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Transphorm发布紧凑型240瓦电源适配器参考设计;Transphorm发布紧凑型240瓦电源适配器参考设计，该方案采用了高性能TO-220封装氮化镓功率管 目前，同业竞争氮化镓技术均未推出插件式封装......
SuperGaN® 功率管 (TP65H150G4PS)，该氮化镓功率管的导通电阻为150毫欧，采用为业界所熟悉且深受信赖的三引脚TO-220封装。在使用PFC架构、较高电流的电源系统中，这种晶体管封装......
计使用了三个的SuperGaN® 功率管 (TP65H150G4PS)，该的导通电阻为150毫欧，采用为业界所熟悉且深受信赖的三引脚TO-220封装。在使用PFC架构、较高电流的电源系统中，这种晶体管封装......
计使用了三个Transphorm的SuperGaN® 功率管 (TP65H150G4PS)，该氮化镓功率管的导通电阻为150毫欧，采用为业界所熟悉且深受信赖的三引脚TO-220封装。在使用PFC架构、较高......
表的第三代半导体产品的工艺研发和制造，主要业务包括碳化硅和氮化镓的外延、第三代半导体功率及射频等相关芯片制造、功率模块和功率单管封装测试等全产业链的研发生产及销售。 其中，启迪......
提升新能源车电驱方案中单管封装的散热性能;经典单管TO直插封装有两类TO-220和TO-247，其使逆变器系统并联扩容灵活，器件成本优势明显，且标准封装容易找替代品，广泛应用于中小功率范围。在单......
器件项目由深圳惠科投资有限公司与即墨区马山实业发展有限公司共同出资建设，项目占地约160亩，一期投资29亿元人民币，新上产能360万片/年的芯片和先进晶圆芯片级成管封装生产线及配套系统，成为国内单体产出最大的功率......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗;半桥器件采用Trench IGBT技术，可选低VCE(ON)或低Eoff，适用于大电流逆变级 美国 宾夕......
;系列，包括低频小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP)，低噪声管9014(NPN)，高频小功率管9018(NPN)等。它们的型号一般都标在塑壳上，而样子都一样，都是TO-92标准封装。在老......
高性能微型变压器的绕制，并完成与发射和接收芯片的互联，有效提高了芯片转换效率和功率密度，为今后隔离电源芯片的设计提供了一个新的解决方案。 隔离电源芯片对于保证系统安全和可靠性至关重要。程林教授课题组利用先进的玻璃扇出型晶圆级封装......
泽华电子产品有限责任公司副总经理王作为在报道中表示，碳化硅封装测试生产线扩建项目于今年3月份开始建设，现在一期2700平生产厂房已进入装修阶段。项目‘十一’后可投产使用。用于生产碳化硅材料集成电路及大高功率晶体管封装，该项......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗; 2024年2月29日，美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海——日前，威世科技Vishay......
Vishay推出采用改良设计的INT－A－PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗;半桥器件采用Trench IGBT技术，可选低VCE(ON)或低Eoff，适用于大电流逆变级日前，威世......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和;日前，威世科技 Intertechnology, Inc.宣布，推出五款采用改良设计的封装新型半桥---VS......
, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始规格书。TP120H070WS功率管是迄今为止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半导体，领先......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗; 【导读】日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市......
戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管......
的点接触二极管，有点象在中国玩矿石机里常用的2AP9，只不过没有涂黑漆：           更有趣的是几个金属管封装的中小功率锗三极管（下图箭头所指），在中国的老收音机里很常见，但是在日本70年代......
浅谈ASDM40P55KQ的高效电源管理解决方案;随着科技的不断进步，电子设备的功能日益强大，对功率管理的需求也越来越高。在这个快节奏的时代，我们......
.产品特性 内置高压复合功率管。 SMD PLUS超强散热封装形式。内置抖频工作模式。有效降低EMI RE/CE的辐射。深度恒流和精准恒压的特性。无电容/原边反馈控制电路。正负4%恒压/恒流精度。无音......
于第三代半导体技术的研发和生产。拥有以GaN和SiC为代表的第三代半导体外延生长、芯片制造、器件和模组封装测试等四条生产线。 据介绍，启迪半导体具备从芯片制造到IGBT模组和单管封......
Littelfuse采用表面安装式封装的SZSMF4L汽车级400瓦瞬态抑制二极管;为大功率应用提供可靠的电路保护，所需PCB空间减少约40%。 中国北京，2023年8月15日讯......
能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始规格书。TP120H070WS功率管......
使能、互锁、欠压保护不同版本，有SOP8、HSOP8、DFN10、DFN8多种封装可选，广泛适用于微逆、功率优化器、电源模块、新能......
直流高压电路与底线间的阻值，检查高压电路与地是否短路或泄放电阻有无开路。如果高压电路与地短路未排除而直接通电开机，容易烧坏整流管或电源变压器。有的扩音机泄放电阻开路，会造成帘栅压过高，功率管......
短路保护和芯片过温保护等, 在芯片工作状态超出正常规格时能及时关闭功率管以保护系统和芯片。 LP645X 采用标准的SOT23-6封装和小尺寸的SOT563封装......
及精密模具项目正式投产。 消息显示，鲁光5G通信半导体封测产业园项目，新上全自动固晶机、真空焊接炉、自动上料注塑成型机等智能制造生产线6条，计划年配套组装5000万只IGBT（6寸及以下纯硅片）单管封装测试、30亿只......
从Digikey购买。 关于EPC 宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓（eGaN®）的功率管理器件的领先供货商，氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目......
的缺陷。本文引用地址：研究人员表示将蓝色发光二极管封装在亚烷基带（alkylene straps）中，不仅能显著降低烧屏风险，而且在制造过程中提高效率。 研究......
Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据;Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据 该公司高压氮化镓器件持续为全功率范围的应用提供极佳的可靠性 加州......
开路结构报告故障情况；版本B的ISNS引脚输出的小电流与流经内部功率管的电流成比例。通过将电阻器从ISNS引脚连接到GND，用户可以监控负载电路的电压，以便检测各种负载情况，包括正常运行、短路接地、负载......
Littelfuse推出采用表面安装式封装的SZSMF4L汽车级400瓦瞬态抑制二极管;为大功率应用提供可靠的电路保护，所需PCB空间减少约40%。Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS......
罗姆推出集成驱动和功率管的650V氮化镓功率级IC;ROHM 开发了内置 650V GaN HEMT 和栅极驱动器的功率级 IC - BM3G0xxMUV-LB 系列。 这些......
罗姆推出集成驱动和功率管的650V氮化镓功率级IC;ROHM 开发了内置 650V GaN HEMT 和栅极驱动器的功率级 IC - BM3G0xxMUV-LB 系列。 这些......
电路主要有以下几个方面： 1）防止栅极 di/dt过高： 由于采用驱动芯片，其输出阻抗较低，直接驱动功率管会引起驱动的功率管快速的开通和关断，有可能造成功率管漏源极间的电压震荡，或者有可能造成功率管......
印刷电路板尺寸。AL8807B是集成功率管的迟滞控制驱动器，其工作频率可达1MHz。该器件仅通过外部检测电阻器来设定输出电流。 这款驱动器把快速的数字脉冲宽度调制信号施加于控制输入以进行调光；当低......
共地需求，需要用隔离器件来实现电平转换功能；三是高抗噪需求，以实现更高的CMTI（共模抑制比）抗扰能力，避免出现大的噪声干扰，导致功率管误开通；特别是碳化硅的应用会使开关频率上升，出现比较大的dv/dt......
能 力 ， 即 使 有 ， 也 比 较 短 ， 例 如 英 飞 凌 的CoolSiCTM 单管封装器件标称短路时间是3us，EASY封装器件标称短路时间是2us。 为什么IGBT和SiC 短路......
高压MOS功率管。 SMD PLUS超强散热封装形式。内置抖频工作模式。有效降低EMI RE/CE的辐射。深度恒流和精准恒压的特性。无电容/原边反馈控制电路。正负4%恒压/恒流精度。无音......
市场上具有最低导通电阻的GaN FET，与EPC的上一代产品相比，其功率密度提高了一倍。 EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐热QFN封装，顶部裸露，封装尺寸只有3 mm x......
Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据; 该公司高压器件持续为全功率范围的应用提供极佳的可靠性 加州戈利塔—2012年12月15日--高可靠性、高性......
市场上具有最低的，与的上一代产品相比，其功率密度提高了一倍。本文引用地址： EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐热QFN封装，顶部裸露，封装尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS......
配置采用行业标准，这意味着TOLL封装的SuperGaN功率管可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件还具备Transphorm经验证的高压动态(开关)导通电阻可靠性——而市......
微NSi6801单通道隔离驱动器能够兼容光耦输入，其优秀的性能比起传统的光耦式栅极驱动器，工作寿命更长，能在更高温的环境下工作，传播延迟更短，脉冲宽度失真更小。可用于驱动SiC，IGBT和MOSFET等功率管......
目由安徽大鹏半导体有限公司投资建设，总投资2.25亿元，厂房面积约24000平方米，建设1条半导体芯片生产线，1条半导体芯片DFN封装生产线，达产后年产60万片6寸芯片晶圆和12000KK支半导体功率管。 封面......
总成PEM拆解图。从功率板上所用到的IGBT单管封装来看，至少有两个版本（来源：Gruber Motors, Tesla Owners US in English） 较早的PEM 185采用的IGBT单管......
； o   低功率管理（L1.2）设计。 ·88NV1120：支持SATA 6Gb/s： o   支持SATA DevSlp。 ·88NV1140和88NV1120均具备： o   强大......
罗姆推出集成驱动和功率管的650V氮化镓功率级IC; 【导读】ROHM 开发了内置 650V GaN HEMT 和栅极驱动器的功率级 IC - BM3G0xxMUV-LB 系列。 这些......
高性能塑封半桥模块制造生产线及相关配套为建设内容。一期项目预计于2024年四季度建成。 据了解，晶能微电子秀洲基地是晶能微电子继余杭工厂（全桥模块）、温岭工厂（单管封装），建设......
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