资讯
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
与衬底之间不加电压时，栅极下面已有沟道存在。
MOS管的图形符号如下，一般用增强型MOS管用于门电路分析。
MOS管图形符号
增强型MOS管有P沟道和N沟道两种，其结构原理基本类似，主要......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
mΩ级别，流过1A级别的电流，也才mV级别，所以D极和S极之间的导通压降很小，不足以使寄生二极管导通，这点需要特别注意。
▉ MOS管工作原理（以N沟道增强型为例）
N沟道增强型MOS管在P型半......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
管，图1-2所示A 、B分别是P沟道MOS管道结构图和代表符号。
图1-1-A 图1-1-B
图1-2-A 图1-2-B
2、MOS管的工作原理
图1-3是N沟道MOS管工作原理......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管，可兼容替代尼克森PKC26BB。
PKC26BB替代料SVG032R4NL5特点
■ 100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化，N沟道增强型功率MOS场效......
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？(2023-03-17)
驱动电路简单，驱动功率小，开关速度快，工作频率高、热稳定性高于GTR等优点。按导电沟道功率MOSFET可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型;对于......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
驱动MOS晶体管的原理类似于结型场效应晶体管，也就是一个耗尽型器件，它可以工作在负、零、甚至略微正偏压条件下[2].由于衬底电压影响与反型层(即导电沟道)相连的耗尽层厚度，通过MOS晶体管的......
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
本不高。
缺点：一旦接反需要更换保险丝，操作比较麻烦。
3、正接反接都可正常工作的电路
优点：输入端无论怎样接，电路都可以正常工作。
缺点：存在两个二极管的压降，适用于小电流电路。
4、N沟道增强型......
防反接常用单元电路，收藏了(2024-10-26 11:31:16)
场效应管构成的防接反电路
这个电路的最大一个特点就是场效应管的D极和S极的接法。通常我们在使用N沟道的增强型的MOS管时......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
导通时形成的沟道。首先看黄色虚线部分，细看之下是不是有一丝熟悉之感?
这部分结构和工作原理实质上和上述的N-MOSFET是一样的。当VGE》0V，VCE》0V时......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了Ｄ、S、G1、G2管脚的顺序。
（5）用测反向电阻值的变化判断跨导的大小
对ＶＭＯＳ Ｎ沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
N沟道增强型MOS，只要VGS>VGSth，mos管DS之间就会出现反型层（即mos管已经导通，并在DS间形成了一条通道，该通道形成是因为栅极电压VGS的增大，将电子吸引至耗尽层形成），然后......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了Ｄ、S、G1、 G2管脚的顺序。
４、用测反向电阻值的变化判断跨导的大小
对ＶＭＯＳＮ沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极Ｓ、黑表笔接漏极Ｄ，这就......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了Ｄ、S、G1、 G2管脚的顺序。
４、用测反向电阻值的变化判断跨导的大小
对ＶＭＯＳＮ沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用......
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用(2022-11-28)
按导电方式也可将MOS管分为耗尽型与增强型，如下图所示：
二、产品应用及特点
低压MOS管的器件主要应用于家电领域，如：榨汁机、果汁杯、暖奶瓶、打蛋器、吸尘器等。
产品特点：成熟的Trench设计......
芯能发布SiC-MOS智能功率模块(2023-07-19)
芯能发布SiC-MOS智能功率模块;
【导读】IPM29- SiC_MOS智能功率模块新产品内部集成了新一代N沟道增强型1200V-SiC_MOSFET芯片与与优化的SOI工艺6通道......
芯能发布SiC－MOS智能功率模块(2023-07-20)
芯能发布SiC－MOS智能功率模块;IPM29- SiC_MOS智能功率模块新产品内部集成了新一代N沟道增强型1200V-SiC_MOSFET芯片与与优化的SOI工艺6通道栅极驱动芯片，作为......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
复杂的半导体物理推导过程，下面是简化后的工作原理。
IGBT有N沟道型和P沟道型两种，主流的N沟道IGBT的电路图符号及其等效电路如下：
所以整个过程就很简单：
当栅极G为高电平时，NMOS导通，所以PNP的CE也导......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺;功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延的不同，本文通过深入对比HEMT与硅基MOS管的外延，再对增强型和耗尽型的HEMT进行对比，总结......
物尽其用，【拆解+改造+测试】升级LED红外线人体感应灯(2024-08-01)
出驱动电流只能提供10mA。所以方案一失败。随即想到了用锂电池保护板上的MOS管来驱动LED，反正废旧锂电池保护板很多。拆到一颗N沟道增强型MOSFET 8205A(20V，6A)。
实物使用图
灯光......
【CMOS逻辑IC基础知识】——受欢迎的CMOS逻辑IC(2023-02-22)
反相器工作基本原理示意
在CMOS逻辑IC中，通过组合p沟道和n沟道MOSFET可以实现各种逻辑功能，从而根据不同的输入得到想要的输出结果。当MOSFET的栅极-源极电压超过某个电压（阈值......
为什么使用mos管作为电池反向保护?(2024-10-08 16:32:14)
MOSFET 作为电池反向保护
1、P 沟道 MOSFET 反向电池保护基本连接
增强型 MOSFET 有两种变体。它可以是 N 通道或 P 通道。它们......
MOS管的三个极怎么判定？(2024-03-08)
沟道，由S极指向D极；P沟道，由D极指向S极。
4. 简单的判断方法
上面方法不太好记，一个简单的识别方法是：（想像DS边的三节断续线是连通的）
不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的......
豪威集团发布业内最低内阻双N沟道MOSFET(2022-06-30)
在电池包装中起到安全保护开关的作用，其本身对功率的损耗也必须足够低才能满足高效、低发热的要求。
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双N沟道增强型MOSFET，WNMD2196A具有业内同类产品最低内阻，RSS......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
常作为高输入阻抗放大器的输入级。
2.1 基本共源放大电路
共源放大电路采用的是N沟道增强型MOS管，为使它工作在恒流区，在输......
【干货】4种升压转换短路保护总结，图文结合，一文帮你快速搞定(2024-11-11 23:11:45)
电荷泵。
升压转换器的简化原理图，在电源和升压转换器输入之间具有一个用于短路保护的 n 沟道 MOSFET
2、P 沟道 MOS 管......
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
电压只从5V缩小到1V，缩小的倍率是5倍，可见MOS器件的工作电压并不是按比例缩小的。随着MOS器件的特征尺寸不断缩小到亚微米级，MOS器件的沟道横向电场强度是不断增强的，载流子会在强电场中进行加速，当载......
可控硅控制器工作原理(2024-01-22)
可控硅控制器工作原理;
控制器的工作原理主要基于可控硅器件的特性，即在特定条件下，可控硅可以被激励到导通状态，从而实现的通路或断路。可控硅的控制过程涉及到几种不同的触发模式：
交流......
干货总结｜晶体管的应用知识(2023-03-28)
将集中讨论两个最常见的晶体管：BJT和MOSFET。本文引用地址：晶体管的工作原理就像电子开关，它可以打开和关闭电流。一个简单的思考方法就是把晶体管看作没有任何动作部件的开关，晶体管类似于继电器，因为......
stm32单片机gpio工作原理是怎样的呢？看完立马学会了(2023-10-12)
输出_OUT_OD
推挽输出_OUT_PP
开漏复用输出_AF_OD
推挽复用输出_AF_PP
4输入 + 2 输出 + 2 复用输出，一共是8种模式，以下是八种模式的工作原理：
GPIO浮空......
浪涌电流是什么意思？如何抑制浪涌电流？4种浪涌电流抑制电路(2024-06-24)
导通损耗低，使用方便。优点是零件少，缺点是有功率损耗。下面介绍有源和无源浪涌电流限制电路。
1、有源浪涌电流限制电路(P-MOS管)
下图为使用P沟道MOS管的浪涌电流限制电路。P沟道的导通步长与N沟道......
电源设计--DC/DC工作原理及芯片详解(2024-11-08 11:12:29)
要理解
DC/DC
的工作原理，首先得了解一个定律和开关电源的三种基本拓扑(不要以为开关电源的基本拓扑很难，你继......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管(2023-02-28)
)器件工作原理示意图；(c)N离子注入晶体管的输出曲线；(d)与已报道的氧化镓垂直场效应晶体管的性能比较。
氧气氛围退火和N离子注入所形成的电流阻挡层均能够有效隔绝晶体管源、漏极......
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
书本上这些教条的框架，从应用侧出发来给大家介绍一下MOS管里面最常见也是最容易使用的一种：增强型NMOS管，简称NMOS。当你熟悉了这个NMOS的使用之后呢，再回过头去看这个教材上的内容，我相......
直流有刷电机驱动设计与分析(2023-03-21)
提供更大的力矩和更低的转速。 齿轮减速箱可以通过配置不同的减速比，提供各种不同的转速和力矩。 在实际使用中减速电机使用的最为广泛，所以本章节将主要介绍直流有刷减速电机。
本章节将介绍直流有刷电机的工作原理、电机......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图一所示是N沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚，图二所示是P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。关于MOS管识图、管脚......
彻底弄清MOS管 （NMOS为例(2024-01-30)
称叫P沟道管，容易想出沟道是什么类型取决于S和D端掺杂的是什么类型，立即推：S和D端区域写了N，管子就是NMOS；S和D端区域写了P，管子就是PMOS。
好，继续敲黑板知识点：MOS管的标准符号中，衬底......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图一所示是N......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
了电平转换的效果。
到此，该电路就分析完了，这是一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图一所示是N沟道MOS管和......
如何用单片机控制220V交流电的通断(2024-01-17)
故障很容易高压烧毁低压端的单片机。
低压控制高压，最好做隔离，上图为使用光耦隔离的控制方式，也可以使用其它物理隔离芯片。
（2）使用三极管、MOS管的控制方式
上图是使用MOS管作开关的电路原理图，因为是交流电，使用两个N......
100W MOSFET功率放大器电路(2023-09-06)
引用地址：工作原理：
该电路采用多级功率放大原理，包括前置放大器、驱动器和使用 的功率放大。 前置放大器采用差分放大器，驱动级是带有电流镜负载的差分放大器，功率放大采用 AB 类工作方式。与 BJT......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品(2023-09-04)
主要区域组成。依照其“通道”(工作载流子的极性不同，可分为“N型“与“P 型”的两种类型，通又称为 NMOS与 PMOS。
一. MOSFET工作原理......
H桥电机驱动解析(2024-03-04)
动电路详解
1、简介
在学习此部分之前，需要先掌握基础H桥驱动的工作原理，具体可参看此篇博客：电机驱动芯片（H桥、直流电机驱动方式）
自行搭建的H桥驱动电路一般都包括两个部分：半桥/全桥驱动芯片和MOS管......
几种常用的防反接电路(2024-06-05)
形成保护。
PMOS防反
NMOS管将ds串到负极，PMOS管将ds串到正极，寄生二极管方向朝向正确连接的电流方向；
MOS管的D极和S极的接入：通常使用N沟道的MOS管时，一般是电流由D极进入S极流......
直流无刷有感电机介绍以及STM32无刷电机轮速测量方案(2024-06-03)
Direct Current， BLDC）电机是一种正快速普及的电机类型，在移动机器人领域也有诸多应用，这里我们将对无刷直流电机的常见问题进行描述。
（1）工作原理
首先，我们来看一下无刷电机的工作原理，下图......
电工必懂电路图，值得一看！(2024-11-09 18:49:55)
能热水循环系统电路图
11.两家共用一个水泵-各用各家电
12.电葫芦工作原理（原理......
改变未来游戏规则，英特尔展示GaN新技术(2023-12-17)
身不断研究，英特尔在GaN上，全球都有专利布局，其中在美国和中国台湾分别有17项和20项专利正在申请中，涉及用于SoC的III-N晶体管、RF开关、超短沟道长度、场板和III-N/ 硅单片集成电路。
去年......
改变未来游戏规则，英特尔展示GaN新技术(2023-12-18 10:06)
身不断研究，英特尔在GaN上，全球都有专利布局，其中在美国和中国台湾分别有17项和20项专利正在申请中，涉及用于SoC的III-N晶体管、RF开关、超短沟道长度、场板和III-N/ 硅单......
超详细|开关电源电路图及原理讲解(2024-03-11)
使Q2没有栅极电压不导通，RT1将会在很短的时间烧毁，以保护后级电路。
硬件笔记本
3
功率变换电路
1、MOS管的工作原理：
目前应用最广泛的绝缘栅场效应管是MOSFET(MOS管)，是利用半导体表面的电声效应进行工作......
无刷直流电机的电流换向电路 无刷直流电机的三相全桥驱动电路(2023-03-20)
六个N沟道的MOSFET管(Q1～Q6)做功率输出元件，工作时输出电流可达数十安。为便于描述，该电路有以下默认约定：Q1/Q2/Q3称做驱动桥的“上臂”，Q4/Q5/Q6称做“下臂”。
图中R1......
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驱动。 TSF4N65T/F（SVD4N60D）是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，有TO-251-3L和TO-220F-3L俩种封装，采用信安电子的平面VDMOS工艺制造，先进的工
器等电子系列产品上。 MOS管系列包含： （CES2301,CES2312,CES2321,CEM9926,CEM9435,CEM4953 ,CEM8958,单N沟道，单P沟道，双N沟道，N+P沟道）等。
;晶科北方科技有限公司;;深圳市晶科北方科技有限公司是一家专业销售半导体元器件的贸易公司。主营台湾华瑞cet的MOS管(单管；双管；P、N沟道)及台湾富晶的保护ic.低廉的价格＋上乘的品质＋热情
DW01+ 新德 CS213 等系列 2. MOS管 华瑞（CET）2301，2312，9926，8205，9435等系列 N 沟道，P沟道MOS管 等系列 特瑞仕（TOREX） XP152A12COMR
;青岛美伦尔环境科技发展有限公司;;人造雾系统工作原理 人造雾系统工作原理：主要是利用造雾机组将水经过耐高压管线有专业喷头产生1-15微米的水滴，由此激发的雾滴能长时间悬浮在空气中，单一
系列 精工 S－8261/8241系 列 富晶 DW-01 新德 CS213 2. MOSFET 华锐（CET）CES2301，CES2312，CEM9926，CEM8205，N 沟道，P沟道MOS管
R5426N系列精工S－8261/8241系列富晶 DW-01新德CS2132.MOSFET华锐（CET）CES2301，CES2312，CEM9926，CEM8205，N沟道，P沟道MOS管特
;深圳市雅贝轩科技有限公司;;深圳市雅贝轩科技有限公司创立十数年以来，秉承"芯之所在，卓越品质”为目标，“诚信经营，薄利多销”为销售理念。 公司专注P沟道/N沟道 MOSFET管，在市
;北京太阳能热水器工程安装公司;;太阳能热水器工程就是利用太阳光热能量转换原理为我们提供热水的工程装置。 太阳能热水器工作原理
;泰州市宏达科教器械厂;;内窥镜消毒储藏柜的工作原理： 挂镜橱：内镜消毒完毕后的存放关系到内镜下次使用的卫生和它的工作寿命，本厂所研 发的挂镜橱配有挂架，橱内装有紫外线消毒灯，底部设置有干燥剂储藏工作