资讯
优化衬底助推第三代半导体实现汽车创新(2023-01-09)
的氮化镓外延片是一种复合（Al，In，Ga）N多层结构，通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）在硅或碳化硅衬底上外延生长。所得到的GaN/Si和GaN/SiC外延片被用于制造电子器件，与现......
高清晰小尺寸，日本开发最小的硅衬底GaN激光芯片(2022-11-28)
在其位于京都的先进材料和器件研究所开发了新工艺技术，在硅衬底上生长了一个GaN层，可以以低成本大批量生产，然后用中心有开口的非生长材料掩蔽GaN层。
当在硅衬底上形成GaN层时，GaN核在掩模的开口上方生长。GaN......
下一代高性能晶体管——纳米线能否继任FinFET(2016-11-23)
米线进行堆叠处理能够增加特定面积的电流流量，也就可以提高通过晶体管特定面积的电流。
纳米线晶体管的独特之处在于其纳米线的形成。
一般来说为了形成水平纳米线，首先需要在硅衬底上交替外延或者淀积几种材料，比如在硅衬底上......
下一代高性能晶体管——纳米线能否继任FinFET(2016-11-23)
米线进行堆叠处理能够增加特定面积的电流流量，也就可以提高通过晶体管特定面积的电流。
纳米线晶体管的独特之处在于其纳米线的形成。
一般来说为了形成水平纳米线，首先需要在硅衬底上交替外延或者淀积几种材料，比如在硅衬底上......
碳化硅衬底又传新动态！涉及晶盛机电/天岳先进(2023-12-06)
因具有更高的有效利用率，帮助降低成本，近年来备受业界重视。
除了晶盛机电透露碳化硅衬底进度外，此前在2023年半导体论坛上，天岳先进CTO高超博士表示，公司已通过液相法制备出了低缺陷密度的8......
8英寸碳化硅时代呼啸而来！(2024-09-09)
、N型3CSiC单晶及衬底等制备。
销售方面，天岳先进在8英寸衬底上进行了前瞻性布局，已经具备先发优势和领先地位。公司不仅实现8英寸碳化硅衬底国产化替代，公司8英寸碳化硅衬底......
业界首款300mm碳化硅衬底问世(2024-11-14)
基器件的需求也突破式增长，其中上游关键材料碳化硅衬底显得尤为重要。业界指出，碳化硅衬底的尺寸越大，其面积也越大，意味着可以在单个衬底上制造更多的芯片，从而提高生产效率。同时，大尺寸衬底可减少边缘浪费，有助......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
构和参数进行模拟仿真。
2、外延片制造流程
氮化镓外延片可在硅衬底、碳化硅衬底或蓝宝石衬底上进行生长，从成本和大批量生产考虑，外延的每一层的沉积一般采用MOCVD（金属氧化物化学气相沉积）。
图 5 氮化......
三菱电机入局最强半导体，氧化镓将在10年后打败第三代半导体(2023-08-07)
材料环节，氧化镓粉末价格约为 2000-3000 元 / 千克，碳化硅高纯粉达上万元 / 千克。在单晶衬底制备环节，氧化镓单晶衬底生长周期普遍比碳化硅短，国际领先企业生产氧化镓的效率比碳化硅普遍大 2 倍。若无......
碳化硅相关技术实现新突破(2024-08-22)
VDMOS的制备方法，包括：在碳化硅衬底的一侧面淀积金属，形成漏极金属层，在碳化硅衬底的另一侧面淀积生长形成漂移层；在漂移层上方淀积阻挡层，刻蚀，离子注入形成低阻结构层、阱区......
日本一企业宣布已成功制备8英寸SiC晶圆(2024-09-20)
业务包括制造和销售汽车尾气净化所需的各种工业用陶瓷产品、电子及电气设备用陶瓷产品、特殊金属产品、蓄电系统、绝缘子和电力相关设备等。
除了展示8英寸SiC晶圆以外，日本碍子还将披露“在多种衬底上生长低BPD密度4H-SiC单晶......
8英寸碳化硅之争，正燃(2024-09-20)
导电型于近期已经形成规模化并进入量产阶段，产品在持续交付；另外，天岳先进于今年7月拟定增募资3亿元，用于投资8英寸车规级碳化硅衬底制备技术提升项目。
天岳先进董事长、总经理宗艳民称，从降本的角度，长期......
8英寸时代：国产碳化硅衬底如何升级？(2023-10-27)
8英寸时代：国产碳化硅衬底如何升级？;当下，新能源汽车、5G通讯、光伏、储能等下游领域迸射出的强烈需求，正驱动着碳化硅（SiC）产业在高速发展，与此同时多方纷纷加强研发力度，旨在突破技术壁垒，抢占......
共14家！8英寸碳化硅衬底企业进度一览(2023-02-10)
共14家！8英寸碳化硅衬底企业进度一览;当下，电动汽车渗透率不断增高，同时整车电气架构向800V高压方向演进，这一趋势推动了市场对SiC器件的需求。其中，SiC衬底作为成本最高、技术......
全球芯片正在破局...(2024-07-15)
得到大幅度提升。据了解，在抛光过程中，碳化硅衬底作为阳极，与抛光板（阴极）之间夹着SPE/CeO2复合材料衬垫。当施加偏置电压时，碳化硅表面与SPE发生电解反应，形成一层易于去除的氧化膜，这层氧化......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-14)
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发;近期，媒体报道进化半导体完成近亿元人民币融资。据悉，进化半导体是以国际首创无铱工艺制备超宽禁带材料氧化镓为特色的化合物半导体衬底企业，创立于2021年5月，专注于以创新技术制备氧化......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-17)
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发;
【导读】近期，媒体报道进化半导体完成近亿元人民币融资。据悉，进化半导体是以国际首创无铱工艺制备超宽禁带材料氧化镓为特色的化合物半导体衬底企业，创立......
深入了解Soitec的SmartSiC技术(2023-09-12)
(SiC-MOSFET) 和关键碳化硅衬底本身的需求从未如此之大。据多位分析师预测，2023 年 SiC 市场价值将达到 10-20 亿美元，并且复合年增长率达到 30%。 然而，关于......
天岳先进、天域半导体等碳化硅大厂迎最新动态！(2024-07-08)
外延片的生长工艺。
此碳化硅外延片的生长工艺包括依次的如下步骤：（I）将碳化硅衬底进行前处理；（II）采用分子束外延设备于所述碳化硅衬底上形成第一碳化硅缓冲层；（III）置于......
天岳先进官宣：液相法P型碳化硅衬底成功交付(2024-11-07)
布了全球首个8英寸碳化硅晶体，并于2024年推出了采用液相法制备的4度偏角P型碳化硅衬底。
据悉，液相法具有生长高品质晶体的优势，在长晶原理上决定了可以生长超高品质的碳化硅晶体。天岳先进目前在液相法领域获得了低贯穿位错和零层错的碳化硅......
国内8英寸SiC传来新进展！(2023-06-26)
国内8英寸SiC传来新进展！;近年来，汽车、太阳能和电动汽车充电应用及储能系统等领域对碳化硅半导体产品需求不断增长，并推动新兴半导体材料的发展。
在碳化硅衬底上，国内厂商正加速研发步伐，如晶......
天岳先进：公司8英寸衬底开发进展顺利(2022-09-23)
成本的重要途径，碳化硅衬底行业未来必然向着更大尺寸的方向发展。公司先前已经布局了8英寸产品的研发，是国内最早研发和布局产业化的企业之一，包括“8英寸宽禁带碳化硅半导体单晶生长及衬底加工关键技术项目”等。公司将持续加大8......
中科院金刚石基氧化镓异质集成材料与器件研究获突破性进展(2024-12-17)
/K，极大提升氧化镓射频器件性能和散热能力。该方法不仅成本低、不受晶圆表面质量限制，还兼容其他不同尺寸、不同种类的XOI异质集成薄膜到任意衬底上甚至任意位向的转移。
（a）1英寸金刚石基阵列化氧化镓单晶薄膜及其制备......
全球有多少座8英寸碳化硅厂？(2024-10-10)
导电型4H-SiC衬底项目已实现全线贯通，产品在微管密度、电阻率等关键性能指标上表现优异；9月2日天岳先进表示，在8英寸碳化硅衬底上，公司率先实现了自主扩径，完成从8英寸导电型衬底制备......
SiC供需缺口较大，天岳先进：已与英飞凌、博世集团等加强合作(2023-07-05)
SiC供需缺口较大，天岳先进：已与英飞凌、博世集团等加强合作;7月4日，碳化硅衬底厂商天岳先进在投资者互动平台表示，公司具备碳化硅衬底制备全流程核心关键技术，已与国际半导体知名企业加强合作，包括......
史上最全第三代半导体产业发展介绍(2017-07-27)
，等。其中Cree公司和SiCrystal公司的市场占有率超过85%。在所有的碳化硅制备厂商中以美国Cree公司最强，其碳化硅单晶材料的技术水平可代表了国际水平，专家预测在未来的几年里Cree公司还将在碳化硅衬底......
碳化硅技术再突破 烁科晶体、晶盛机电、露笑科技迎新进展(2022-03-04)
生产和研发的领军企业。公司通过自主创新和自主研发全面掌握了碳化硅生长装备制造、高纯碳化硅粉料制备工艺，N型碳化硅单晶衬底和高纯半绝缘碳化硅单晶衬底的制备工艺，形成了碳化硅粉料制备、单晶生长、晶片加工等整套生产线，并在......
一体化芯片同时集成激光器和光子波导，有望催生更精确原子钟实验(2023-08-11)
止可能会出现的导致芯片不稳定的反射。但这种方法需要使用磁性材料，而这也会引发新的问题。在最新研究中，科学家找到了解决这些问题的方法，创造出了第一个真正可用的集成芯片。
研究人员首先在硅衬底上放置一个超低损耗氮化硅......
车规碳化硅功率模块 - 衬底和外延篇(2023-01-10)
器件制造工艺中，生长沉积在晶圆衬底上的那一部分。我们为什么需要外延？在某些情况下，需要碳化硅有非常纯的与衬底有相同晶体结构表面，还要保持对杂质类型和浓度的控制。这要通过在碳化硅衬底......
全球有多少座8英寸碳化硅芯片厂？(2024-10-10 12:57:53)
率等关键性能指标上表现优异；9月2日天岳先进表示，在8英寸碳化硅衬底上，公司率先实现了自主扩径，完成从8英寸导电型衬底制备到产业化的快速布局；科友半导体近期则表示，该公司的8英寸碳化硅长晶良率达到60%左右，8英寸碳化硅衬底......
8英寸碳化硅衬底材料装备开发及产业化工艺研究项目顺利通过中期验收(2023-12-15)
，具备批量制备能力并形成自主知识产权。项目的阶段验收成功通过，表明科友在8英寸碳化硅衬底产业化方面迈上了新的台阶。......
首发｜安储科技完成Pre-A轮融资，为半导体领域提供更佳的抛光清洗方案(2024-03-19)
更具竞争优势。
在碳化硅衬底抛光液方面，目前Fujimi、Ferro、卡博特（Cabot）、圣戈班（Saint-Gobain）等国际厂商占据全球大部分市场，这些厂商普遍采用氧化铝作为研磨颗粒。安储科技则创新性的采用了金属氧化......
国内6英寸、8英寸碳化硅衬底片迎来新进展(2023-11-07)
产能有望提前达产，第二阶段96万片产能规划也已启动。
尽管目前导电型碳化硅衬底产品仍然以6英寸为主，8英寸尚未普及，但早在2022年初，天岳先进就公布了自主扩径制备的高品质8英寸衬底，目前公司已经具备8英寸......
氧化镓商业化脚步临近，或将与碳化硅直接竞争(2023-09-22)
的研究，如转移到高导热率碳化硅和碳基衬底上异质集成制备氧化镓MOSFET器件，近日也出现了将氧化镓与金刚石进行键合的消息。美国弗吉尼亚理工大学通过双面银烧结的封装方式解决散热问题，能够......
剑指8英寸碳化硅！两大厂官宣合作(2024-09-26)
了8英寸碳化硅键合衬底。
Resonac与Soitec本次合作围绕8英寸碳化硅键合衬底制备进行突破，有望通过降低8英寸碳化硅衬底生产成本，为产业界客户提供更具竞争力的价格。
Resonac......
乾晶半导体完成亿元Pre-A轮融资，将用于碳化硅衬底的技术创新和批量生产(2023-01-16)
半导体脱胎于半导体材料专家杨德仁院士指导下的浙江大学杭州国际科创中心（以下简称“浙大科创中心”）先进半导体院碳化硅衬底项目，该项目在碳化硅衬底的研发制备上曾取得了系列研究成果。乾晶半导体与浙大科创中心建有联合实验室，也与......
科友半导体第三代半导体产学研聚集区二期工程将于近期开工(2023-03-27)
科友半导体已累计投入研发经费近2000万元，获得授权专利达133项。
科友半导体解决了大尺寸碳化硅单晶制备易开裂、缺陷密度高、生长速率慢等技术难题，突破了碳化硅衬底产业化系列关键技术，完成了6英寸设备研制、生产......
半导体制造工艺——挑战与机遇(2024-01-12)
硅晶片作为半导体工艺的起始材料。清洗、抛光晶圆，并准备用作制造电子元件的衬底。
第二步：图案化
在这一过程中，使用称为光刻的工艺在硅晶片上创建图案。将一层抗腐蚀的光刻胶施加到晶片表面，然后......
车规碳化硅功率模块——衬底和外延篇(2023-01-10)
各种位错的特征
外延后的缺陷——位错的传播
外延层中的扩展表面缺陷
图四 碳化硅衬底缺陷
高质量的晶体是整个碳化硅供应链的基石，而GTAT在这些方面积累了相当丰富的生产经验，它确保了安森美的碳化硅器件是在一个高质量的衬底上......
中机新材与南砂晶圆签订战略合作框架协议(2024-05-27)
产品已实现全面自主研发和量产，有用于金属及非金属硬脆材料加工的切削研磨抛光材料及研磨抛光的精细化工产品，包括但不限于团聚金刚石微粉、团聚金刚石研磨液、氧化铝抛光液、二氧化硅......
南砂晶圆已生长出单一4H晶型8英寸SiC 晶体(2023-03-10)
晶圆总经理助理陈秀芳带来题为“大尺寸4H-SiC单晶扩径及衬底制备”的主题报告。
近期，在第八届国际第三代半导体论坛召开的“碳化硅衬底......
实现电子皮肤温度预警的柔性可穿戴长波红外光热电探测器(2024-05-11)
异质结构的长波红外探测性能
随后，研究人员利用牺牲层辅助微纳加工技术在柔性聚酰亚胺衬底上制备了基于Te/CuTe多层异质结构的热电堆探测器阵列（4 × 4）。图4a和图4b分别展示了所制备......
南砂晶圆旗下中晶芯源8英寸碳化硅衬底生产基地投产(2024-06-25)
总部设在广州市南沙区，现有广州、中山、济南三大生产基地，形成了碳化硅单晶炉制造、碳化硅粉料制备、碳化硅单晶生长和村底制备等完整的生产线。
南砂晶圆的产品主要以6、8英寸导电型和半绝缘型碳化硅衬底为主。南砂......
科友半导体重大科技专项中期验收通过验收(2023-12-13)
科友半导体重大科技专项中期验收通过验收;据科友半导体消息，2023年12月10日，哈尔滨市科技局组织省内外专家，在松北区组织召开“8英寸碳化硅衬底材料装备开发及产业化工艺研究”项目......
市场需求激增，碳化硅衬底商纷纷斩获大单(2022-08-25)
市场需求激增，碳化硅衬底商纷纷斩获大单;碳化硅（SiC）器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、转化效率高、体积小和重量轻等优点，被广泛应用于新能源汽车、轨道交通、光伏、5G通讯等领域。
碳化硅衬底是碳化硅......
沙子做的芯片凭啥卖那么贵？(2016-11-25)
%，其主要表现形式就是沙子（主要成分为二氧化硅），沙子里面就含有相当量的硅。因此硅作为IC制作的原材料最合适不过，想想看地球上有几个浩瀚无垠的沙漠，来源既便宜又方便。
2、硅熔炼、提纯......
资本蜂拥的碳化硅衬底市场，各大项目进展如何？(2022-05-31)
的稳定供应。
差距在8英寸碳化硅衬底上更为明显。
国际企业方面，Wolfspeed、罗姆、II-VI均在2015年就已展示了8英寸碳化硅衬底，其中Wolfspeed还在2019年5月宣......
第四代半导体氧化镓，被忽略的商机(2023-07-31)
镓单晶；此外，今年3月媒体报道，西安邮电大学在超宽禁带半导体研究上取得重要进展，该校电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片；今年2月......
总投资50亿元，晶盛机电碳化硅衬底晶片生产项目落户银川(2022-02-28)
总投资50亿元，晶盛机电碳化硅衬底晶片生产项目落户银川;近日，银川市2022年一季度项目集中签约暨政银企对接会召开，签约招商引资项目52个，总投资456亿元。会上，银川市各县（市）区、园区......
博蓝特第三代半导体碳化硅衬底项目计划落地延陵(2024-01-19)
博蓝特第三代半导体碳化硅衬底项目计划落地延陵;1月18日，博蓝特第三代半导体碳化硅衬底项目落地延陵镇。博蓝特计划在延陵镇投资10亿元建设年产25万片的6-8英寸碳化硅衬底，该项......
相关企业
;广州市禾英贸易有限公司;;广州市禾英贸易有限公司是一家专业从事化工原料气相二氧化硅贸易的公司，公司一直致力于国际，国内一流品牌气相二氧化硅的销售。 我们拥有一个年轻有活力，锐意进取的团队。能够
;山东天岳先进材料科技有限公司;;山东天岳先进材料科技有限公司是专业从事蓝宝石和碳化硅单晶生长加工的高新技术企业。公司的主要产品有2-6英寸蓝宝石和2-4英寸碳化硅单晶衬底，其产
;浙 江杭州万景新材料有限公司;;现生产的产品有：纳米二氧化钛系列粉体、纳米二氧化钛系列液体、纳米二氧化硅粉体和液体系列、纳米抗菌剂系列、纳米氧化锌系列、纳米氧化铝系列、纳米ATO、纳米氧化锆、纳米
;深圳市惠尔光学材料有限公;;深圳市惠尔光学材料有限公,司专营光学镀膜材料，防水药，抛光粉，金属靶材等．主要产品有：一氧化硅，二氧化硅，氧化铝，氧化镁，氧化铟锡，二氧化钛，五氧化三钛，氧化锆，五氧化
;广州合仟贸易有限公司销售部;;广州合仟贸易有限公司专注于化工原料贸易。专业代理赢创-德固赛（Evonik Degussa ）、瓦克（Waker）、卡博特（Cabot）、德山（Tokuyama）公司的全系列气相二氧化硅
;无锡金鼎隆华化工有限公司;;无锡金鼎隆华 本公司专门从事化工原料经营的公司，国产全系列气相二氧化硅（气相白碳黑）华东总代理、乌克兰卡路什化学公司全系列气相二氧化硅（气相白碳黑）华东总代理、另外
载银抗菌粉，纳米三防整理剂，纳米防水防油防污剂， 纳米二氧化硅，纳米氧化锌，纳米金属，光触媒，精细化工 氨基酸保湿剂，特丁基对苯二酚，吡啶硫酮锌，脱氢枞胺等。产品已经广泛用于化妆品、保健、食品、医药
;福州三邦硅材料有限公司;;福州三邦硅材料有限公司，专业纳米二氧化硅生产企业。具有专业的纳米研究机构，从事纳米溶胶研究十几年，产品覆盖各个粒度范围和各种pH值条件下都极其稳定；包括
靶、二氧化硅靶、二氧化钛靶、三氧化二铝靶、钛酸锶靶、钛酸钡靶、氧化锆靶、氧化铪靶、氧化镁靶、氮化硼靶、碳化硅靶、三氧化二钇靶、氧化锌靶、钌靶、钯靶、铱靶、金靶、铂靶、银靶等各种金属靶材，合金
全自动液压震动成型机和高速升温烧成梭式窑（1750℃）可生产大面、超厚、超薄耐火材料制品，主要产品有：碳化硅、莫来石、刚玉-莫来石、堇青石-莫来石、硅线石（红柱石）-莫来石系列产品，其中二氧化硅结合碳化硅转、莫来石结合碳化硅砖、刚玉