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高压绝缘测试里绝缘电阻与环境的关系;和接地一样 绝缘测试是电气工程师的入门技术 定期对设备的绝缘进行检查 可以提前发现潜在问题，防止损坏停机 是一项非常有效的维护手段 但在绝缘测试中 有两......
应SOT227封装产品（型号：S1P04R120SSE），以满足客户在高性能、大功率应用的需求。图1和图2分别展示了该芯片单管SOT227封装 (图3）的输出和击穿特性曲线。在室温下，该芯片电阻为3.5......
： 功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大;它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻变小。详细的关系......
相比，新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构，漏源导通电阻与栅极电荷特性[1]之间的平衡也得到了进一步的改善[2]。因此，新产品可提供业界最低[3]功耗。 东芝......
热敏电阻与温度的关系及应用;热敏电阻是一种由半导体材料制成的对温度灵敏的非线性电阻器，它的电阻温度系数比金属的大十倍到百倍，有着很灵敏的电阻温度效应，同时它还具有体积小、反应快、性能良好、工作......
铜脚热敏电阻与铁脚热敏电阻对比分析;市场的供求关系始终牵挂着每位消费者与供应者的心，消费者老是想着花少的钱买到的产品，而供应者就总想着利润的化，从而就形成了两条永不相交的平行线。 下面......
/MAX1853的工作频率分别为50kHz和200kHz，可优化电源电流或外部元件尺寸。这些器件具有小型外部元件和微功率关断模式，因此非常适合电池供电和电路板级电压转换应用。 片内集成了振荡器控制电路和四个功率......
同封装尺寸最接近的竞品器件低16 %。SiZF4800LDT低导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET功率转换应用重要优值系数（FOM）为 131m*nC，导通电阻与栅极电荷乘积提高了高频开关应用的效率。 器件......
密度。Vishay Siliconix n沟道 SiHP054N65E导通电阻比前代器件降低48.2%，同时导通电阻与栅极电荷乘积下降59%，该参数是650 V MOSFET在功率......
，文档中包括显示Z p与频率的关系曲线。图4.5是普通有源探头的实例。注意，1兆欧阻抗幅度固定在接近100 kHz。这通过认真设计示波器探头的相关电阻单元、电容单元和电感单元实现。 　　4.5.有源......
的主要部分，造成电阻急剧增加。当线关键尺寸缩减时，也在侧壁和晶界出现额外散射，并导致电阻升高。沟槽刻蚀深度和侧壁角度与电阻之间呈线性关系；电阻与线横截面面积成反比例关系。 我们也分析了线边缘粗糙度对电阻......
MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工业和计算应用能效和功率密度。Vishay Siliconix n沟道 SiHP054N65E导通电阻比前代器件降低48.2%，同时导通电阻与......
于普通的MOSFET而言，由于导通电阻与芯片尺寸成反比，Qgd会成比例增加，因此很难同时兼顾这两项参数。针对这个课题，ROHM通过微细化工艺、采用铜夹片连接、改进栅极结构等措施，改善了两者之间的权衡关系。 新产......
。 上拉电阻的定义：在某信号线上，通过电阻与一个固定的高电平VCC相接，使其电压在空闲状态保持在VCC电平，此时电阻被称为上拉电阻......
  MOSFET的导通电阻与击穿电压达到近似线性的关系。因此SJ  MOSFET的导通电阻RDS(on)、栅极容值和输出电荷以及管芯尺寸同时得到明显降低，成为高压开关转换器领域的高效率典型功率......
) 或功率 (PSD) 频谱密度与频率成反比。许多元器件类型都会有 1/f 噪声，包括半导体器件、某些类型的电阻器、石墨烯之类的 2D 材料，甚至包括化学电池。为确定一种器件的 1/f 噪声，我们通常要测量电流相对于时间的关系......
MOSFET的沟道电阻与栅极-源极电压。   图1。NDS351AN MOSFET的沟道电阻与栅极-源极电压的关系。图片由Onsemi提供 瞬时传导损耗（PC）可以使用电力的标准公式之一来计算：   等式1......
损耗的两项主要参数，但对于普通的MOSFET而言，由于导通电阻与芯片尺寸成反比，Qgd会成比例增加，因此很难同时兼顾这两项参数。针对这个课题，ROHM通过微细化工艺、采用铜夹片连接、改进栅极结构等措施，改善了两者之间的权衡关系......
层次 能定量计算这二十个电路的输入输出阻抗、输出信号与输入信号的比值、电路中信号电流或电压与电路参数的关系、电路中信号的幅度与频率关系特性、相位与频率关系特性、电路中元器件参数的选择等。达到高级层次后，只要......
Siliconix n沟道 SiHP054N65E导通电阻比前代器件降低48.2%，同时导通电阻与栅极电荷乘积下降59%，该参数是650 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM......
MOSFET 在4.5 V条件下导通电阻典型值降至18.5 mW，达到业内先进水平。比相同封装尺寸最接近的竞品器件低16 %。SiZF4800LDT低导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET功率......
件采用热增强型3.3mm x 3.3mm PowerPAK® 1212-8S封装，10V条件下导通电阻仅为0.95mW，比上一代产品低5%。此外，4.5V条件下器件导通电阻为1.5mW，而4.5V条件下导通电阻与......
品，扩展了150V N沟道功率MOSFET的产品线。该系列产品适用于通信设备的开关电源等应用。它们是漏源导通电阻为14.1ｍΩ的“TPH1400CQH”和漏源导通电阻为48mΩ的“TPN4800CQH......
上拉电阻与下拉电阻的定义及作用;什么是上拉电阻？ 将一个不确定信号（高或低电平），通过一个电阻与电源VCC相连，固定在高电平； 什么是下拉电阻？ 将一个不确定信号（高或低电平），通过一个电阻与......
mW。于此同时，导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET在开关应用的重要优值系数（FOM）为172 mW*nC，达到同类产品最佳水平。节省空间的Vishay Siliconix SiSS05DN专门用来提高功率......
密度。Vishay Siliconix n沟道 SiHP054N65E导通电阻比前代器件降低48.2%，同时导通电阻与栅极电荷乘积下降59%，该参数是650 V MOSFET在功率......
3.3 mm PowerPAK® 1212-F封装，10V栅极电压条件下导通电阻仅为0.71 mW，导通电阻与栅极电荷乘积，即开关应用中MOSFET关键的优值系数（FOM）为42 mW*nC，达到......
。由于这是不可能的，因为大多数NTC热敏电阻具有更高的温度系数，因此解决方案是将一个或多个较高值的热敏电阻与Rpol并联。 这是模拟热敏电阻温度依赖性的方程式： Rth = Rth0 × eB（1......
导通进入低钳位状态。与之对应的压敏电阻与TVS属于钳位型器件，撬棒型器件具有通流量大的优点，钳位型具有稳定电压的优点，从原理上看，元器件实际能承受的能耗功率是有限的，撬棒型具有低保护电压，因此......
代器件相比，Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 %，导通电阻与栅极电荷乘积，即600 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）下降60......
双极型器件饱和压降低而容量大的特点（功率级较为耐用），频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内。本文引用地址： 理想等效电路与实际等效电路如图所示： 的静......
方的Ni/Au薄膜电极则支持铝丝焊连接，无需焊锡工艺。 相比于其他技术，该解决方案在片式NTC热敏电阻与电源模块之间实现稳定的热耦合，可实现超快响应，以及高精度的温度测量和控制。电源模块在接近其功率......
薄膜电阻与厚膜电阻 - 电流噪声比较;电流噪声是我们不希望的宽频谱信号，可以叠加在任何有用的信号上，包括DC直流信号。与其他无源元件一样，电阻也是不同程度的噪声源，具体取决于电阻值、温度、施加电压和电阻......
长度地导线，低频时，由于截面的尺寸不同，阻抗相差很大，而高频时相差很小。这是因为，导线电阻是由阻抗和感抗两部分组成，频率较低时，感抗很小，电阻起主导作用，电阻与导线的截面尺寸关系很大。频率较高时，感抗......
并不能精确计算效率。可利用SPICE建立开关模式功率放大器的理想模型，阻值为11Ω或22Ω的理想电阻与Q值为10的并联谐振腔连接。图5是仿真原理图，图6为仿真结果。 图6所示，开关模式的功率......
最大的结温。 器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积(结温=最大环境温度+[热阻×功率耗散])。根据这个方程可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS(ON)。由于......
.加热管接线方法   20.电工用电设备实操口诀   21.加热器的接线方法：和温度控制器、热电偶和加热器。   22.电缆截面与电流和功率关系   23.温控仪接线方法   24.常用......
电阻与有源探头的1 MΩ电阻，然后想：“无源探头的电阻更大，这说明负载效应更低。”但是，他们真正应该考虑的是我们在上面讨论过的另一个重要因素，即电容。您可以比较图10中无源探头的9.5 pf电容......
DTMOSVI系列产品，并通过降低开关电源的功率损耗来达到节约节能的目的。 图1：漏极-源极导通电阻与栅漏电荷比较 应用 - 数据中心（服务器开关电源等） - 光伏发电机功率调节器 - 不间......
与频率范围。可以看出，Si-MOSFET在这个比较中，导通电阻与耐压略逊于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率条件下，高速工作表现更佳。 平面MOSFET与 Si......
计适当的栅极驱动电路时必须考虑这些影响，包括导通电阻、栅极电荷（米勒平台）和过电流（DESAT）保护。  二  导通电阻 在低VGS时，一些SiC器件的导通电阻与结温特性之间的关系曲线看起来是抛物线*（由于内部器件特性的组合）。(*这适......
STM32控制的电子负载;今天分享的项目是基于STM32控制的简易电子负载，具有恒流、恒压、恒电阻以及恒功率功能，最大输入电压为100V，热设计功耗为100W，最大负载电流为12A。 系统......
MOSFET SCT2450KE的损耗抑制在5W以下时，作为噪声对策可以将栅极电阻RG提高到多高。 图1：仿真电路“A-5. PFC CCM 2-Phase Vin=200V Iin=5A” 栅极电阻与损耗的关系......
长度地导线，低频时，由于截面的尺寸不同，阻抗相差很大，而高频时相差很小。这是因为，导线电阻是由阻抗和感抗两部分组成，频率较低时，感抗很小，电阻起主导作用，电阻与导线的截面尺寸关系很大。频率较高时，感抗......
方案图中，由于电路的串联关系，流入电阻R的电流是等于Ia，也就是被检测的电流参数。 当被检测电流Ia流入电阻R，电阻R两端产生一个压降差Ur，由于电阻R的右端直接连接到GND地线（0V），电阻R的左......
车规电阻和普通电阻的区别;在科技领域，电阻作为电路中的基本元件，其性能和应用范围直接影响着整个电路的稳定性和效率。而在众多的电阻种类中，车规电阻与普通电阻因其不同的特性和应用场景，各自......
下典型栅极电荷分别为9.5 nC和 6.7 nC。超低导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET功率转换应用重要优值系数（FOM），比相似导通电阻的前代解决方案低35 %。高频开关应用效率提高2%，100 W能效达到98......
4.5 V条件下典型栅极电荷分别为9.5 nC和 6.7 nC。超低导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET功率转换应用重要优值系数（FOM），比相似导通电阻的前代解决方案低35 %。高频......
是一家为性能关键应用领域提供工程技术的全球供应商，今天宣布推出LRMAP4026系列低电阻金属合金功率电阻器，设计用于电源、电机驱动和电池监测领域。该系列电阻器可为包括汽车在内的所有工业应用领域提供四端子开尔文精度和高电流容量。由于......
运放输出极限，本电阻与其他各挡电阻相比要小些。其余4挡电阻基本上为10倍率的关系。其他各挡依此类推。 电感表测量带直流电阻、寄生的电感的注意事项： 由于电感有直流电阻、寄生电容，本电感表测量的是总阻抗，因而......

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