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-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（Giant Transistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。GTR......
, MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（Giant Transistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。GTR 饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET 驱动功率很小，开关......
%以上。IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点，用于......
源变换与传输的核心器件 IGBT可以通俗的理解为是带阀门控制的能控制电子双向（多向）流动的晶体管。IGBT是由BJT双极型三极管和绝缘栅型场效应管MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有 MOSFET金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管......
大流行爆发和2020年全球紧急封锁后开始增加产量。电力晶体管和其他广泛使用的半导体的供应紧张和短缺，使许多制造业工业部门（尤其是汽车和工业设备）的平均销售价格居高不下，尽管最近经济增长放缓，消费......
-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（Giant Transistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和......
先进的节点，使用平面 CMOS 晶体管而不是更先进的 FinFET 工艺。 伊利诺伊大学香槟分校电气和计算机工程教授、《不情愿的技术爱好者：印度与技术的复杂关系》一书的作者 Rakesh Kumar 表示......
这个合作伙伴关系，该厂将能够生产28纳米、40纳米、55纳米和110纳米的芯片，月产能为5万片晶圆。尽管不处于尖端，但这些技术节点仍然被广泛用于芯片制造，28纳米是使用平面CMOS晶体管而非更先进的FinFET......
（CMOS的主力晶体管）。在Intel 18A中，Clearwater Forest的逻辑芯片将采用第二代RibbonFET工艺制造。Fetzer表示，虽然这些器件本身与Intel 20A中出......
出直流电压Ud是不可控的；中间直流环节用大电容C滤波；电力晶体管V1～V6构成PWM逆变器，完成直流到交流的变换，并能实现输出频率和电压的同时调节，VD1～VD6是电压型逆变器所需的反馈二极管。 ②交－直......
高效晶体管如何推动组串式光伏逆变器发展;在今天的博文中，我们会进一步深入探讨——随着时代的发展，高效功率晶体管技术对组串式的影响。在电力储能系统中，是进行电流转换必不可缺的组件。本文引用地址：首先......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管;近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展，分别采用氧气氛围退火和N离子......
。该基底也用作开关材料，氧化锶钴用作活性材料，而铂电极提供控制晶体管所需的电力。 研究发现，活性材料在“开”状态下的导热性与一些液态热晶体管相当。而且，活性材料在“开”状态......
。 Mishra估计，如果将现在产品中的晶体管都换成基于 GaN的晶体管，那么我们每年能节约大约 40个核反应推所提供了电力。“当谈到气候变化时，人们通常说你不能在不用掉更多资金的前提下解决废物排放的问题，但现......
IBM与三星合作发表VTFET芯片设计技术，预计突破1纳米制程瓶颈;外媒报导，美国加州旧金山举办的IEDM2021蓝色巨人IBM与韩国三星共同发表“垂直传输场效应晶体管”（VTFET）芯片设计。将晶体管......
人兼CEO Rob Gwynne和qGaN模块 氮化镓晶体管对下一代电力电子的重要性在于其能够在超高频率下工作，以实现开启和关闭。缓慢的转换会浪费能源，因为在晶体管既不开启也不关闭的开关时间内，它要......
人兼CEO Rob Gwynne和qGaN模块 氮化镓晶体管对下一代电力电子的重要性在于其能够在超高频率下工作，以实现开启和关闭。缓慢的转换会浪费能源，因为在晶体管既不开启也不关闭的开关时间内，它要......
、晶闸管、开关二极管、稳压二极管、肖特基二极管、镀银点二极管、瞬态电压抑制二极管、光电二极管、FRD和双极型集成电路（IC）、电力电子器件及模块等。公司的功率器件芯片、高频小信号晶体管......
和电网等。主要分为单极型和双极型。双极型：功率二极管、晶闸管、BJT（双极性三极管）、电力晶体管（GTR）、IGBT。单极型：MOSFET，肖特基二极管。根据每个细分产品的物理性能不同，不同......
范围内为 MCU 稳定供电的应用。ZXTR2112FQ 是为采用 24V 电池但需要为应用提供 12V ±10% 电力的汽车和卡车所设计，这类应用包括用于闸极驱动器的 VCC供电应用。所有这类的稳压器晶体管......
MOSFETS IRF 540 和 4148 二极管组成。当直流电源输入振荡器时，电流开始流经两个线圈 L1、L2 和晶体管的漏极。与此同时，晶体管的栅极也出现了一些电压。其中一个晶体管处于导通状态，而另一个晶体管......
汽车和其他市场在功率密度和效率方面的进步。 亮点包括新的基于 GaN 的 11-kW/800-V 车载充电器 (OBC) 参考设计，与 SiC 晶体管设计相比，它的功率密度高出36%，物料清单成本降低 15%。 其他......
ST宣布其先进的超结功率MOSFET晶体管系列新增快速开关产品;ST宣布其先进的超结功率MOSFET晶体管系列新增快速开关产品，用于高能效消费电子产品、计算机和电信系统、照明......
外界预估台积电3nm工艺的2.9晶体管/mm2要高，指甲盖大小的芯片就有500亿晶体管。 在同样的电力消耗下，其性能比当前7nm高出45%，同样性能下则减少75%的功耗。 不过IBM的2nm工艺......
这项技术未来的发展重点。 传统PDN布线面临诸多挑战 为了将电力从封装传输至芯片中的晶体管，电子必须经由金属导线和通孔，穿越15~20层BEOL......
厂商谈IGBT大缺货：根本买不到！; 【导读】半导体景气下行，晶片业普遍面临客户砍单与报价修正压力之际，有「电力电子中央处理器（CPU）」之誉的绝缘闸极双极性晶体管（IGBT）在电......
用于以下器件：a)GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件；b)GaN集成功率电路；c)以上的晶圆级及封装级产品。 T/CASAS 35—202X《用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶体管......
当不断逼近摩尔定律的极限，芯片互连也有大麻烦;互连 —— 有时是将晶体管连接到 IC 上电路中的纳米宽的金属线 —— 需要进行「大修」。而随着芯片厂逐渐逼近摩尔定律的极限，互连......
妙趣横生的电子小知识　第1篇：初识晶体管;本系列连载将介绍电力电子相关的基础知识和各种小知识。本系列涉及到的内容很广泛，涵盖从基础知识到应用部分的丰富内容，希望能够帮到那些“至今不好意思问别人，但又......
时为 1.5 W/cmK），需要仔细设计布局和适当的开发出能够有效散热的封装技术。通过用 GaN 晶体管代替硅基器件，工程师可以设计出更小、更轻、能量损失更少且成本更低的电子系统。  受汽车、电信......
探索任务、深层石油开采系统、飞机系统等领域的进步。 电力电子电路不断发展以实现更高的效率，绝缘栅双极晶体管（IGBT）和金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）等电力电子设备为令人兴奋的创新打开了大门。硅......
妙趣横生的电子小知识　第1篇：初识晶体管;本系列连载将介绍电力电子相关的基础知识和各种小知识。本系列涉及到的内容很广泛，涵盖从基础知识到应用部分的丰富内容，希望能够帮到那些“至今不好意思问别人，但又......
英特尔推新型封装材料，满足大模型时代应用; 【导读】英特尔宣布推出用于下一代先进封装的玻璃基板，计划未来10年内推出完整解决方案。其透露，这一突破性方案将使晶体管......
加入杂质会创造许多自由电子和电洞成对出现的机会。 ▲短通道效应：通道提早缩水了 关不掉的晶体管 在没有外部电场的情况下，这成对的电子和电洞因静电力平衡会再度中和掉对方而消失；但是当有外部电场（源极有电压的时候）时，这些......
体产业未来的挑战不仅只有制程微缩而已，其他的挑战还包括EUV、整个电晶体的架构从2D 转变成3D，以及整个环绕式ALL Around Gate、Narrow-wide Device 等。 罗镇球举例，台积电目前在3D......
始人，还是华威大学的电力电子器件专业教授。他领导了额定电压从1200 V到15 kV不等的定制功率器件（绝缘栅双极型晶体管、金氧半场效晶体管和二极管）研发项目，涉及电动汽车、航天、工业机械和电网。他已......
前往华威大学研发3.3 kV和10 kV碳化硅器件。他凭借论文《碳化硅功率金刚石场效应晶体管的高温电老化和热老化性能及应用注意事项》赢得《电气与电子工程师协会汇刊电力电子学卷》2018年最佳论文奖。自2018年进......
kV碳化硅器件。他凭借论文《碳化硅功率金刚石场效应晶体管的高温电老化和热老化性能及应用注意事项》赢得《电气与电子工程师协会汇刊电力电子学卷》2018年最佳论文奖。自2018年进入业界以来，他领导了新型硅绝缘栅双极型晶体管......
进行开关。 功率组件是一种只用于电力转换和控制的电子组件，分为二极管（整流和保护电路）、晶体管（负责开关）与闸流体（电路驱动）。其中晶体管......
资源的相当大一部分。 如果所消耗的电力都是用于进行有价值的工作，那么这(勉强)是可以接受的，但事实是其中有大量电力是被浪费掉的。主要原因之一是，人们并没有应对随机掺杂波动(RDF)的解决方案。随机掺杂波动是造成晶体管......
负载级如何提供大于其电源电压的电压摆动？一种可能的解释是，节点A处的直流电压等于VCC，因为电感器在直流下是短路。RFC只承载直流电流，其值由连接到晶体管基极的偏置电路（图中未显示）确定。由于......
镓功率半导体将在实现下世代电动车对尺寸微缩、轻量及高效率的要求上，扮演关键角色。GaN Systems 拥有完整且高质量车规等级氮化镓功率晶体管产品组合，而安世博能源科技已在电力电子领域深耕多年，两间公司将协力彻底运用氮化镓优势，开创......
体电动车产业发展带来助力。」 这次的合作将为电动车市场中笨重、低效率且成本高昂的电力系统带来本质上的革新。氮化镓功率晶体管卓越的开关速度，为电动车车载充电器 (On-Board Charger)、DC-DC 转换器、及牵......
又一芯片巨头宣布背面供电技术突破;半导体技术的许多进步都取决于减小封装尺寸，同时结合附加功能和更高效的供电方法。目前的供电方法会占用晶圆上的大量空间，导致成本增加、芯片尺寸增大和晶体管减少。今年......
有新设计采用 IGBT。IGBT 可以承受大约高达 1900 V 的高压，但开关速度较慢。SiC 器件可以应对高电压和电流水平，但开关速度要快得多。SiC 晶体管承受的电压上限为 1800 V，因此......
亿个晶体管。作为比较，台积电和三星的7nm制程大约在每平方毫米9,000万个电晶体左右，三星的5LPE为1.3亿个电晶体，而台积电的5nm则是1.7亿个电晶体。 图片......
思路就是通过PMOS晶体管上叠加NMOS晶体管，在单位面积上增加晶体管数量。堆叠晶体管为互连创造了一个非常有趣的拓扑结构，需要同时为顶部和底部的晶体管提供电力和信号，无法选择只向其中一个进行供电。此时，便可......
为互连创造了一个非常有趣的拓扑结构，需要同时为顶部和底部的晶体管提供电力和信号，无法选择只向其中一个进行供电。 此时，便可以通过使用PowerVia和背面触点来实现供电，当同步使用两种技术，就能实现非常高效的晶体管......
等。 电源管理的发展历程 上世纪40年代晶体管问世，不久后，作为电源管理技术的发展基础的晶闸管在晶体管渐趋成熟的基础上问世，从而揭开了电源管理技术长足发展序幕。 1979年发明了功率场效应晶体管......
身不断研究，英特尔在GaN上，全球都有专利布局，其中在美国和中国台湾分别有17项和20项专利正在申请中，涉及用于SoC的III-N晶体管、RF开关、超短沟道长度、场板和III-N/ 硅单片集成电路。 去年......

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