月新品推荐：电源模块、IGBT单管、加速平台、热敏电阻、光电二极管(2021-02-26)
电压的CoolSiC™ Hybrid IGBT单管。新款器件结合了650V TRENCHSTOP™ 5 IGBT及CoolSiC™肖特基势垒二极管的主要优点，具有出色的开关频率和更低的开关损耗，特别适用于DC-DC......
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务(2024-03-04)
凌的元件采用 D²PAK 封装，将超高速 TRENCHSTOP 5 IGBT与碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管相结合，在硬开关和软开关拓扑结构中具有完美的性价比。凭借卓越的性能、优化......
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET(2022-12-13 11:33)
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET;
东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage......
什么是DC-DC转换器的热仿真(2022-12-02)
的电源电路进行电路工作仿真，还会介绍可以同时执行该IC和外置器件肖特基势垒二极管“RB088BM100TL”温度仿真的仿真环境及其使用方法。本文引用地址：
本文的关键要点
・ Solution Simulator的热......
宁夏一半导体晶圆芯片项目动工建设(2024-05-13)
值达到30亿元以上，新增设备152余台（套），年设计生产沟道金属氧化物半导体势垒肖特基二极管晶圆60万片，规划总占地面积约296.27亩，建构筑物占地面积81851.49平方米，总建......
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务(2024-03-04)
充电器。英飞凌的元件采用 D²PAK 封装，将超高速 TRENCHSTOP 5 IGBT与碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管相结合，在硬开关和软开关拓扑结构中具有完美的性价比。凭借卓越的性能、优化......
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务(2024-03-04 10:27)
/DCDC车载充电器。英飞凌的元件采用 D²PAK 封装，将超高速 TRENCHSTOP 5 IGBT与碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管相结合，在硬开关和软开关拓扑结构中具有完美的性价比。凭借卓越的性能、优化......
ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”(2024-01-24)
trr*1超快的100V耐压肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）“YQ系列”。
●采用沟槽MOS结构，使存在权衡关系的VF和IR相比......
MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechnology的功率模块系列产品。该电......
三菱电机推出两款新型SBD嵌入式SiC-MOSFET模块(2024-06-13)
开始为包括铁路和电力系统在内的大型工业设备提供低电流版本3.3kV/400A和3.3kV/200A肖特基势垒二极管（SBD）嵌入式SiC-MOSFET模块。与现有的3.3kV/800A模块一起，新命名的Unifull™系列包含3款产品，以满......
Diodes公司发表首款碳化硅肖特基势垒二极管(SBD)(2023-02-08)
Diodes公司发表首款碳化硅肖特基势垒二极管(SBD); 公司 ()近日宣布推出首款 (SiC) ()。产品组合包含 DIODES DSCxxA065系列，共有十一项 650V 额定电压 (4A......
Diodes推出首款碳化硅萧特基势垒二极管(2023-02-08)
Diodes推出首款碳化硅萧特基势垒二极管;
【导读】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出首款碳化硅 (SiC) 萧特基势垒二极管 (SBD......
ROHM开发出支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管(2024-11-15)
ROHM开发出支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管;
【导读】全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出引脚间爬电距离*1更长、绝缘电阻更高的表面贴装型SiC肖特基势垒二极管......
东芝在SiC和GaN的技术产品创新(2023-10-17)
的应用。对于电动汽车充电站而言，SiC MOSFET 主要用于三相有源功率因数校正电路和双向 DC-DC 转换器。而SiC BCD（肖特基势垒二极管）通常用于升压功率因数校正电路。
黄文源(电子......
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争(2023-01-09)
进一步改善功率器件的性能。
肖特基势垒高度对于肖特基二极管而言是十分重要的，高肖特基势垒带来低泄露电流，但开态压降随之增加，反之亦然，需根据具体应用场景来选择合适的势垒高度。
（2）氧化镓基场效应晶体管
对于......
三菱电机开始发售功率半导体「1200VSiC－SBD」(2019-04-04)
Silicon Carbide：碳化硅 ※2 Schottky Barrier Diode：肖特基势垒二极管
新产品的特点1．通过采用SiC，为降低耗电量、缩小体积做出贡献・通过使用SiC大幅......
ROHM 推出SiC功率器件，为Midnite Solar解决设计难题(2021-02-08)
设备和空调的功率逆变器
● X射线发生器的高压开关
● 薄膜镀膜工艺
罗姆碳化硅产品
ROHM的广泛产品组合包括SiC肖特基势垒二极管（SBD）、SiC MOSFET、全SiC功率模块（集成SiC......
ROHM 推出SiC功率器件，为Midnite Solar解决设计难题(2021-02-08)
设备和空调的功率逆变器
● X射线发生器的高压开关
● 薄膜镀膜工艺
罗姆碳化硅产品
ROHM的广泛产品组合包括SiC肖特基势垒二极管（SBD）、SiC MOSFET、全SiC功率模块（集成SiC......
Microchip低电感SiC功率模块加快逆变器从设计到投产的步伐(2020-09-04)
缩短产品上市时间。”
Microchip采用最新一代SiC管芯，提供700V、1200V和1700V三种基于肖特基势垒二极管的（SBD）SiC功率模块供客户灵活选择。此外，Microchip的dsPIC数字......
罗姆即将亮相2024慕尼黑电子展：赋能增长，激发创新(2024-11-05)
提高牵引逆变器效率
用于电动压缩机的新型EcoIGBT™产品
用于车载充电器的新型EcoSiC™ 肖特基势垒二极管
汽车主题
用于应用处理器、SoC 和 FPGA......
ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”(2024-01-23 15:34)
灯等高速开关应用全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路，推出trr*1超快的100V耐压肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）“YQ系列”。
二极管......
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性(2023-02-16)
体 (ms)
结或肖特基势垒。这提供了低传导压降、高开关速度和低噪声。肖特基二极管用于控制电路内电流的方向，使其仅从阳极流向阴极。当肖特基二极管处于无偏置状态时，自由电子将从
n 型半导体移动到形成势垒......
日本团队采用新技术制备氧化镓晶体(2024-08-02)
制备出国内首片高质量氧化镓单晶。
韩国方面，7月22日，韩国化合物半导体公司Siegtronics宣布，其已开发出可应用于高速开关的氧化镓肖特基势垒二极管（SBD）。Siegtronics表示，其通过“开发......
科索3.5kW输出AC-DC电源单元“HFA/HCA系列”采用罗姆的EcoSiC™(2024-10-29)
科索3.5kW输出AC-DC电源单元“HFA/HCA系列”采用罗姆的EcoSiC™;
全球知名半导体制造商罗姆生产的EcoSiC™产品——SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下......
采用自主设计封装，绝缘电阻显著提高！ROHM开发出支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管(2024-11-13 09:40)
采用自主设计封装，绝缘电阻显著提高！ROHM开发出支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管;与普通产品相比，可确保约1.3倍的爬电距离。即使......
东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET(2024-11-13 10:40)
MOSFET的体二极管在反向传导操作[3]期间双极通电时，其可靠性会因导通电阻增加而降低。东芝SiC MOSFET通过在MOSFET中嵌入SBD（肖特基势垒二极管）以弱化体二极管......
东芝推出适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET(2024-11-12)
在反向传导操作[3]期间双极通电时，其可靠性会因导通电阻增加而降低。东芝SiC MOSFET通过在MOSFET中嵌入SBD（肖特基势垒二极管）以弱化体二极管工作的器件结构来缓解上述问题，但如若将SBD布置......
SiC功率半导体技术如何助力节碳减排？(2023-03-29)
MOSFET与集成SBD的SiC MOSFET结构相比，MCR结构也有一些突出优势。比如，传统改善体二极管特性的方式是单片集成肖特基二极管，但肖特基势垒不具备温度稳定性，在高温高电场的作用下势垒......
e络盟开售Littelfuse完整解决方案(2023-10-17)
：DST系列超低VF值肖特基势垒整流器旨在提供高温、低泄漏和更低VF值的产品，从而满足商业和工业应用的基本要求。该系列产品适用于高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。
客户......
e络盟开售Littelfuse完整解决方案(2023-10-17)
并配备PVC绝缘引线。最高工作温度达到105°C。
•DST系列：DST系列超低VF值肖特基势垒整流器旨在提供高温、低泄漏和更低VF值的产品，从而满足商业和工业应用的基本要求。该系......
e络盟开售Littelfuse完整解决方案(2023-10-17)
超低VF值肖特基势垒整流器旨在提供高温、低泄漏和更低VF值的产品，从而满足商业和工业应用的基本要求。该系列产品适用于高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。
客户现可通过 Farnell（欧洲、中东......
三菱电机推出两款新型SBD嵌入式SiC－MOSFET模块(2024-06-13 15:02)
3.3kV/200A肖特基势垒二极管（SBD）嵌入式SiC-MOSFET模块。与现有的3.3kV/800A模块一起，新命名的Unifull™系列包含3款产品，以满......
全面升级！安森美第二代1200V SiC MOSFET关键特性解析(2024-04-09)
，VGS=−3V/18V，RG=4.7Ω，25°C。续流二极管用作碳化硅SBD（肖特基势垒二极管），型号为FFSH30120A，对EON没有反向恢复电荷影响，只有电容损耗影响EON。产品封装为TO247......
Microtechnology的工业设备功率模块系列
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被......
相关企业
体放电管／数字三极管／可编程过压保护器件／齐纳二极管／肖特基势垒二极管／场效应管／气体放电管/可控硅器件等。 涉及的经典应用如以太网口的保护，RS485／ RS232口的保护，USB2.0的端口保护，CCTV的音
及整流桥堆的生产基地。 公司主要产品：普通整流二极管、快恢复整流二极管、超快恢复二极管、高效整流二极管、肖特基势垒二极管、双向触发二极管、高压二极管、瞬态抑制二极管以及1-50A的整
、肖特基势垒二极管、双向触发二极管、稳压二极管、高压二极管、瞬态抑制二极管（TVS）以及1-50A的整流桥堆等，产品广泛应用于照明、电源、计算机、通讯、日用家电等行业。产品50％以上出口欧洲、美国
便利的浙江金华市生态环境优良的婺城区琅琊镇。公司主要研制生产快恢复二极管模块、整流二极管模块、肖特基势垒二极管模块。快恢复二极管模块和普通的肖特基模块相比有价格优势，具有较高的性价比，产品质量好，性能优。产品主要用于电镀、电焊、变频
及整流桥堆的生产基地。公司主要产品：普通整流二极管、快恢复整流二极管、超快恢复二极管、高效整流二极管、肖特基势垒二极管、双向触发二极管、高压二极管、瞬态抑制二极管以及1-50A的整流桥堆等，产品
在半导体器件的研发领域一直处于国内领先水平。2000年，我司研制出大电流、高反压的肖特基与快恢复二极管，其中，肖特基势垒二极管已达到正向电流300安培以上，反向电压200V以上；快恢复二极管已达到正向电流240安培
;丰泰电子（香港）公司;;ROHM大中华区专业经销商。分离式半导体如晶体管，场效应晶体管MOSFET、双极晶体管、数字晶体管、复合晶体管；二极管，肖特基势垒二极管、整流二极管、整流二极管、开关二极管
、快恢复整流二极管、超快恢复二极管、肖特基势垒二极管、双向触发二极管、高压二极管、瞬态抑制二极管以及1-50A的整流桥堆等，产品广泛应用于照明、电源、计算机、通讯、日用家电等行业。产品80％以上
、超快恢复二极管、肖特基势垒二极管、双向触发二极管、高压二极管、瞬态抑制二极管以及1-50A的整流桥堆等，产品广泛应用于照明、电源、计算机、通讯、日用家电等行业。产品80％以上
;济南昊普电子有限公司;;济南昊普电子有限公司是集科研，生产与销售于一体的专业半导体器件公司。 公司主要产品：普通整流二极管、快恢复整流二极管、超快恢复二极管、高效整流二极管、肖特基势垒二极管、双向触发二极管