ROHM 开发了内置 650V GaN HEMT 和栅极驱动器的功率级 IC - BM3G0xxMUV-LB 系列。 这些器件非常适合工业和消费应用（例如数据服务器和交流适配器）内的主电源。

在过去的几年里，消费者和工业部门越来越需要更多的能源节约，以实现可持续发展的社会。 虽然 GaN HEMT 有望显着促进小型化和提高功率转换效率，但与硅 MOSFET 相比，栅极驱动的难度较大，需要使用专用的栅极驱动器。 为此，ROHM 开发了功率级 IC，利用核心功率和模拟技术，将 GaN HEMT 和栅极驱动器集成到单个封装中，从而大大简化了设计与安装。

除此之外，BM3G0xxMUV-LB 系列（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）还集成了额外的功能和外围组件，旨在最大限度地提高 GaN HEMT 性能以及 650V GaN HEMT（下一代功率器件）。 ROHM 的宽驱动电压范围（2.5V 至 30V）等功能可与主电源中的几乎所有控制器 IC 兼容，从而有助于替换现有的硅（超级结）MOSFET。 这使得可以同时减少55%的元件体积和功率损耗，以更小的尺寸实现更高的效率。

台达电子 PSADC（功率半导体应用开发中心）总经理ISAAC LIN说道，“GaN器件作为对设备小型化、节能化做出巨大贡献的器件，受到业界的广泛关注。”

ROHM的新产品利用ROHM独创的模拟技术，实现了高速且安全的栅极驱动。 这些产品将进一步推动GaN功率器件的使用。