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暗电流控制等技术，报道了昆明物理研究所非本征Au掺杂长波碲镉汞器件研制进展。 Au掺杂碲镉汞长波材料的参数控制 由于Au掺杂原子在碲镉汞材料中为快扩散杂质，在热处理及工艺过程中，很容易往缺陷区及界面扩散富集，因而......
用气体的某些物理效应在不同压力下的变化来测量压力，广泛用于科研和工业生产。 根据真空计测量原理所采用的不同物理机制，真空计主要可分为三类：利用力学性能（如波尔登真空计和薄膜电容规）、利用气体动力学效应（如皮......
焊接方法的电阻点焊已经逐渐被激光焊接所代替。用激光焊接技术，工件连接之间的接合面宽度可以减少，既降低了板材使用量也提高了车体的刚度。激光焊接零部件，零件焊接部位几乎没有变形，焊接速度快，而且不需要焊后热处理，目前激光焊接零部件已经广泛采用......
体器件特性测试仪器和半导体工程服务等。 据招股书披露，概伦电子器件建模及验证EDA工具已经取得较高市场地位，被全球大部分领先的晶圆厂所采用和验证，主要客户包括台积电、三星电子、联电、格芯、中芯......
降低银辉石的结晶温度；以及新的两步机械化学铣削工艺，适合较低的结晶温度。这有利于合成完全卤素取代（约90.67%）的银辉石，电导率约为13.23ms/cm，而无需经过长时间的高温热处理。 该合......
。 另外，iPhone 7/7 Plus所采用的基带芯片由高通和Intel家公司提供。也许正是因为有了新的选择，苹果才终于把高通告上法庭。 责任编辑：mooreelite......
需要突破各项瓶颈。 在此背景下，IME与centrotherm旨在结合IME的工艺集成和器件特性描述能力以及centrotherm的专业设备，共同开发用于制造SiC器件的热处理技术，譬如，优化......
制程涉及普通玻璃外形加工、钢化、油墨丝印、贴覆防爆膜及贴覆防静电膜等工序，具体工艺流程如图2 所示。       图2 钢化玻璃后背板工艺制程 目前，大片玻璃一般都采用平面钢化炉，合理设置好钢化热处理......
会用到特殊的化学液体清洗晶圆表面，最后进行抛光研磨处理，还可以在进行热处理，在硅圆片表面成为“无缺陷层”。一块块亮晶晶的硅圆片就这样被制作出来，装入特制固定盒中密封包装。 制作完成的硅圆片 通常......
先进的22nm HKMG Stack工艺相对于业内上一代主摄CIS所采用的40nm工艺，器件速度更快、工作电压更低，从而让图像传感器能以更高的帧率及更低的功耗进行工作。在同性能水平下，22nm工艺......
工厂首批下线的干法去胶、干式刻蚀和快速热处理设备分别与客户进行了机台交付仪式。在仪式上，电子信息领域国家科技重大专项监督评估专家组组长马俊如表示，半导体工艺发展离不开设备支持，而设备开发要领先于工艺开发，英特尔与台积电都是与设备商共同开发新工艺......
全球主要国家和地区。其中，在半导体工艺装备领域，北方华创的主要产品包括刻蚀、薄膜、清洗、热处理、晶体生长等核心工艺装备，广泛应用于逻辑器件、存储器件、先进封装、第三代半导体、半导体照明、微机电系统、新型显示、新能......
服务体系覆盖欧、美、亚等全球主要国家和地区。 其中，在半导体工艺装备领域，北方华创的主要产品包括刻蚀、薄膜、清洗、热处理、晶体生长等核心工艺装备，广泛应用于逻辑器件、存储器件、先进封装、第三代半导体、半导......
富锂猛基材料性能就极为重要：为了提高晶格氧可逆性，需要优化制备工艺、液相/气相活化；为了提高离子扩散与电荷转移速率，需要调控晶体生长、表面改性、体相掺杂；为了抑制层状结构相转变，需要预循环处理、提高......
半导体设备上市公司万业企业携手全球产业专家共同投资成立，总投资规模达20亿元，用地面积109亩，公司研发及制造刻蚀、薄膜沉积、快速热处理等等集成电路成熟工艺的关键设备，产品范围覆盖芯片制造核心设备的多个重要品类。 据了解，自......
制程相对于业内上一代主摄CIS所采用的40nm制程，器件速度更快、工作电压更低，从而让图像传感器能以更高的帧率及更低的功耗进行工作。在同性能水平下，22nm制程工艺功耗可降低30%，同时......
短的周期生产质量上乘的电源模块。制造产能的增加有助于我们不断满足大批量市场的客户需求。” 全新垂直集成 ChiP 工厂采用的专有生产技术与半导体晶圆厂所采用的专有技术类似。该专利工艺可实现市场上最大功率密度的产品，有助于Vicor......
打印加上简单的热处理也意味着与其他强度相似的材料相比，工艺成本大大降低。” 这项工作的发现有望导致对物理冶金领域强化和位错工程原理的基本见解。 各国......
有铜、锗等64种材料陆续进入芯片制造，每一种材料都需要数千次工艺实验； 第三，提升良率的挑战，吴汉明指出，这也是所有芯片制造企业的终极挑战，只有量产且通过一定良率的工艺才能被称为成熟的成套工艺。 目前......
彼此绝缘的钢片沿轴向叠压起来，以阻碍涡流的流通。具体的铁耗的计算公式这里就不累赘了，大家百度铁耗计算基本的公式以及意义就会很清晰了。下面分析几个主要的影响我们铁耗的关键点，这样大家在实际的工程应用的......
冷轧硅钢片代替热轧硅钢片可减小硅钢片的厚度，但薄铁芯片会增加铁芯片数目和电机制造成本; ● 采用导磁性能良好的冷轧硅钢片降低磁滞损耗; ● 采用高性能铁芯片绝缘涂层; ● 热处理及制造技术 铁芯......
系统和人工智能解决方案日益不可或缺的一部分。 据官微介绍，盛美上海从事对先进集成电路制造与先进晶圆级封装制造行业至关重要的单片晶圆及槽式湿法清洗设备、电镀设备、无应力抛光设备和热处理设备的研发、生产和销售，并致力于向半导体制造商提供定制化、高性......
人员使用折纸和剪纸技术来提供纳米纸在宏观层面的灵活性。他们将鸟和盒子折叠起来，冲压出苹果和雪花等形状，并通过激光切割产生更复杂的结构。这证明了新工艺可能达到的细节水平，以及热处理......
设备、折弯设备、激光切割、切削刀具、硬质合金、磨料磨具、金属切削油、润滑油等；热处理技术与设备；压铸/铸造设备；树脂工艺等；汽车模具/材料及配件：各种注塑模具、冲压模具、压铸模具、铸锻模具等；各种模具钢、特殊......
经济高效的方式，以很短的周期生产质量上乘的电源模块。制造产能的增加有助于我们不断满足大批量市场的客户需求。”全新垂直集成 ChiP 工厂采用的专有生产技术与半导体晶圆厂所采用的......
适用于各种测量领域。 作为热处理设备专家，YEST目前正在开发用于HBM底部填充工艺的下一代晶圆压缩设备。该工艺涉及用绝缘树脂填充DRAM芯片之间的间隙，以保......
显示等泛半导体领域，产品竞争力及出货量再上新台阶。 此外，真空热处理设备采取高温、高压、高真空的技术发展路线，多种新型热处理设备开发完成，实现对半导体材料、陶瓷材料、磁性材料等行业的销售。高真......
代的 Warboy 将由电子在明年上半年采用 5nm 制程工艺代工，性能也将明显提升。 从外媒的报道来看，NPU 是专为人工智能应用设计，能弥补当前人工智能平台所采用的 GPU 能耗大、价格......
带线性化要求较高，跟4G射频前端设计方法有一定差别。 封装：采用GaAs功放的倒装方案，提高性能，降低功耗。 另外，我们也留意到，知乎网友@柏铭007表示，华为P50所采用的骁龙888芯片，由于......
硅薄膜及衬底纵向电阻率分布 在300 mm RF-SOI晶圆制备过程中，自主开发了基于高温热处理的非接触式平坦化工艺，实现了SOI晶圆原子级表面平坦化。图2(a)展示了团队研制的国内第一片300 mm RF-SOI晶圆；图2......
硅薄膜及衬底纵向电阻率分布在300 mm RF-SOI晶圆制备过程中，自主开发了基于高温热处理的非接触式平坦化工艺，实现了SOI晶圆原子级表面平坦化。图2(a)展示了团队研制的国内第一片300 mm RF-SOI晶圆......
覆盖集成电路离子注入机、刻蚀、薄膜沉积、快速热处理等多类主制程设备以及尾气处理等支撑制程设备，公司长期支持国产设备的成长与研发。 封面图片来源：拍信网......
技术和电路研讨会上详细的说明了如何在不久的将来制造运算速度更快、制造成本更低，而且更可靠的处理器。其中，解报的内容大多数围绕着Intel 4这个节点制程上。这个之前被称做7纳米工艺制程的工艺技术，英特......
是外围的芯片也在努力自行开发。 　　除了大众所知的这些芯片外华为其实还有电信设备、网络通信设备所采用的网通处理器等也是华为海思设计，2014年台积电推出的16nm工艺正是华为海思帮助开发的，而华为海思的网通处理......
开发出成本与性能都能达到平衡的产品。218层的第八代BiCS FLASH正是在这样的前提下诞生的。 第八代BiCS FLASH所采用的CBA（CMOS directly Bonded to Array） 两片晶圆，合二......
开发出成本与性能都能达到平衡的产品。218层的第八代BiCS FLASH正是在这样的前提下诞生的。 第八代BiCS FLASH所采用的CBA（CMOS directly Bonded to Array） 两片晶圆，合二......
开发出成本与性能都能达到平衡的产品。218层的第八代BiCS FLASH正是在这样的前提下诞生的。 第八代BiCS FLASH所采用的CBA（CMOS directly Bonded to Array） 两片......
Cortex-X4超大核，相较骁龙8 Gen2所采用的Cortex-X3超大核在性能方面有着不小的提升。 据悉，骁龙8 Gen3所采用的Cortex-X4超大核频率比起Cortex......
组重复单元的电化学性能一致性稍差，目前在优化电堆结构以实现重复单元在整堆中的电化学性能一致性。 -BOP（热处理）- 目前已针对BOP（热处理）的核心反应区进行了预测试，结果表明，进出气温度、换热......
，日本经济产业省公布了外汇法法令修正案，将先进芯片制造设备等23个品类追加列入出口管理的管制对象，上述修正案在经过2个月的公告期后，将在7月23日实行。 该计划涉及清洗、成膜、热处理、曝光、蚀刻、检查......
半导体设备，涵盖光刻、刻蚀、薄膜沉积、热处理、清洗和检验等。DIGITIMES Research分析师Eric Chen表示，对光刻和薄膜沉积设备的限制更有可能实施，从而影响中国先进的半导体制造。 在光......
洗设备都是由北方华创供应的，此外还部分采用了北方华创与成都莱普科技的热处理设备，上海微电子装备和中科飞测的测量设备。 而统计今年至今招标平台信息可知，上海积塔半导体今年招标工艺设备超150台，值得注意的是，今年......
家国产半导体设备厂商达成了战略合作，如北方华创、盛美半导体、拓荆科技等。根据此前中国国际招标网的信息显示，积塔半导体的一期产线当中，64%的清洗设备由北方华创供应，此外还部分采用了北方华创与成都莱普科技的热处理设备，上海......
限制，IC使用相对较少的材料就可以生产，并且正在变得越来越小，使用的材料也越来越少，IC本身也在变得更快更高效; 第三，理论而言，信息处理所......
等离子旋转晶圆，形成原子级别膜的设备，利用EUV光掩膜的成膜设备，准确形成硅膜、硅化合物膜的设备； 热处理：通过热处理，除去薄膜内空隙的设备； 曝光：EUV涂覆、显影设备，防护板(EUV光掩膜方向)生产......
车辆电气化和自动驾驶大趋势的发展，瞬态二极管小型化对于汽车电子工程师和PCB设计师而言正变得越来越重要。汽车级SZSMF4L瞬态抑制二极管在提供更大灵活性的同时节省了空间，提供了理想的400瓦解决方案，所采用的......
中国和其他特定国家和地区未被明确列为受监管对象，但新增的23个项目将需要单独许可证，不包括友好国家等42个国家和地区的许可证，这给中国和其他国家的出口带来了实际困难。 据经济产业省称，该计划涉及清洗、成膜、热处理、曝光、蚀刻......
据电机工作条件和要求，合理选择材料。2.加工工艺：加工工艺是电机零部件加工精度的决定性因素。加工工艺包括切削工艺、热处理工艺、表面处理工艺等。不同的加工工艺对于尺寸控制、表面质量和机械性能等方面有不同的影响，需要......
助台积电的3nm工艺，谷歌有望在性能上缩小与竞争对手的差距。另一方面，三星近期面临良品率问题。据传，Exynos 2500所采用的第二代3nm工艺（SF3）良品率仅为20%，远低于预期。若未......
构上可能稍显逊色，但借助台积电的3nm工艺，谷歌有望在性能上缩小与竞争对手的差距。 另一方面，三星近期面临良品率问题。据传，Exynos 2500所采用的第二代3nm工艺（SF3）良品率仅为20%，远低于预期。 若未......

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;安丘市九星热处理材料有限公司（永信）;;公司始建于一九七七年，是全国最大的热处理工艺材料专业化生产企业。多年来致力于热处理工艺材料的研制与开发，发展中得到了北京机电研究所、航空621所和
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