特瑞仕开始提供使用了SiC的850V/10A肖特基势垒二极管的样品
来源: 电子元件技术
新闻产品新闻
【导读】特瑞仕半导体株式会社（日本东京都中央区 董事总经理：芝宫 孝司 以下简称“特瑞仕”） 已经开始提供使用了SiC的850V/10A 肖特基势垒二极管、 XBSC11A108CS 的样品。该产品作为功率半导体产品新产品, 有助于空调以及电动汽车充电的电源系统的低功率化和小型化。
特瑞仕半导体是专注于电源IC的模拟CMOS专业集团，Phenitec Semiconductor是特瑞仕半导体的子公司，此产品是由Phenitec Semiconductor开发的SiC SBD芯片搭载于多功能TO-220AC封装投放市场。
此产品在目标在2023年实现量产，以该产品为起点，计划逐步开发650V~1200V的产品阵容。
图 1. SiC-SBD TO-220AC「XBSC11A108CS」
[样品]
*以上信息（包括产品价格/规格、服务详情等）截至发布之日为最新信息。 如有更改，恕不另行通知。
推荐阅读：
文章来源于: 电子元件技术原文链接
本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。