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200层以上！三星第八代V-NAND闪存要来了？(2021-06-09)
200层以上！三星第八代V-NAND闪存要来了？;6月8日韩媒消息，三星执行副总裁兼闪存负责人Jaihyuk Song介绍了三星闪存芯片业务最新进展。
Jaihyuk Song透露，三星......
三星西安闪存芯片工厂2020年产值超700亿元(2021-02-08)
，三星公司积极履行教育、文化、产业生态等方面社会责任，将持续深化与产业链上下游各企业之间的合作，推动本地半导体产业创新发展。
陕西省发改委党组成员、副主任李生荣指出，三星闪存芯片......
三星闪存每个季度都要涨价20％(2023-11-03)
三星闪存每个季度都要涨价20％;据多位半导体产业人士透露，三星将在今年第四季度将NAND闪存芯片的报价提高10-20％，明年第一和第二季度分别还要涨20％。
按照这个速度下去，预计一年之后，三星闪存......
西安三星半导体12英寸闪存芯片扩建项目进入主体施工阶段(2023-12-12)
月印发的《西安市数字经济高质量发展实施计划》提到，到2024年，全市人工智能相关产业产值达到500亿元；加快推动三星闪存芯片、奕斯伟硅产业基地、龙腾8英寸功率半导体制造项目等重大集成电路项目建设。到......
西安2024年目标，1800亿！(2023-04-14)
计划》提到，到2024年，全市人工智能相关产业产值达到500亿元；加快推动三星闪存芯片、奕斯伟硅产业基地、龙腾8英寸功率半导体制造项目等重大集成电路项目建设。到2024年，全市集成电路产业规模达到1800亿元......
长江存储刚被列入实体清单，三星NAND Flash立马涨价10%(2022-12-22)
长江存储刚被列入实体清单，三星NAND Flash立马涨价10%;
【导读】12月21日消息，据中国台湾媒体DigiTimes报道称，随着国产NAND Flash闪存芯片......
两大存储器大厂示警：西安“封城”恐将影响芯片供应...(2021-12-30)
电子2014年启动的西安闪存芯片（NAND）工厂是其唯一的海外存储芯片制造基地，包括去年启动的第二工厂在内，西安工厂的产量占三星闪存芯片总产量的40%左右，全球市占也有15.3%。
西安......
西安三星半导体占全世界闪存芯片产能超过10%(2022-02-28)
西安三星半导体占全世界闪存芯片产能超过10%;据陕西日报2月27日报道，随着三星（中国）半导体有限公司（以下简称“西安三星半导体”）12英寸闪存芯片二期项目建成投产，西安三星半导体闪存芯片产能占全世界芯片......
全球两大存储厂新消息！(2024-04-25)
全球两大存储厂新消息！;近日，三星、铠侠两大存储厂公布新消息：三星量产第9代V-NAND、铠侠新一代UFS 4.0闪存芯片出样。
三星开始量产第9代V-NAND
4月23日，三星......
全球两大存储厂新消息！(2024-04-25)
全球两大存储厂新消息！;近日，、两大厂公布新消息：量产第9代V-NAND、新一代UFS 4.0闪存芯片出样。本文引用地址：开始量产第9代V-NAND
4月23日，三星电子宣布，其1Tb TLC第9代......
DS Techopia计划将NAND闪存芯片所需材料扩产50%(2022-04-08)
要高。
据悉，三星在韩国的新工厂P3也有望在下半年投产时生产176层NAND闪存芯片。
封面图片来源：拍信网......
月产25万片12英寸晶圆 三星西安NAND闪存二厂完成扩建并投产(2022-04-02)
半导体12英寸闪存芯片二期项目建成投产，西安三星半导体闪存芯片产能占全世界芯片产能的比重超过10%。
资料显示，西安三星半导体作为全球重要的半导体生产基地主要从事高端存储芯片的生产、研发、销售......
NAND原厂齐增产引业界担忧涨势放缓(2024-06-19)
NAND原厂齐增产引业界担忧涨势放缓;
【导读】据The Chosun Daily报道，韩国芯片制造商三星电子和SK海力士以及日本的铠侠一直在提高NAND闪存芯片的产量。这一......
NAND闪存芯片进入革新时代(2022-08-05)
成本，二就是存储密度。
而自2013年三星设计出垂直堆叠单元技术后，芯片的层数比拼一直是各大NAND闪存芯片厂商竞争的重点。
与CPU和GPU仍在竞争增大晶体管密度、用更精细的技术大幅提高芯片......
SSD暴跌成白菜价 美国、日本两大闪存巨头谋划合并：避免11年前惨剧再演(2023-05-17)
也会破产。
这方面的例子就是日本尔必达，他们原本是日本第一大、全球第三大内存芯片供应商，仅次于三星、SK海力士，比美光份额还要高。
但是尔必达当年也遇到了PC疲软，闪存价格暴跌，连续5个季......
消息称国内存储大厂内存、闪存采购成本上涨约20~30%(2023-10-13)
元器件采购成本逐步上涨。相较此前的价格低点，国内有存储器下游龙头企业，NAND闪存芯片采购成本上涨近20%，DRAM内存芯片采购成本上涨约30......
西安电子信息制造业目标3500亿，三星/美光等多家IC企业被划重点(2022-10-26)
头骨干企业，以光子、半导体及集成电路、智能终端、传感器等重点产业链提升为牵引；
以三星闪存芯片、奕斯伟硅产业基地、比亚迪高端智能终端产业园项目、创维智能家居生产基地、“一带一路”临港......
2017 年中国将推自主生产 32 层堆叠 3D NAND 闪存(2016-10-22)
本身也将在 2017 年推出 32 层堆叠的 3D NAND 闪存。虽然，这样的技术相较韩国三星、日本东芝等国际大厂来说仍有落差，但总是为中国闪存市场跨出第一步。
在中国发展半导体产业的规划中，储存芯片......
三星最大3D NAND厂投产，进一步拉大与中国存储差距(2017-04-13)
开始运营位于韩国京畿道平泽市的新半导体工厂。新设施是全球规模最大的芯片工厂，占地289万平方米。三星将在该工厂量产第四代3D NAND闪存芯片，该芯片垂直堆叠达到64层。
据《首尔经济新闻》报道，三星......
展望存储后市，三星、SK海力士与美光这样看待(2023-04-28)
还将积极响应LPDDR5x对移动高端产品（如新外形智能手机）的需求。
对于NAND，基于成本竞争力，三星闪存业务计划积极满足所有应用对高密度产品的需求，同时通过划在移动市场应用QLC技术......
三星预计2024年初开始量产下一代NAND闪存(2023-10-19)
三星预计2024年初开始量产下一代NAND闪存;
【导读】三星电子披露了该公司在内存芯片方面的最新开发进展，并展现了三星对于存储芯片......
三星将在 2024 IEEE ISSCC 上展示 280 层 QLC 闪存，速率(2024-01-30)
具有如下特征：
280 层 1Tb 4b / cell 3D-NAND 闪存：
——280 层：指该闪存芯片由 280 层存储单元垂直堆叠而成，从而提高了存储密度。
——1Tb：指该闪存芯片......
英特尔、三星可继续运营在华的NAND芯片业务？(2022-10-15)
英特尔、三星可继续运营在华的NAND芯片业务？;10月11日，英特尔表示，公司已从美国商务部获得为期一年的授权，继续运营其位于中国大连的NAND闪存芯片业务。
据了解，目前，由于......
国产存储芯片打破美日韩垄断还要多久？(2017-08-10)
导致3D NAND上市延后。
2016年是闪存芯片转型的一年，三星西安厂/Fab 17/Fab 18、东芝Fab 2、美光F10x、SK海力士M14都将在2017年全面进入3D NAND量产......
苹果三星关系缓和！iPhone 8迎来史上最大变化(2016-12-17)
版本的iPhone 7为例，这些零部件的成本加起来占到物料总成本（219.80美元）的四分之一以上。有报道称，三星将再次为下一代iPhone供应OLED显示屏和NAND闪存芯片。而提供DRAM芯片将让三星......
SK 海力士将携手希捷合资公司，拓展闪存储存市场竞争力(2016-12-22)
谈判中同样需要解决的问题，包括资金、人员、地点以及经营权分配等问题，因为希捷不见得愿意由 SK 海力士来主导合资公司。只是，希捷之前曾经进行过两次 NAND 闪存芯片技术合作尝试（一次为美光、一次与三星）。所以......
单芯片超过 100Gb，三星表示将挑战业界最高密度 DRAM 芯片(2023-10-22)
的 HBM3E 内存芯片。
三星电子在昨天的三星存储技术日中，展示了内存和闪存......
三星计划2026年推出400层V10 NAND闪存，用于AI服务器(2024-10-31)
三星计划2026年推出400层V10 NAND闪存，用于AI服务器;
【导读】全球最大的存储芯片制造商三星电子计划在2026年前推出400层V-NAND闪存芯片，以在人工智能（AI）热潮......
消息称存储厂商考虑提价(2023-05-23)
消息称存储厂商考虑提价;
【导读】综合台湾电子时报、韩国经济日报5月22日报道，继国内存储芯片龙头的NAND闪存正式开始涨价3-5％后，有消息称三星电子、SK海力士等NAND闪存芯片......
三星即将量产290层V-NAND闪存(2024-04-18)
三星即将量产290层V-NAND闪存;
【导读】据韩国业界消息，三星最早将于4月开始量产当前业界密度最高的290层第九代V-NAND（3D NAND）闪存芯片，这是继236层第八代V......
三星电子批量生产首款256千兆，3D V－NAND闪存(2015-08-12)
将扩大我们的优质级业务的企业和数据中心的细分市场，以及在消费市场，同时继续加强我们的战略重点固态硬盘。”
三星新推出的256GB 3D V-NAND闪存双打常规128GB的NAND闪存芯片的密度。除了......
DRAM市场已经开始真正陷入低迷，明年DRAM出货将迎来首次同比下滑(2023-01-12)
模组的价格下滑了 40%，NAND Flash 闪存芯片价格同样跌到不足成本价。
那么今年一季度，两者的走势会如何?
据 DT 报道，DRAM 内存芯片的价格继续缩水，其中 DDR4......
美国豁免后三星升级西安半导体工厂设备工艺(2023-10-19)
设施投入数十亿巨资，中国也是韩国芯片的大客户。
据悉，三星电子大约 40% 的 NAND 闪存芯片在其位于中国西安的工厂生产，SK 海力士大约 40% 的 DRAM 芯片在无锡生产，20......
突发！美国宣布彻底放开这个限制(2023-10-10)
设施投入数十亿巨资，中国也是韩国芯片的大客户。
据悉，三星电子大约 40% 的 闪存芯片在其位于中国西安的工厂生产，SK 海力士大约 40% 的 芯片在无锡生产，20% 的
NAND 闪存芯片......
三星电子计划将于明年扩大芯片产能(2022-12-27)
晶圆产能。
除此之外三星还计划扩大工厂，增加4nm芯片产能，这将根据代工合同进行，也就是根据客户的设计，今年开始生产尖端NAND闪存芯片的P3是该公司最大的芯片制造工厂。
据悉......
三星开始量产第8代V－NAND，存储密度高达1Tb(2022-11-08 12:00)
有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。
三星电子第八代V-NAND，1Tb
三星闪存产品与技术执行副总裁SungHoi Hu表示："市场对更高密度、更大容量存储的需求，推动......
三星开始量产第8代V－NAND，存储密度高达1Tb(2022-11-08)
有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。
三星电子第八代V-NAND，1Tb
三星闪存产品与技术执行副总裁SungHoi Hu表示："市场对更高密度、更大容量存储的需求，推动......
涨价前兆！PC、手机DRAM内存将出现供应短缺(2024-06-26)
涨价前兆！PC、手机DRAM内存将出现供应短缺;
6月26日消息，据媒体报道，存储芯片产业界近日传来消息，通用型DRAM内存芯片可能面临供应短缺的局面。
随着业界对高带宽存储(HBM......
爆三星Exynos 2300衍生版，加入谷歌算法和人工智能(2022-11-26)
也是产品研发的重中之重。三星在本届进博会上带来了业界首个UFS4.0闪存芯片。这一芯片采用了三星自研控制器，其强大的读取速度及数据传输能力是UFS
3.1 闪存芯片的2倍。同时，在能效方面，相比......
3D NAND Flash，剑指1000层堆叠！(2023-07-05)
随着制程提升，存储密度增加，相邻存储单元格电荷干扰问题也就越严重，进而导致数据处理错误率提升以及使用寿命减少等问题。
为了突破这些瓶颈，闪存从平面走向立体，堆叠层数越来越高，闪存芯片......
产能利用率降至90%！传三星减产NAND闪存(2023-01-18)
产能利用率降至90%！传三星减产NAND闪存;
【导读】据业内消息人士透露，三星电子在抵制一段时间后，由于需求持续低迷，正在通过将芯片的产能利用率降低至90%来减少NAND闪存......
全球闪存芯片格局剧变：韩国两公司掌控50%以上份额(2022-09-05)
全球闪存芯片格局剧变：韩国两公司掌控50%以上份额;全球闪存市场原本有六大原厂，分别掌握在美国、日本及韩国公司手中，美国就占了三家，韩国两家，日本一家，随着Intel闪存业务被SK海力士收购，现在......
韩媒：“萨德”影响微乎其微，韩国半导体畅销中国(2017-08-10)
强化韩国产品的竞争力”。
韩国半导体产业发展风生水起。世界上最大的内存芯片供应商三星电子公司宣布，其在韩国平泽的新建半导体生产线已经开始量产。NAND闪存技术开发商SK海力士公司已经加入了一个同盟，将投......
3D NAND Flash，剑指1000层堆叠！(2023-07-06)
导致数据处理错误率提升以及使用寿命减少等问题。
为了突破这些瓶颈，闪存从平面走向立体，堆叠层数越来越高，闪存芯片容量与性能也不断提升。
除了......
业内料原厂将继续压制产量，有望提振存储价格(2023-11-09)
业的疲软需求可能终于触底。
据财联社报道，全球最大的两家内存芯片制造商近期的业绩电话会议似乎传达了一个信号，该行业的疲软需求可能终于触底。
三星......
三星计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存：沿用双层堆栈架构，超 300 层(2023-08-18)
就已首次引入双层堆栈架构，生产第 7 代 V-NAND 闪存芯片。
双层堆栈架构指在 300mm 晶圆上生产一个 3D NAND 堆栈，然后在第一个堆栈的基础上建立另一个堆栈。
而三星即将生产的超 300 层第 9 代......
传12月部分中国客户接受三星存储芯片涨价(2023-01-09)
商减产生效”，预计第一季度NAND闪存平均售价将从上一季度的20-25%下降到10-15%。机构表示，NAND闪存芯片制造商已开始缩减产量，以防......
三星等韩厂Q1芯片业务或亏数十亿韩元(2023-03-21)
三星等韩厂Q1芯片业务或亏数十亿韩元;
【导读】由于内存芯片价格疲软和库存增加，三星等韩厂可能在今年第一季度亏损数十亿韩元。韩媒The Korea Herald报道，根据三星......
三星开始量产第8代V-NAND，存储密度高达1Tb(2022-11-09)
三星闪存产品与技术执行副总裁SungHoi Hu表示："市场对更高密度、更大容量存储的需求，推动了V-NAND层数的增加，三星采用3D缩放（3D scaling）技术，减少......
超越Intel成为半导体霸主，三星再投资10亿刀研究4nm(2017-06-29)
的平均销售价格今年上半年较上年同期增长25%，NAND闪存芯片的价格也上涨约15%。CW Chung预计这些产品的价格在第三季度还将继续上扬。
市场研究机构IC Insights所持观点与野村证券持相似。分析师预计三星电子今年下半年将保持对英特尔以及其他芯片......
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;深圳市福田区三源达电子商行;;本公司专业经营：闪存芯片, NAND FLASH ,K9F全系列,HY27UF全系列``````主要经营的品牌有：ＨＹＮＩＸ，ＳＡＭＳＵＮＧ，ＭＩＣＲＯＮ，ＩＮＴＥＬ
Flash闪存、RON Flash、DDR、GDDR显存、SDRAM等内存芯片；高通，MTK，三星手机套片，LPDDR，EMCP，EMMC手机字库等，公司以经营“原装现货”为主，常备大量现货，品种
;united technology ltd;;公司主营MEMORY IC，主要做三星，华邦，钰创，ESMT 的SDRAM，DDR等内存芯片
;深圳星航电子有限公司;;13249851866现金收购OV7910 OV7930 OV5116 OV7940 OV7950(求购库存)集成电路,二三极管，霍尔元件、光电器件、电脑cpu，内存芯片