资讯
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性(2023-02-16)
相关的不同封装方面，从封装类型、芯片贴装到引线键合。
SiC二极管可以组装成分立封装，在混合模块中作为与硅基晶体管的反并联二极管使用，或者在与SiC晶体管的全SiC模块中作为反并联二极管......
一文详解音频信号压缩电路(2023-01-30)
以及输入100k欧姆电阻完成的。 根据电路设计，施加在串联二极管上下两端的电压极性相反，幅度相等。 输入信号通过100k电阻输入到二极管中间， 如果它的幅值没有超过二极管......
采用TVS二极管组合方式助力汽车电子提升抛负载测试性能(2023-08-31)
保护器件防护等级达不到测试要求，而选型的TVS防护器件一时很难匹配或很难找到现货时，这个时候可以采用TVS二极管组合方式来替代方案。
方案一：把两个参数相同的TVS二极管同方向并联起来使用
1）组合方式：并联使用
2......
超共源共栅简史(2023-03-29)
的导通电阻较高、效率较低，同时导电损耗显著，而且在能量回收水平较高时，其体二极管的用处不大。这里给出的解决方案，在外部并联二极管以实现 “第三象限” 操作，同时使用额外的低压阻断肖特基二极管......
SiC MOSFET用于电机驱动的优势(2023-12-22)
瞬间电流往往会有过冲，这是反并联二极管换流时产生的反向恢复电流。反向恢复电流叠加在IGBT开通电流上，增加了器件的开通损耗。IGBT的反并联二极管往往是Si PiN二极管，反向恢复电流比较明显。而......
具有反向阻断功能的新型 IGBT(2023-09-06)
用于主电流路径中功率半导体软开关的辅助谐振电路双向开关，如图 3 所示的矩阵转换器。
图 1 反激式
图2 逆变器
如果在电压、电流和频率方面都适用，那么迄今为止这种开关都是由不具有反向阻断能力的标准IGBT和串联二极管组......
三安集成完成碳化硅MOSFET量产平台打造，贯通碳化硅器件产品线(2020-12-03)
通过优化器件结构和布局，大大增强碳化硅体二极管的通流能力，不需要额外并联二极管，降低系统成本，减小系统体积。
优良的阈值电压稳定性
如何能够得到优质的碳化硅栅氧结构是目前业界普遍的难题。栅氧......
三电平电路原理及常见的电路拓扑分析(2024-01-15)
D5/D6仅存在导通损耗。
NPC2
在NPC2拓扑中，用一对共射极或共集电极的IGBT和反并联二极管代替NPC1二极管钳位的功能，减少了两个二极管器件，其中T1/T4管承受全母线电压，T2/T3......
讨论下电动汽车的发电模式(2023-07-10)
模块额外的反并联二极管面前被爆成渣。
上篇我们提了，SiC MOSFET在电动车电动模式下效率非常高，然而今天在发电模式下的VF被Si IGBT暴打，难道SiC 模块......
使用绿光和双层电池，“哈利·波特”光传感器实现200%高效率(2023-02-20)
应该尽量减少在没有光的情况下产生的电流，即所谓的暗电流，暗电流越小，二极管越灵敏；其次，它应该有从红外光中区分出背景光（噪音）的水平。不幸的是，这两件事通常不会同时发生。
研究团队为此创造了一种串联二极管，这是......
电动汽车电池系统需要什么保护(2023-05-06)
级资质的版本。
双向保护 ESD 二极管的示例示意图，由两个阳极到阳极连接的 TVS 二极管组成。 （参考：AQxxC-01FTG TVS 二极管阵列）
我们......
通过碳化硅(SiC)增强电池储能系统(2023-10-31)
种情况下，降压- 升压转换器是最常见的双向DC-DC 拓扑，因为它需要的组件少且易于控制。在此类双向系统中，两个带有并联二极管的650 V IGBT 或MOSFET 就足够了。例如，安森美的650 V......
如何通过SiC增强电池储能系统？(2024-03-25)
少且易于控制。在此类双向系统中，两个带有并联二极管的650V IGBT或MOSFET就足够了。例如，650V FS4 IGBT FGH4L75T65MQDC50集成了二极管，可在......
常见三相PFC结构的优缺点分析，一文get√(2023-12-28)
器时，建议确定是哪一种“Vienna”。
关于“Vienna”整流器的特性，它是一种三相连接升压，如图7所示。单相升压由电感、开关器件和整流二极管组成。在三电平结构中，每个半波或每个母线电压（不包......
GaN和SiC在电动汽车中的应用(2024-01-24)
时效率高于99%的6个并联低 RDS(ON) SiC FET可能会取代 IGBT 及其并联二极管，从而使功率损耗减少3倍。在较轻负载、高频使用下，这种改进甚至更好，损耗比 IGBT 技术低 5 至 6 倍，并且......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗(2024-02-29)
发布的半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的Trench IGBT，与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局，与34 mm工业标准封装100%兼容，可采......
采用紧凑型 DFN 封装、具有最高通流能力，Bourns 推出新款 PTVS 二极管系列(2023-01-17)
双向 PTVS 二极管系列具备 20 kA、8/20 µs 浪涌处理能力和低的钳位电压，专为大功率 DC 线路应用设计
2023年1月17日 - 美国柏恩 Bourns 全球知名电子组件领导制造供货商，推出......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和(2024-02-29)
，与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型封装采用新型栅极引脚布局，与34 mm工业标准封装100%兼容，可采用机械插接方式更换。
这款......
Bourns推出最高通流能力的双向功率瞬态电压抑制器二极管系列(2023-01-17)
Bourns推出最高通流能力的双向功率瞬态电压抑制器二极管系列;
【导读】2023年1月4日 - 美国柏恩 Bourns 全球知名电子组件领导制造供货商，推出 Bourns 最高......
采用紧凑型 DFN 封装、具有最高通流能力，Bourns 推出新款 PTVS 二极管系列(2023-01-18)
大功率 DC 线路应用设计美国柏恩 Bourns 全球知名电子组件领导制造供货商，推出 Bourns 最高通流能力的双向功率瞬态电压抑制器 (PTVS) 二极管系列。Bourns® PTVS20-015C-H......
如何将电池储能系统的性能提升到更高水平？(2023-07-28)
V，而充放电功率不会超过 10 kW。降压-升压转换器是最常见的双向 DC-DC 拓扑，因为它需要的组件少且易于控制。两个 650 V IGBT 或 MOSFET 搭配并联二极管，例如......
PLC控制系统设计的输入回路接线(2024-01-04)
出回路必须设置适当熔断器作为保护。DC直流感抗负载要并联二极管以延长触点寿命，二极管规格为耐压时负载电压5-10倍，电路大于负载电流。
5、氖灯或小电流负载需要并联浪涌吸收器。
6、马达正反转电路，除PLC内部......
采用紧凑型DFN封装、具有最高通流能力,Bourns推出新款PTVS二极管系列(2023-01-18)
采用紧凑型DFN封装、具有最高通流能力,Bourns推出新款PTVS二极管系列;美国柏恩 全球知名电子组件领导制造供货商，推出 最高通流能力的双向功率瞬态电压抑制器 (PTVS) 二极管系列。®......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗(2024-03-01)
Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局，与34mm工业标准封装100%兼容，可采用机械插接方式更换。
这款工业级器件可用于各种应用的电源逆变器，包括......
可调二极管用于实现均流控制器设计(2022-11-30)
较低电压电源始终处于可供使用的状态，因此当切换至备用电源时却发现其早已悄无声息地发生了故障 （这在简单的二极管“或”系统中是有可能出现的），这种情况并不令人感到意外。
3、在负载均分系统中，可以并联......
Microsemi为NPT IGBT产品系列增添多款新器件(2013-04-03)
方案与该产品系列中的所有器件相一致，可以与美高森美的FRED或碳化硅肖特基二极管组合封装，为工程师提供高集成度解决方案，以便简化产品开发工作。其它特性包括：
· 与同类器件相比，栅极电荷显著减少，具有......
详细解析汽车发电机工作原理(2023-06-15)
绕组的始边的相互间隔可以是2个槽，8个槽，14个槽等。
（三）整流器
交流发电机整流器的作用是将定子绕组的三相交流电变为直流电，6管交流发电机的整流器是由6只硅整流二极管组成三相全波桥式整流电路，6只整流管分别压装（或焊......
Vishay推出采用改良设计的INT－A－PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗(2024-02-29 15:02)
有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局，与34 mm工业标准封装100%兼容，可采用机械插接方式更换。这款......
Bourns 全新大电流 PTVS 二极管，具备20 kA 浪涌电流和低箝位电压处理能力(2022-10-13)
并节省电路板空间美国柏恩 Bourns 全球知名电子组件领导制造供货商，推出了一款专为大功率 DC 线路保护应用而设计的双向功率瞬态电压抑制器 (PTVS) 二极管。全新 PTVS20-015C-TH 能够在 15......
I-NPC三电平电路的双脉冲及短路测试方法(2024-01-26)
个脉冲结束后，T3关断，电感电流通过T1、T2的反并联二极管D1、D2续流，T3第二个脉冲到来后，电流继续流经负载电感、T3、D6，T1反并联二极管D1被强迫关断，该工况下测试对象为T3与D1......
一个简单的无变压器1．5V DC电源电路(2023-07-25)
。包含两个调联二极管还确保了时钟和充电单元的完全无浪涌供电，因此该设计与其他传统形式的浪涌保护器件不同。工作原理时钟的1.5V无变压器电源电路可以简单地解释如下电源输入电流通过 20.0uF/33V......
e络盟开售来自意法半导体和伍尔特电子的1kW高效模拟无桥PFC(2023-06-02)
结构，可提高电源转换效率和功率密度。 它仅使用两个MOSFET作为同步整流器即可实现更高效率，无需借助由4个二极管组成的传统桥式整流器。尽管采用无桥设计，BARBI仍然可以通过模拟控制器进行控制，而无......
常用的功率元器件大全(2023-02-06)
种用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体器件。
IGCT 是将GTO 芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起，再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接，结合......
电视发射器电路(2023-07-21)
调制。这些调制信号应用于天线。
电视发射器电路图：
电路组件：
电路由以下元件组成：
BC547 晶体管。
信号二极管 (1N4148)。
电阻器
电容器
射频变压器
天线
可变电容
可变电阻器
电视......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗(2024-03-01)
发布的半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的Trench IGBT，与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局，与34......
e络盟开售来自意法半导体和伍尔特电子的1kW高效模拟无桥PFC(2023-06-02)
使用两个MOSFET作为同步整流器即可实现更高效率，无需借助由4个二极管组成的传统桥式整流器。尽管采用无桥设计，BARBI仍然可以通过模拟控制器进行控制，而无需使用复杂的晶体管驱动电路，这是......
超结MOS/低压MOS在微型逆变器上的应用(2023-10-23)
超结MOS/低压MOS在微型逆变器上的应用;，一般指的是光伏发电系统中的功率小于等于1000瓦、具组件级MPPT的逆变器，全称是微型光伏并网逆变器。“微型”是相对于传统的集中式逆变器而言的。传统的光伏逆变方式是将所有的光伏电池在阳光照射下生成的直流电全部串并联......
讨论一下插入式继电器(2024-03-25)
德接触器的直流线圈尤其如此，因为当 PLC 要求的单二极管浪涌抑制器阻碍时，它需要超过100毫秒才能打开。
一个可行的解决方案是使用插入继电器。这为嵌入式双向二极管组件提供了工作空间。插入继电器的常开 (N.O......
使用LX7720的电机驱动器：将LX7720连接到双极步进电机(2023-09-11)
电源进入一个半桥的电流将通过另一个半桥流出，并且电流检测电阻两端将产生与此电流成比例的正电压。由于进入一个半桥的电流必须通过另一个半桥退出，因此只需要两个电流检测。
半桥FET及其集成体二极管所示。与FET并联的二极管......
电动汽车车载充电器过流保护电路分析(2024-04-29)
的电压近似为零，实现零电压开通，达到减少开通损耗的目的。第一桥式变换单元501由第一至第四SiC功率场效应管即V1-V4和续流二极管组成，第二桥式变换单元502由第五至第八SiC功率场效应管即V5-V8和续流二极管组......
图腾柱无桥PFC与SiC相结合，共同提高电源密度和效率(2023-10-16)
的 PFC
电源的输入级通常使用桥式整流器后接单相 PFC 级，由四个整流器二极管和一个升压二极管组成。
图 1：桥式整流器后接单相 PFC 级
图腾柱无桥拓扑结构
还有一种提高电源效率的方法，就是......
全新4.5 kV XHP™ 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化(2023-12-25)
操作，这也使得模块在并联时只需要一条直流母线即可实现。
4.5 kV XHP系列还使得开发人员在设计过程中能够减少元器件的使用数量。传统的IGBT解决3电平方案有多个单IGBT开关和一个半桥二极管......
全新4.5 kV XHP™ 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化(2023-12-25)
的TRENCHSTOP™ IGBT4450 A半桥IGBT模块，以及一款带有发射极控制E4二极管的450 A二极管半桥模块。这两个模块的绝缘电压均提高至10.4 kV。这对组合有助于在不降低效率的情况下简化并联......
为敏感电路提供过压及电源反接保护！(2023-10-17)
——
◇ 既占用宝贵的板级空间，又会在高负载电流下消耗大量的功率。
◇ P 沟道 的功耗虽然低于串联，但 以及所需的驱动电路将导致成本增加。
这两种解决方案均牺牲了低电源操作性能，尤其是串联二极管......
电源模块可以并联使用吗？(2024-04-01)
时容易反灌，导致一个电流流入第二个，只要加入防止倒灌的二极管就可以了。
然而这考虑的还不够全面，实际应用过的工程师，可能会发现，并联电源模块时，有时候一个电源模块会持续输出，而另......
光伏三相逆变器系列（一）：光伏行业及三相逆变器特点浅析(2023-10-20)
加2个续流二极管组成
● TNPC由4个IGBT和4个体二极管组成
因此，承受母线电压输入最大电压等级不同：
● INPC能承受VDSmax=1500V
● TNPC能承受VDSmax......
英飞凌推出全新4.5kV XHP™ 3 IGBT模块让驱动器(2024-01-10)
模块，以及一款带有发射极控制E4二极管的450A二极管半桥模块。这两个模块的绝缘电压均提高至10.4kV。这对组合有助于在不降低效率的情况下简化并联并且缩小尺寸。以前，并联模块需要复杂的母线，令设......
并联稳压器缓解电源启动问题(2023-04-04)
并联稳压器缓解电源启动问题;电阻器 R一个 通过 RD、并联 IC1，二极管 D1和晶体管 Q1 构成低负载串联通调节偏置电源。选择这些元件以产生 Q 的电压1 落在 IC 之间的发射器1的关......
基于音频放大器的模拟分压器解析(2023-06-15)
可能需要来自两个或多个低压电源的几毫安电流或来自普通直流电源的参考电压。此外，电路的电源管理可能不需要非常严格。在其中一些情况下，我们可以使用基于二极管、齐纳二极管和并联稳压器的 VS。
现代工业提供多种齐纳二极管......
汽车SoC电源架构设计(2022-11-28)
以最低功耗提供反向电流保护。
图 4：MPQ5850-AEC1 理想二极管控制器
确定预调节器和保护器件之后，更新电源树以反映所选组件（参见图 5）。
图 5：最终的预调节器和保护电源树
结语
为 ADAS 系统......
相关企业
模块1600V/150A PAT20016 二晶闸管反向并联模块1600V/200A PDH308 二极管与晶闸管同向串联模块800V/30A PDH608 二极管与晶闸管同向串联模块800V/60A
管、MMIC、混频器、耦合器、功分器、振荡器、合成器、衰减器、滤波器、隔离器、环行器、移相器、调制解调器；光电子元器件和组件：红外发射管、红外接收管、光电开关、光敏管、发光二极管和发光二极管组件、半导体激光二极管和激光器组件
广大电器厂商、二极管元件经销商、二极管组装工厂咨询惠顾！我公司经营理念：资源共享，世界更精彩！
器调制解调器；光电子元器件和组件：红外发射管、红外接收管、光电开关、光敏管、发光二极管和发光二极管组件、半导体激光二极管和激光器组件。MRF系列、三菱、摩托罗拉、爱立信、ASI、富士通等军民用射频产品。DOC电子
;深圳市新兴电子;;专营红外线发射、接收组件、槽型、反射型光电开关、光纤输出接收器、数据传输器件、变容二极管、稳压二极管系列、人体传感器、接收头全系列
利多销为经营理念，竭诚为广大用户提供服务。 长期大量现货专业批发：变容二极管、开关二极管、低噪晶体管、电子元器件和组件；红外发射管、红外接收管、光电开关、光敏管、发光二极管和发光二极管组件、半导体激光二极管和激光器组件
专用集成电路（ASIC）的设计经验和成熟的模组生产技术设施，成功开发市场上独特的激光二极管驱动和控制专用集成电路（ASIC）和ASIC驱动得镭射二极体模组。组件采用的镭射二极管驱动和控制专用集成电路（ASIC）具有
;台湾长虹电子广州公司(江宏电子);;长虹电子有限公司创立于1984年，并于上海投资成立上海江宏电子有限公司，专业生产肖特基二极管、开关二极管、齐纳二极管、瞬态电压抑制二极管、标准/快速/超快/特快恢复二极管
;四联二手榨油设备销售公司;;
，SLED光纤尾纤激光二极管，FP/DFB/CWDM光纤尾纤激光二极管,InGaAs激光探测器，Bi-Di器件等光电元器件组件。广泛用于各种模拟应用和数字应用，模拟数字通信以及线路传感测试，CATV